- •Міністерство освіти і науки України
- •1 Загальні вимоги
- •1.1 Зміст розрахунково-пояснювальної записки
- •Розрахунок параметрів і характеристик діода
- •1.2 Графічна частина
- •1.3 Завдання на курсове проектування
- •2 Розрахунок параметрів і характеристик діода
- •3 Розрахунок параметрів і характеристик біполярного транзистора
- •4 Розрахунок параметрів і характеристик польового транзистора з керуючим p-n-переходом
- •5 Розрахунок параметрів і характеристик мдн-транзистора
- •Список використаних джерел
- •Додаток а
- •Додаток б
Список використаних джерел
Переверзев А.В., Переверзева О.В. Твердотельная электроника: Методические указания к курсовому проектированию для студентов специальности 7.090803 „Электронные системы”. – Запорожье: ЗГИА, 2002. – 34с.
Пасынков В.В., Чиркин Л.К. Полупроводниковые приборы: Учебник для вузов. – М.: Высшая школа, 1987. – 479 с.
Тугов Н.М., Глебов Б.А., Чарыков Н.А. Полупроводниковые приборы. – М.: Энергоатомиздат, 1990. – 576с.
Полупроводниковые приборы: Транзисторы. Справочник (Под редакцией Н.Н. Горюнова). – М.: Энергоатомиздат, 1982. – 904с.
Спиридонов Н.С. Основы теории транзисторов. – К.: Техника, 1975. – 395с.
Крутякова М.Г., Чарыков Н.А. Полупроводниковые приборы и основы их проектирования. – М.: Радио и связь, 1983.
Степаненко В.А. Основы теории транзисторов и транзиторных схем. – М.: Энергия, 1977.
Бочаров Л.Н. Полевые транзисторы. – М.: Радио и связь, 1984.
Додаток а
Таблиця А.1 Перелік теоретичних питань по напівпровідникових діодах
№ вар. |
Теоретичне питання
|
1 |
Енергетичні зони напівпровідників |
2 |
Генерація і рекомбінація носіїв заряду |
3 |
Власні напівпровідники |
4 |
Домішкові напівпровідники |
5 |
Дрейф носіїв заряду |
6 |
Дифузія носіїв заряду |
7 |
Температурні залежності рухливості носіїв і питомої провідності |
8 |
Температурні залежності концентрації носіїв заряду і положення рівня Фермі |
9 |
Ефект тунелювання носіїв заряду |
10 |
Утворення електронно-діркового переходу і його енергетичні діаграми |
11 |
Потенційний бар'єр і контактна різниця потенціалів |
12 |
Бар'єрна ємкість електронно-діркового переходу |
13 |
Напівпровідниковий діод. Структура і основні елементи |
14 |
Пряме включення діода |
15 |
Зворотнє включення діода |
16 |
Параметри діода і їх фізичний сенс |
17 |
Лавинний пробій – визначення і механізм виникнення |
18 |
Тунельний пробій |
19 |
Тепловий пробій |
20 |
Поверхневий пробій |
21 |
Процеси в діодах при малих напрузі і струмах |
22 |
Процеси в діодах при великих напрузі і струмах |
23 |
Електричні властивості кремнієвих і германієвих діодів |
24 |
