- •Тема 1. Твердое тело. Кристаллическая решетка. Симметрия и классификация кристаллов. Дефекты в кристаллах.
- •1.1.Твердое тело (конденсированное состояние).
- •1.2. Типы связей в твердом теле. Природа сил взаимодействия в твердом теле. Кристалл.
- •1.3. Геометрия кристаллической решетки. Трансляция. Элементарная ячейка. Элементы симметрии.
- •1.4. Классы симметрии. Решетка Браве.
- •1 .5. Классификация кристаллов по типу связей.
- •1.6.Символические обозначения плоскостей и направлений в кристаллах. Индексы Миллера.
- •1.7. Дефекты в кристаллах.
- •Вопросы для повторения:
- •Резюме по теме:
- •12.1.4. Типы самостоятельного разряда.
- •12.2. Понятие о плазме.
- •12.3. Электрический ток в вакууме.
- •12.3.1. Вакуум. Термоэлектронная эмиссия.
- •12.3.2. Электронные лампы.
- •12.4. Электронные пучки. Электронно-лучевая трубка.
- •Вопросы для повторения:
- •Резюме:
- •Приложение Приложение n 1.
- •Приложение n 2.
- •Тема 2. Элементы зонной теории твердого тела. Цели и задачи изучения темы:
- •Глоссарий
- •2.1. Взгляд на строение атома и твердого тела с позиций квантовой механики. Элементы зонной теории. Энергия ферми.
- •2.2.Четыре типа энергетических (зонных) диаграмм твердого тела.
- •3.2.Собственные и примесные полупроводники. Носители заряда в полупроводниках.
- •3.3. Энергия Ферми.
- •3.4. Генерация и рекомбинация носителей зарядов.
- •3.5. Собственная проводимость полупроводника. Уровень Ферми в собственном полупроводнике. Эффективная масса носителей заряда.
- •3.6. Примесные полупроводники.
- •3.6.1. Примесные уровни.
- •3.6.2. Примесная проводимость полупроводников.
- •3.6.3. Полупроводник р-типа.
- •3.6.4. Сильно легированный полупроводник. Роль беспорядка в кристалле.
- •3.7. Температурная зависимость проводимости примесных полупроводников
- •3.8. Дрейфовый и диффузионный токи в полупроводнике.
- •Вопросы для повторения:
- •Резюме по теме:
- •Тема 4. Свойства электронов. Работа выхода электро-нов. Движение электронов в электрических и магнитных полях.
- •4.1. Свойства электронов.
- •4.2. Работа выхода электронов и влияние адсорбционных слоев на работу выхода.
- •4.2.1. Работа выхода электронов
- •4.2.2. Влияние адсорбционных слоев на работу выхода.
- •4.3. Движение электронов в электрических и магнитных полях.
- •4.3.1. Электрон в электрическом поле.
- •4.3.2. Электрон в магнитном поле.
- •Вопросы для повторения:
- •Резюме:
- •Тема 5. Электронный газ в проводнике. Вырожденный и невырожденный электронный газ. Электропроводность чистых металлов и спла-вов. Электропроводность полупроводников в сильных электрических полях.
- •5.1. Равновесное состояние электронного газа в проводнике в отсутствие электрического поля.
- •5.2. Электропроводность невырожденного и вырожденного газов.
- •5.2.1. Невырожденный газ.
- •5.2.2. Вырожденный газ.
- •5.3. Зависимость подвижности носителей заряда от темпера-туры.
- •5.3.1. Область высоких температур.
- •5.3.2. Область низких температур.
- •5.4. Электропроводность чистых металлов.
- •5.4.1. Проводимость электронных металлов.
- •5.5. Электропроводность металлических сплавов.
- •5.6. Электропроводность полупроводников в сильных электрических полях. Эффект Ганна.
- •Вопросы для повторения:
- •Резюме:
- •Тема 6. Эффект Холла.
- •6.1. Эффект Холла.
- •6.1.1. Эффект Холла в полупроводнике.
- •6.1.2. Эффект Холла в полупроводниках с двумя типами носи-телей заряда.
- •Вопросы для повторения:
- •7.1.2. Толщина двойного электрического слоя, возникающего в месте контакта двух металлов.
- •7.2.Контакт электронного и дырочного полупроводников (p–n переход).
- •Вопросы для повторения:
- •Резюме:
- •Тема 8. Свойства p-n перехода.
- •8.2. Свойства p-n перехода при наличии внешнего напряжения.
- •8.3. Обратное включение p-n перехода.
- •8.4. Вольтамперная характеристика p-n перехода.
- •8.5. Температурные и частотные свойства p-n перехода.
- •8.6. Туннельный эффект.
- •Вопросы для повторения:
- •Резюме:
- •Тема 9. Контакт металл – полупроводник. Гетеропереходы. Поверхностные явления в полупроводнике.
- •9.1. Контакт металл– полупроводник. Переход Шоттки.
- •9.2. Поверхностные явления в полупроводниках.
- •9.3. Гетеропереходы.
- •9.3.1. Идеальный р-n переход
- •9.3.3. Омический переход.
- •Вопросы для повторения:
- •Резюме:
- •Тема 10. Оптические и фотоэлектрические явления в полупроводниках.
- •10.1. Фотопроводимость в полупроводниках.
- •10.2. Фоторезистивный эффект.
- •10.3. Фотоэффект в р-п переходе.
- •10.4.Электромагнитное излучение в полупроводниках.
- •10.5. Лазеры.
- •10.6. Конструкция и изготовление инжекционных лазеров.
