Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
Elka.doc
Скачиваний:
24
Добавлен:
21.11.2019
Размер:
1 Мб
Скачать
☆

Список використаних джерел

  1. Переверзев А.В., Переверзева О.В. Твердотельная электроника: Методические указания к курсовому проектированию для студентов специальности 7.090803 „Электронные системы”. – Запорожье: ЗГИА, 2002. – 34с.

  2. Пасынков В.В., Чиркин Л.К. Полупроводниковые приборы: Учебник для вузов. – М.: Высшая школа, 1987. – 479 с.

  3. Тугов Н.М., Глебов Б.А., Чарыков Н.А. Полупроводниковые приборы. – М.: Энергоатомиздат, 1990. – 576с.

  4. Полупроводниковые приборы: Транзисторы. Справочник (Под редакцией Н.Н. Горюнова). – М.: Энергоатомиздат, 1982. – 904с.

  5. Спиридонов Н.С. Основы теории транзисторов. – К.: Техника, 1975. – 395с.

  6. Крутякова М.Г., Чарыков Н.А. Полупроводниковые приборы и основы их проектирования. – М.: Радио и связь, 1983.

  7. Степаненко В.А. Основы теории транзисторов и транзиторных схем. – М.: Энергия, 1977.

  8. Бочаров Л.Н. Полевые транзисторы. – М.: Радио и связь, 1984.

Додаток а

Таблиця А.1 Перелік теоретичних питань по напівпровідникових діодах

№

вар.

Теоретичне питання

1

Енергетичні зони напівпровідників

2

Генерація і рекомбінація носіїв заряду

3

Власні напівпровідники

4

Домішкові напівпровідники

5

Дрейф носіїв заряду

6

Дифузія носіїв заряду

7

Температурні залежності рухливості носіїв і питомої провідності

8

Температурні залежності концентрації носіїв заряду і положення рівня Фермі

9

Ефект тунелювання носіїв заряду

10

Утворення електронно-діркового переходу і його енергетичні діаграми

11

Потенційний бар'єр і контактна різниця потенціалів

12

Бар'єрна ємкість електронно-діркового переходу

13

Напівпровідниковий діод. Структура і основні елементи

14

Пряме включення діода

15

Зворотнє включення діода

16

Параметри діода і їх фізичний сенс

17

Лавинний пробій – визначення і механізм виникнення

18

Тунельний пробій

19

Тепловий пробій

20

Поверхневий пробій

21

Процеси в діодах при малих напрузі і струмах

22

Процеси в діодах при великих напрузі і струмах

23

Електричні властивості кремнієвих і германієвих діодів

24

Електричні властивості селенових випрямлячів

25

Імпульсні діоди

26

Діоди Шотки

27

Зміщувальні та детекторні діоди

28

Стабілітрон – пристрій, принцип дії, характеристики, параметри

29

Стабістори

30

Тунельні діоди

31

Варікапи

32

Обернені діоди

33

Діоди з різким відновленням зворотного опору

34

Світлодіоди. Фотодіоди

Таблиця А.2 Перелік теоретичних питань по напівпровідникових транзисторах

№

вар.

Теоретичне питання

1

Структура і принцип дії БПТ

2

Режим роботи БПТ

3

Явища в БПТ при великих струмах

4

Статичні параметри БПТ

5

Пробій БПТ

6

Статичні характеристики при включенні транзистора по схемі із ЗЕ

7

Статичні характеристики при включенні транзистора по схемі із ЗБ

8

Робота БПТ на малому змінному сигналі

9

Малосигнальні параметри БПТ

10

Еквівалентні схеми БПТ

11

Частотні характеристики БПТ

12

Схеми включення БПТ і їх порівняння

13

Імпульсний режим роботи БПТ при включенні по схемі із ЗБ

14

Імпульсний режим роботи БПТ при включенні по схемі із ЗЕ

15

Структура і принцип дії ПТКП

16

Статичні характеристики ПТКП

17

Еквівалентні схеми ПТКП

18

Частотні властивості ПТКП

19

Основні параметри ПТКП і режими експлуатації

20

Схеми включення ПТКП

21

Сфери застосування польових транзисторів, переваги даного типу транзисторів

22

Транзистори типу IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) – структура, принцип дії