Електричні властивості селенових випрямлячів |
25 |
Імпульсні діоди |
26 |
Діоди Шотки |
27 |
Зміщувальні та детекторні діоди |
28 |
Стабілітрон – пристрій, принцип дії, характеристики, параметри |
29 |
Стабістори |
30 |
Тунельні діоди |
31 |
Варікапи |
32 |
Обернені діоди |
33 |
Діоди з різким відновленням зворотного опору |
34 |
Світлодіоди. Фотодіоди |
Таблиця А.2 Перелік теоретичних питань по напівпровідникових транзисторах
№ вар. |
Теоретичне питання |
1 |
Структура і принцип дії БПТ |
2 |
Режим роботи БПТ |
3 |
Явища в БПТ при великих струмах |
4 |
Статичні параметри БПТ |
5 |
Пробій БПТ |
6 |
Статичні характеристики при включенні транзистора по схемі із ЗЕ |
7 |
Статичні характеристики при включенні транзистора по схемі із ЗБ |
8 |
Робота БПТ на малому змінному сигналі |
9 |
Малосигнальні параметри БПТ |
10 |
Еквівалентні схеми БПТ |
11 |
Частотні характеристики БПТ |
12 |
Схеми включення БПТ і їх порівняння |
13 |
Імпульсний режим роботи БПТ при включенні по схемі із ЗБ |
14 |
Імпульсний режим роботи БПТ при включенні по схемі із ЗЕ |
15 |
Структура і принцип дії ПТКП |
16 |
Статичні характеристики ПТКП |
17 |
Еквівалентні схеми ПТКП |
18 |
Частотні властивості ПТКП |
19 |
Основні параметри ПТКП і режими експлуатації |
20 |
Схеми включення ПТКП |
21 |
Сфери застосування польових транзисторів, переваги даного типу транзисторів |
22 |
Транзистори типу IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) – структура, принцип дії |
23 |
Статичні характеристики транзисторів типу IGBT |
24 |
Основні параметри транзисторів типу IGBT |
25 |
Структури МДН транзисторів |
26 |
МДН транзистор з індукованим каналом – структура, принцип дії |
27 |
Вихідні статичні характеристики МДН транзистора з індукованим каналом |
28 |
Характеристики передачі МДН транзистора з індукованим каналом |
29 |
МДН транзистор з вбудованим каналом – структура, принцип дії |
30 |
Вихідні статичні характеристики МДН транзистора з вбудованим каналом |
31 |
Характеристики передачі МДН транзистора з вбудованим каналом |
32 |
Параметри і характеристики МДН транзистора в підсилювальному режимі |
33 |
Параметри і характеристики МДН транзистора в ключовому режимі |
34 |
Порівняння МДН і біполярного транзисторів |
Таблиця А.3 Вхідні дані для розрахунку випрямляючого діода
№вар. |
А, см |
h, мкм |
б,мкм |
Nб, см-3 |
Nе, см-3 |
б, с |
RТ, К/Вт |
1 |
0.1 |
200 |
190 |
1015 |
1018 |
3 |
11 |
2 |
0.1 |
200 |
180 |
2∙1015 |
1018 |
3 |
11 |
3 |
0.1 |
200 |
170 |
4∙1015 |
1018 |
3 |
11 |
4 |
0.1 |
200 |
160 |
6∙1015 |
1018 |
3 |
11 |
5 |
0.1 |
200 |
150 |
8∙1015 |
5∙1018 |
3 |
11 |
6 |
0.1 |
