3. Определение малосигнальных параметров транзистора

По семейству входных и выходных характеристик найдем H-параметры:

- входное сопротивление, измеряемое при коротком замыкании на выходе транзистора.

- коэффициент передачи по току, измеряемый при коротком замыкании на выходе транзистора.

- выходная проводимость, измеряемая

при холостом ходе на выходе транзистора.

Для всех типов биполярных транзисторов H_12э=3×10^-4 – коэффициент обратной связи, измеряемый при холостом ходе на входе транзистора.

Для повышения точности расчетов приращения ∆I_к , ∆I_б, ∆U_бэ, ∆U_кэ берем симметрично относительно рабочей точки.

4. Расчет параметров элементов эквивалентной схемы замещения транзистора Для биполярного транзистора задана схема Джиаколлето – физическая малосигнальная высокочастотная схема замещения транзистора.

Рис 4. Физическая малосигнальная высокочастотная схема замещения транзистора

1. Барьерная ёмкость коллекторного перехода:

2. Выходное сопротивление транзистора:

3. Сопротивление коллекторного перехода:

4. Сопротивление эмиттерного перехода для эмиттерного тока:

5. Сопротивление эмиттерного перехода для базового тока:

6. Распределение сопротивления базы:

7. Диффузионная ёмкость эмиттерного перехода:

8. Собственная постоянная времени транзистора:

9. Крутизна транзистора:

5. Граничные и предельные частоты биполярного транзистора

• Предельная частота в схеме с ОБ:

• Граничная частота усиления транзистора в схеме с ОЭ:

• Предельная частота в схеме с ОЭ:

• М аксимальная частота генерации:

• Предельная частота транзистора по крутизне:

6. Определение сопротивления транзистора по переменному току

Сопротивление нагрузки по переменному току для биполярного транзистора рассчитывается по формуле:

Для построения нагрузочной прямой по переменному току воспользуемся двумя точками:

• при

• при

Рис 5. Нагрузочная прямая по переменному току

7. Построение сквозной характеристики

Для построения сквозной характеристики воспользуемся нагрузочной прямой по переменному току и выходными характеристиками.

Iб, мА	0	0,02	0,04	0,06	0,08	0,1
Iк, мА	0,2	0,7	1,6	2,3	3	4
Uбэ, В	0,48	0,53	0,56	0,58	0,61	0,63

Рис 6. Сквозная характеристика транзистора