- •10.7. Основные характеристики и параметры лазеров.
- •Вопросы для повторения:
- •Резюме:
- •Тема 11. Термоэлектрические явления.
- •11.1. Термоэлектрические явления.
- •11.1.1. Эффект Зеебека.
- •11.1.2. Эффект Пельтье.
- •11.1.3. Эффект Томсона.
- •11.2. Применение термоэлектричества.
- •11.2.1. Применение металлических термобатарей и термопар.
- •11.2.2. Полупроводниковые термоэлектрические приборы.
- •11.2.3. Холодильники и тепловые насосы.
- •11.2.4. Термоэлектрическое охлаждающее устройство (тоу).
- •11.2.5. Использование принципа полупроводникового теплового насоса.
- •Вопросы для повторения:
- •12.1.2. Несамостоятельный разряд.
- •12.1.3. Самостоятельный разряд.
1.3. Геометрия кристаллической решетки. Трансляция. Элементарная ячейка. Элементы симметрии.
К
ристалл
имеет прерывистую периодическую
структуру. С геомет-рической точки
зрения
такую структуру можно создать с помощью
операции параллельного смещения, которая
называется трансляцией.
Переместим
(рис. 1.3.1) неко-торую точку р0
вдоль
прямой на расстояние
а
в
положение р1.
Затем на такое же расстояние в положение
р2
и т.д. С помощью
трансляции а
(где
а
–
вектор) получается ряд точек. Если точки
представляют собой центры
атомов, то получится одномерная цепочка
атомов. Трансляция а
представлена
вектором,
имеющим опреде-ленное направление и
численное значение, равное а,
называемое
периодом
трансляции.
С
помощью вектора, а
можно
осуществить множество параллельных
перемещений – 2а;
За
и
т.д., в общем случае т∙а
трансляций,
из которых а
- наименьшая.
Если точку ро подвергнуть действию одновременно двух трансляций а и b, то в результате получится плоская сетка (рис. 1.3.2). Положение любой точки на этой сетке определяется векторной суммой mа+nb, где т и п - целые числа, включая нуль. Если же подвергнуть точку ро одновременному действию трех трансляций а,b,с, то получится пространственная решетка, а положение любой точки будет определяться комбинацией перемещений ma+nb+pc .
Комбинация трех векторов а,b,с называется трансляционной группой. Параллелепипед, образованный векторами а,b,с, называется элементарной ячейкой. В каждой плоскости, проходящей через любые три точки пространственной решетки, атомы образуют правильную плоскую сетку. Наиболее плотно заселенные плоскости являются плоскостями спайности.
Благодаря периодически повторяющемуся расположению атомов, кристалл обладает определенной симметрией. Свойство симметрии кристалла (или любой другой фигуры) заключается в том, что в результате некоторых мысленных операций система частиц кристалла (любая система точек) совмещается сама с собой и переходит в положение, неотличимое от исходного.
Элементами симметрии являются:
•плоскость симметрии,
•ось симметрии,
•центр симметрии
•зеркально-поворотная ось симметрии.
Любую симметрию кристалла удобно представить как совокупность отдельных элементов симметрии, каждому из которых соответствует какая-
нибудь из упомянутых операций.
Ось симметрии (рис.1.3.3). Если кристалл обладает осью симметрии (поворотной осью), то он может быть совмещен сам с собой, т.е. приведен в положение неотличимое от исходного, путем поворота на некоторый угол вокруг этой оси. В зависимости от симметрии кристалла величина угла поворота, необходимого для совмещения кристалла с самим собой, может составлять 360, 180, 120, 90, 60 градусов. (2п / п, где n = 1, 2, 3, 4 или 6). В соответствии с этим ось симметрии называют осью первого, второго, третьего, четвертого или шестого порядка. Других осей симметрии не существует. Это связано с тем, что по определению при повороте кристалл должен совместиться сам с собой, т.е. пространство должно быть заполнено без промежутков. А из геометрии известно, что плоскость можно заполнить лишь треугольниками, параллелограммами и шестиугольниками, а пространство - телами, грани которых представлены этими фигурами.
Плоскость симметрии (рис.1.3.4). Если одна половина кристалла совмещается с другой при отражении в некоторой плоскости, как в зеркале, то такая плоскость называется плоскостью симмет-рии. Например, для прямоугольника плос-костями симметрии являются плоскости 1-1 и 2-2. Части фигуры по обе стороны этих плоскостей являются зеркальным отраже-нием друг друга. Но плоскость 3-3, также делящая фигуру пополам, не является плоскостью симметрии, так как отражение в ней одной половины не совпадает с изображением другой.
Центр симметрии. Если в кристалле существует точка, обладающая тем свойством, что при замене радиуса-вектора r, любой из частиц, составляющих кристалл на обратный ему вектор -r, кристалл переходит в
состояние, неотличимое от исходного, то эта точка называется центром симметрии или центром инверсии.
Поворотно-зеркальная ось (рис.1.3.5). К этому элементу симметрии приводит одновременное применение двух операций: поворота вокруг оси и зеркального отражения в плоскости, перпендикулярной оси. Это значит, что кристалл обладает поворотно-зеркальной осью симметрии, если его можно совместить с самим собой, повернув на некоторый угол вокруг оси и отразив затем в плоскости, перпендикулярной к этой оси. Если угол поворота, равен 2π /n , то п определяет порядок поворотно-зеркальной оси.
Симметрия любого кристалла может быть описана с помощью перечисленных четырех элементов симметрии. Причем перечисленные элементы симметрии могут в кристаллах по-разному комбинироваться.