23

Статичні характеристики транзисторів типу IGBT

24

Основні параметри транзисторів типу IGBT

25

Структури МДН транзисторів

26

МДН транзистор з індукованим каналом – структура, принцип дії

27

Вихідні статичні характеристики МДН транзистора з індукованим каналом

28

Характеристики передачі МДН транзистора з індукованим каналом

29

МДН транзистор з вбудованим каналом – структура, принцип дії

30

Вихідні статичні характеристики МДН транзистора з вбудованим каналом

31

Характеристики передачі МДН транзистора з вбудованим каналом

32

Параметри і характеристики МДН транзистора в підсилювальному режимі

33

Параметри і характеристики МДН транзистора в ключовому режимі

34

Порівняння МДН і біполярного транзисторів

Таблиця А.3 Вхідні дані для розрахунку випрямляючого діода

№вар.

А, см

h, мкм

б,мкм

Nб, см-3

Nе, см-3

б, с

RТ, К/Вт

1

0.1

200

190

1015

1018

3

11

2

0.1

200

180

2∙1015

1018

3

11

3

0.1

200

170

4∙1015

1018

3

11

4

0.1

200

160

6∙1015

1018

3

11

5

0.1

200

150

8∙1015

5∙1018

3

11

6

0.1

200

140

1016

5∙1018

3

11

7

0.1

200

130

2∙1016

5∙1018

3

11

8

0.1

200

120

4∙1016

5∙1018

3

11

9

0.5

250

240

3∙1014

1018

5

4

10

0.5

250

230

2∙1014

1018

5

4

11

0.5

250

220

4∙1014

1018

5

4

12

0.5

250

210

6∙1014

1018

5

4

13

0.5

250

200

8∙1014

1019

5

4

14

0.5

250

190

1015

1019

5

4

15

0.5

250

180

2∙1015

1019

5

4

16

0.5

250

170

4∙1015

1019

5

4

17

1

300

280

1014

1018

10

1.5

18

1

300

270

4∙1014

1018

10

1.5

19

1

300

260

8∙1014

5∙1018

10

1.5

20

1

300

250

1015

5∙1018

10

1.5

21

1

300

240

4∙1015

2∙1019

10

1.5

22

1

300

230

8∙1015

2∙1019

10

1.5

23

1

300

220

1016

1019

10

1.5

24

1

300

210

4∙1016

1019

10

1.5

25

1

300

200

6∙1016

1019

5

1.5

26

1

300

200

1017

1019

5

1.5

27

1

320

240

2∙1016

6∙1018

7

2

28

1

320

210

6∙1016

8∙1018

7

2

29

0.75

320

200

1015

1018

3

1.5

30

0.75

320

190

2∙1015

1018

3

1.5

31

0.75

320

180

4∙1015

1018

3

1.5

32

0.75

320

170

6∙1015

1018

3

1.5

33

0.75

320

160

8∙1015

5∙1018

5

1.5

34

0.75

320

150

2∙1016

5∙1018

5

1.5

Таблиця А.4 Вхідні дані для розрахунку біполярного транзистора

№

вар.

h,

мкм

yк ,

мкм

zк,

мкм

hк , мкм

yе, мкм

zе, мкм

hе , мкм

hб, мкм

б0, мкм

1

2

3

4

5

6

7

8

9

1

250

140

1000

20

20

1000

10

12

2

2

250

140

1000

20

20

1000

10

13

3

3

250

140

1000

20

20

1000

10

14

4

4

250

140

1000

20

20

1000

10

14

4

5

250

140

1000

20

20

1000

5

7

2

6

250

140

1000

20

20

1000

5

8

3

7

250

140

1000

20

20

1000

5

8

3

8

250

140

1000

20

20

1000

5

7

2

9

200

200

1500

20

60

1500

5

6

1

10

200

200

1500

20

60

1500

5

7

2

11

200

200

1500

20

60

1500

5

8

3

12

200

200

1500

20

60

1500

5

9

4

13

200

200

1500

20

60

1500

5

10

3

14

200

200

1500

20

60

1500

5

11

2

Продовження таблиці А.4

№

вар.