200 |
140 |
1016 |
5∙1018 |
3 |
11 |
7 |
0.1 |
200 |
130 |
2∙1016 |
5∙1018 |
3 |
11 |
8 |
0.1 |
200 |
120 |
4∙1016 |
5∙1018 |
3 |
11 |
9 |
0.5 |
250 |
240 |
3∙1014 |
1018 |
5 |
4 |
10 |
0.5 |
250 |
230 |
2∙1014 |
1018 |
5 |
4 |
11 |
0.5 |
250 |
220 |
4∙1014 |
1018 |
5 |
4 |
12 |
0.5 |
250 |
210 |
6∙1014 |
1018 |
5 |
4 |
13 |
0.5 |
250 |
200 |
8∙1014 |
1019 |
5 |
4 |
14 |
0.5 |
250 |
190 |
1015 |
1019 |
5 |
4 |
15 |
0.5 |
250 |
180 |
2∙1015 |
1019 |
5 |
4 |
16 |
0.5 |
250 |
170 |
4∙1015 |
1019 |
5 |
4 |
17 |
1 |
300 |
280 |
1014 |
1018 |
10 |
1.5 |
18 |
1 |
300 |
270 |
4∙1014 |
1018 |
10 |
1.5 |
19 |
1 |
300 |
260 |
8∙1014 |
5∙1018 |
10 |
1.5 |
20 |
1 |
300 |
250 |
1015 |
5∙1018 |
10 |
1.5 |
21 |
1 |
300 |
240 |
4∙1015 |
2∙1019 |
10 |
1.5 |
22 |
1 |
300 |
230 |
8∙1015 |
2∙1019 |
10 |
1.5 |
23 |
1 |
300 |
220 |
1016 |
1019 |
10 |
1.5 |
24 |
1 |
300 |
210 |
4∙1016 |
1019 |
10 |
1.5 |
25 |
1 |
300 |
200 |
6∙1016 |
1019 |
5 |
1.5 |
26 |
1 |
300 |
200 |
1017 |
1019 |
5 |
1.5 |
27 |
1 |
320 |
240 |
2∙1016 |
6∙1018 |
7 |
2 |
28 |
1 |
320 |
210 |
6∙1016 |
8∙1018 |
7 |
2 |
29 |
0.75 |
320 |
200 |
1015 |
1018 |
3 |
1.5 |
30 |
0.75 |
320 |
190 |
2∙1015 |
1018 |
3 |
1.5 |
31 |
0.75 |
320 |
180 |
4∙1015 |
1018 |
3 |
1.5 |
32 |
0.75 |
320 |
170 |
6∙1015 |
1018 |
3 |
1.5 |
33 |
0.75 |
320 |
160 |
8∙1015 |
5∙1018 |
5 |
1.5 |
34 |
0.75 |
320 |
150 |
2∙1016 |
5∙1018 |
5 |
1.5 |
Таблиця А.4 Вхідні дані для розрахунку біполярного транзистора
№ вар. |
h, мкм |
yк , мкм |
zк, мкм |
hк , мкм |
yе, мкм |
zе, мкм |
hе , мкм |
hб, мкм |
б0, мкм |
|
1 |
2 |
3 |
4 |
5 |
6 |
7 |
8 |
9 |
1 |
250 |
140 |
1000 |
20 |
20 |
1000 |
10 |
12 |
2 |
2 |
250 |
140 |
1000 |
20 |
20 |
1000 |
10 |
13 |
3 |
3 |
250 |
140 |
1000 |
20 |
20 |
1000 |
10 |
14 |
4 |
4 |
250 |
140 |
1000 |
20 |
20 |
1000 |
10 |
14 |
4 |
5 |
250 |
140 |
1000 |
20 |
20 |
1000 |
5 |
7 |
2 |
6 |
250 |
140 |
1000 |
20 |
20 |
1000 |
5 |
8 |
3 |
7 |
250 |
140 |
1000 |
20 |
20 |
1000 |
5 |
8 |
3 |
8 |
250 |
140 |
1000 |
20 |
20 |
1000 |
5 |
7 |
2 |
9 |
200 |
200 |
1500 |
20 |
60 |
1500 |
5 |
6 |
1 |
10 |
200 |
200 |
1500 |
20 |
60 |
1500 |
5 |
7 |
2 |
11 |
200 |
200 |
1500 |
20 |
60 |
1500 |
5 |
8 |
3 |
12 |
200 |
200 |
1500 |
20 |
60 |
1500 |
5 |
9 |
4 |
13 |
200 |
200 |
1500 |
20 |
60 |
1500 |
5 |
10 |
3 |
14 |
200 |
200 |
1500 |
20 |
60 |
1500 |
5 |
11 |
2 |
Продовження таблиці А.4
№ вар. |
Nподл, см-3 |
Nк, см-3 |
Nб, см-3 |
Nе, см-3 |
б, с |
к, с |
е, с |
RТ, К/Вт |
|
10 |
11 |
12 |
13 |
14 |
15 |
16 |
17 |
1 |
1019 |
1016 |
1016 |
1020 |
16∙10-9 |
9∙10-9 |
9∙10-9 |
50 |
2 |
1019 |
1016 |
2∙1016 |
1020 |
