2. Основные теоретические положения

При частотной модуляции несущая частота колебаний из­меняется пропорционально амплитуде управляющего напряжения. Изменение частоты при однотональной модуляции записывается в виде

где ω₀=2πf₀ — средняя частота колебания (без модуляции); Δω=2πΔf—максимальное отклонение, или девиация, частоты; 2πF — частота модуляции.

Частотно-модулированное колебание можно аналитически записать в виде

где β=Δω/Ω— индекс модуляции, являющийся основным параметром частотной модуляции.

Величину девиации частоты можно определить путем сопоставле­ния глубины паразитной AM и резонансной кривой контура. Полоса пропускания приемно-передающих устройств должна быть такой, чтобы все составляющие спектра, нахо­дящиеся в заданных границах, усиливались одинаково, т. е. амплитудная характеристика в заданных пределах должна быть линейной и параллельной оси х, а фазовая — только линейной.

Реальные четырехполюсники не имеют таких ха­рактеристик. Воздействие контура сказывается в искажении закона из­менения мгновенной частоты (или фазы) колебаний за счет нелинейности амплитудной и фазовой характеристик и в из­менении амплитуды полезного частотного отклонения Δω в зависимости от частоты модуляции Ω. Так как на контуре напряжение и ток не могут мгновенно изменяться, то при больших значениях величина отклонения Δω будет меньше. Воздействие контура сказывается также в возникновении паразитной амплитудной модуляции из-за нелинейности амплитудной характеристики.

3. Описание лабораторной установки

На рис. 6.1, а, б приведена схема установки, где РК-1— приставка для получения ЧМ колебаний. Приставка РК-1 имеет генератор, настроенный на частоту f₀ =4МГц. При подаче на РК-1 модулирующего напряжения частота изме­няется пропорционально ему с максимальным отклонением частоты до ±25 кГц. Напряжение генератора ГСС с частотой 4 МГц ± f_p (f_p — резонансная частота контура) и изменяю­щееся по частоте напряжение РК-1 подаются на смеситель, с которого снимается сигнал с резонансной частотой f_p ±25 кГц.

4. Порядок выполнения работы

1. Снять резонансную кривую контура при двух значениях дополнительного резистора R, применяя схему (рис. 6.1, а).

Рис. 6.1 Рис. 6.2

2. Собрать схему согласно рис. 6.1, б и включить питание. Установить рукоятку настройки РК-1 на отметку «О». На­пряжение, подаваемое со звукового генератора, уменьшить до нуля и настраивать на резонансную частоту контура по осциллографу, меняя частоту генератора ГСС в пределах 4 ... 4,5 МГц. Подать напряжение с ГЗ (частота 1 кГц) и увеличивать его до появления паразитной модуляции, рав­ной 15 ... 20 %. Определить частоту паразитной AM, подав для сравнения на осциллограф напряжение со звукового ге­нератора (не меняя частоты развертки).

3. Определить глубину паразитной AM для двух значений резистора R при одном и том же выходном сигнале.

4. Снять зависимость глубины паразитной амплитудной модуляции от напряжения модуляции.