Nподл, см-3

Nк, см-3

Nб, см-3

Nе, см-3

б, с

к, с

е, с

RТ, К/Вт

10

11

12

13

14

15

16

17

1

1019

1016

1016

1020

16∙10-9

9∙10-9

9∙10-9

50

2

1019

1016

2∙1016

1020

16∙10-9

9∙10-9

9∙10-9

50

3

1019

1016

3∙1016

1020

16∙10-9

9∙10-9

9∙10-9

50

4

1019

1016

4∙1016

1020

16∙10-9

9∙10-9

9∙10-9

50

5

1019

1015

1016

1019

16∙10-9

9∙10-9

9∙10-9

50

6

1019

1015

2∙1016

1019

16∙10-9

9∙10-9

9∙10-9

50

7

1019

1015

3∙1016

1019

16∙10-9

9∙10-9

9∙10-9

45

8

1019

1015

4∙1016

1019

16∙10-9

9∙10-9

9∙10-9

45

9

1019

5∙1015

5∙1016

5∙1019

16∙10-9

9∙10-9

9∙10-9

45

10

1019

5∙1015

5∙1016

5∙1019

16∙10-9

9∙10-9

9∙10-9

45

11

1019

5∙1015

5∙1016

5∙1019

16∙10-9

9∙10-9

9∙10-9

45

12

1019

5∙1015

5∙1015

5∙1019

16∙10-9

9∙10-9

9∙10-9

45

13

1019

1016

5∙1015

1020

16∙10-9

9∙10-9

9∙10-9

45

14

1019

1016

5∙1015

1020

16∙10-9

9∙10-9

9∙10-9

45

Таблиця А.5 Вхідні дані для розрахунку польового транзистора

з керуючим p-n-переходом

№ вар.

Zk ,

мкм

dk , мкм

Lk ,

мкм

Lв , мкм

Lc ,

мкм

hз , мкм

Nak ,

см-3

Nдз ,

см-3

Rт , К/Вт

1

2

3

4

5

6

7

8

9

15

3000

2.5

10

10

10

4

9∙1015

1017

50

16

4000

4

11

11

11

5

1015

2∙1017

40

17

4000

4.5

12

12

12

5

2∙1015

3∙1015

40

18

4000

2

13

12

12

5

8∙1015

4∙1015

40

19

4000

2.5

14

12

12

5

7∙1015

5∙1015

40

20

4000

3

15

12

12

5

5∙1015

6∙1015

40

21

5000

4

6

6

6

3

6∙1015

1018

30

22

5000

2

7

7

7

3

7∙1015

2∙1018

30

23

5000

3

8

7

7

3

8∙1015

3∙1018

30

24

5000

4

9

9

9

3

9∙1015

4∙1018

30

Таблиця А.6 Вхідні дані для розрахунку МДН-транзистора

№ вар.

Zk ,

мкм

d ,

мкм

Lk ,

мкм

Lв , мкм

Lc ,

мкм

hв ,

мкм

hc ,

мкм

Na ,

см-3

Nпов ,

см-3

Nп ,

см-3

Rт , К/Вт

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

25

500

0.1

4

5

5

3

3

3∙1016

2∙1011

1018

55

26

500

0.2

5

6

6

3

3

8∙1015

2∙1010

2∙1018

50

27

500

0.3

6

7

7

3

3

9∙1015

8∙1010

4∙1018

55

28

500

0.4

7

8

8

3

3

1016

2∙1010

6∙1018

55

29

500

0.5

8

9

9

3

3

5∙1016

3∙1011

8∙1018

55

30

500

0.6

9

10

10

3

3

6∙1015

1011

1018

55

31

500

0.7

10

11

11

3

3

7∙1015

7∙1010

2∙1018

55

32

1000

0.09

4

5

5

5

5

8∙1015

2∙1010

4∙1018

45

33

1000

0.08

5

6

6

5

5

2∙1016

1011

6∙1018

45

34

1000

0.07

6

7

7

5

5

1016

2.5∙1010

8∙1018

45

Соседние файлы в предмете [НЕСОРТИРОВАННОЕ]