- •Краткие сведения из теории.
- •Порядок проведения эксперимента Эксперимент 1. Измерение напряжения и вычисление тока через диод.
- •Эксперимент 2. Снятие вольтамперной характеристики диода.
- •Лабораторная работа № 2 Исследование неуправляемых выпрямителей Цель:
- •Краткие сведения из теории.
- •Лабораторная работа № 3 Исследование биполярного транзистора Цель:
- •Эксперимент 1. Исследование входного и выходного напряжения однополупериодного выпрямителя.
- •Эксперимент 2. Исследование входного и выходного напряжения двухполупериодного выпрямителя с отводом от средней точки трансформатора.
- •Эксперимент 3. Исследование мостового выпрямителя
- •Эксперимент 4 Исследование емкостного фильтра на выходе однополупериодного выпрямителя.
- •Краткие сведения из теории.
- •Порядок проведения эксперимента Эксперимент 1. Определение статических характеристик коэффициента передачи тока транзистора. Измерение обратного тока коллектора.
- •Эксперимент 2. Получение выходной характеристики транзистора в схеме с оэ.
- •Эксперимент 3. Получение входной характеристики транзистора в схеме с оэ.
- •Контрольные вопросы:
Краткие сведения из теории.
Исследуемая
схема показана на рис. 3.1 Статический
коэффициент передачи тока определяется
как отношение тока коллектора
к току базы
:
|
|
(3.1) |
а)
б)
Рисунок 3.1 – Схема включения транзистора с общим эмиттером (а) и экспериментальная схема в программе Electronics Workbench (б)
Коэффициент
передачи тока
определяется отношением приращения
коллекторного тока к вызывающему его
приращению
|
|
(3.2) |
Дифференциальное
входное сопротивление
транзистора в схеме с общим эмиттером
(ОЭ) определяется при фиксированном
значении напряжения коллектор –эмиттер.
Оно может быть найдено как отношение
приращения напряжения база-эмиттер к
вызванному им приращению
тока
базы:
|
|
(3.3) |
Дифференциальное входное сопротивление транзистора в схеме ОЭ через параметры транзистора определяется следующим выражением:
|
|
(3.4) |
где
-
распределенное сопротивление базовой
области полупроводника,
-
дифференциальное сопротивление перехода
база - эмиттер, определяется из выражения
,
где
-
постоянный ток эмиттера в миллиамперах.
Первое слагаемое в выражении много меньше второго, поэтому им можно пренебречь, тогда
|
|
(3.5) |
Дифференциальное
сопротивление
перехода база – эмиттер для биполярного
транзистора сравнимо с дифференциальным
входным сопротивлением
транзистора в схеме с общей базой,
которое определяется при фиксированном
значении напряжения база-коллектор.
Оно
может быть найдено, как отношение
приращения
к
вызванному им приращению
тока эмиттера:
|
|
(3.6) |
Через параметры транзистора это сопротивление определяется выражением:
|
|
(3.7) |
Первым слагаемым в выражении (3.7) можно пренебречь, поэтому можно считать, что дифференциальное сопротивление перехода база – эмиттер приблизительно равно:
|
|
(3.8) |
Порядок проведения эксперимента Эксперимент 1. Определение статических характеристик коэффициента передачи тока транзистора. Измерение обратного тока коллектора.
Включить питание.
Записать
измерения: тока коллектора
(опыт 1, 2, 3); обратного тока коллектора
(опыт 4); тока базы
;
напряжения коллектор-эмиттер
в таблицу 3.1.
Рассчитать
коэффициент передачи транзистора
.
Таблица 3.1 – Определение коэффициента передачи транзистора по постоянному току и обратного тока коллектора
№ опыта |
|
|
|
|
|
|
|
В |
В |
мкА |
мкА |
мкА |
В |
|
|
1 |
5,70 |
10 |
|
|
---- |
|
|
2 |
2,68 |
10 |
|
|
---- |
|
|
3 |
2,68 |
5 |
|
|
---- |
|
|
4 |
0 |
10 |
|
---- |
|
|
---- |
Номинал источников энергии и при проведении опытов установить в соответствии с данными таблицы.
Для этого навести курсор на источник питания и двойным щелчком мыши вызвать окно редактирования его параметров в соответствии с рис. 3.2.
Рис. 3.2. – Редактирование параметров источника питания