16∙10-9 |
9∙10-9 |
9∙10-9 |
50 |
3 |
1019 |
1016 |
3∙1016 |
1020 |
16∙10-9 |
9∙10-9 |
9∙10-9 |
50 |
4 |
1019 |
1016 |
4∙1016 |
1020 |
16∙10-9 |
9∙10-9 |
9∙10-9 |
50 |
5 |
1019 |
1015 |
1016 |
1019 |
16∙10-9 |
9∙10-9 |
9∙10-9 |
50 |
6 |
1019 |
1015 |
2∙1016 |
1019 |
16∙10-9 |
9∙10-9 |
9∙10-9 |
50 |
7 |
1019 |
1015 |
3∙1016 |
1019 |
16∙10-9 |
9∙10-9 |
9∙10-9 |
45 |
8 |
1019 |
1015 |
4∙1016 |
1019 |
16∙10-9 |
9∙10-9 |
9∙10-9 |
45 |
9 |
1019 |
5∙1015 |
5∙1016 |
5∙1019 |
16∙10-9 |
9∙10-9 |
9∙10-9 |
45 |
10 |
1019 |
5∙1015 |
5∙1016 |
5∙1019 |
16∙10-9 |
9∙10-9 |
9∙10-9 |
45 |
11 |
1019 |
5∙1015 |
5∙1016 |
5∙1019 |
16∙10-9 |
9∙10-9 |
9∙10-9 |
45 |
12 |
1019 |
5∙1015 |
5∙1015 |
5∙1019 |
16∙10-9 |
9∙10-9 |
9∙10-9 |
45 |
13 |
1019 |
1016 |
5∙1015 |
1020 |
16∙10-9 |
9∙10-9 |
9∙10-9 |
45 |
14 |
1019 |
1016 |
5∙1015 |
1020 |
16∙10-9 |
9∙10-9 |
9∙10-9 |
45 |
Таблиця А.5 Вхідні дані для розрахунку польового транзистора
з керуючим p-n-переходом
№ вар. |
Zk , мкм |
dk , мкм |
Lk , мкм |
Lв , мкм |
Lc , мкм |
hз , мкм |
Nak , см-3 |
Nдз , см-3 |
Rт , К/Вт |
|
1 |
2 |
3 |
4 |
5 |
6 |
7 |
8 |
9 |
15 |
3000 |
2.5 |
10 |
10 |
10 |
4 |
9∙1015 |
1017 |
50 |
16 |
4000 |
4 |
11 |
11 |
11 |
5 |
1015 |
2∙1017 |
40 |
17 |
4000 |
4.5 |
12 |
12 |
12 |
5 |
2∙1015 |
3∙1015 |
40 |
18 |
4000 |
2 |
13 |
12 |
12 |
5 |
8∙1015 |
4∙1015 |
40 |
19 |
4000 |
2.5 |
14 |
12 |
12 |
5 |
7∙1015 |
5∙1015 |
40 |
20 |
4000 |
3 |
15 |
12 |
12 |
5 |
5∙1015 |
6∙1015 |
40 |
21 |
5000 |
4 |
6 |
6 |
6 |
3 |
6∙1015 |
1018 |
30 |
22 |
5000 |
2 |
7 |
7 |
7 |
3 |
7∙1015 |
2∙1018 |
30 |
23 |
5000 |
3 |
8 |
7 |
7 |
3 |
8∙1015 |
3∙1018 |
30 |
24 |
5000 |
4 |
9 |
9 |
9 |
3 |
9∙1015 |
4∙1018 |
30 |
Таблиця А.6 Вхідні дані для розрахунку МДН-транзистора
№ вар. |
Zk , мкм |
d , мкм |
Lk , мкм |
Lв , мкм |
Lc , мкм |
hв , мкм |
hc , мкм |
Na , см-3 |
Nпов , см-3 |
Nп , см-3 |
Rт , К/Вт |
|
1 |
2 |
3 |
4 |
5 |
6 |
7 |
8 |
9 |
10 |
11 |
25 |
500 |
0.1 |
4 |
5 |
5 |
3 |
3 |
3∙1016 |
2∙1011 |
1018 |
55 |
26 |
500 |
0.2 |
5 |
6 |
6 |
3 |
3 |
8∙1015 |
2∙1010 |
2∙1018 |
50 |
27 |
500 |
0.3 |
6 |
7 |
7 |
3 |
3 |
9∙1015 |
8∙1010 |
4∙1018 |
55 |
28 |
500 |
0.4 |
7 |
8 |
8 |
3 |
3 |
1016 |
2∙1010 |
6∙1018 |
55 |
29 |
500 |
0.5 |
8 |
9 |
9 |
3 |
3 |
5∙1016 |
3∙1011 |
8∙1018 |
55 |
30 |
500 |
0.6 |
9 |
10 |
10 |
3 |
3 |
6∙1015 |
1011 |
1018 |
55 |
31 |
500 |
0.7 |
10 |
11 |
11 |
3 |
3 |
7∙1015 |
7∙1010 |
2∙1018 |
55 |
32 |
1000 |
0.09 |
4 |
5 |
5 |
5 |
5 |
8∙1015 |
2∙1010 |
4∙1018 |
45 |
33 |
1000 |
0.08 |
5 |
6 |
6 |
5 |
5 |
2∙1016 |
1011 |
6∙1018 |
45 |
34 |
1000 |
0.07 |
6 |
7 |
7 |
5 |
5 |
1016 |
2.5∙1010 |
8∙1018 |
45 |
