- •Кристаллография
- •Рентгеновские спектры
- •Факторы интенсивности
- •Характеристики рентгеновских отражений
- •Методы рентгеноструктурного анализа
- •Количественный ФазАн
- •Качественный ФазАн
- •Исследование текстуры
- •Исследование микронапряжений и блоков
- •Исследование типов твердого раствора и построение границы р-сти
- •Электронография
- •Электронная микроскопия
- •Зондовая микроскопия
Исследование текстуры
Что такое прямая полюсная фигура.
ППФ – это гономостереографическая проекция плоскостей определенной совокупности {hkl} на заданную плоскость.
Какая текстура называется аксиальной текстурой?
Аксиальная текстура является простейшим типом текстуры и характеризуется тем, что определенные кристаллографические равноценные направления типа <uvw>, называемые осью текстуры, во всех зернах параллельны некоторому внешнему направлению (оси ориентировки). Таким образом, зерна материала с осевой структурой занимают в пространстве такие ориентировки, которые получались бы вращением одного кристалла вокруг оси текстуры.
Как выглядит прямая полюсная фигура образца с аксиальной текстурой, в том случае, если ось текстуры параллельна оси проекций?
ППФ образца с аксиальной текстурой изображается в виде параллелей если ось текстуры параллельна оси проекций.
Как выглядит прямая полюсная фигура образца с аксиальной текстурой, в том случае, если ось текстуры перпендикулярна оси проекций?
???????
На рисунке показаа прямая полюсная фигура {100} исследуемого образца. Как будет выглядеть его обратная полюсная фигура?
???????
На рисунке показана прямая полюсная фигура {100} исследуемого образца. Как будет выглядеть прямая полюсная фигура {110} этого же образца?
Построить прямую полюсную фигуру образца с текстурой {100} <011>.
???????
Построить обратную полюсную фигуру образца с текстурой {100} <011>.
???????
Каким образом исследователь фиксирует {hkl} при экспериментальном посроении прямой полюсной фигуры.
?????
Исследование микронапряжений и блоков
Как узнать, каковы причины уширения линий на рентгенограмме.
Мерой уширения является величина β (общее уширение), которая может меняться по закону косинусов, либо по закону тангенсов. В том случае, когда эта величина меняется по закону косинусов, то причиной уширения является дисперсность кристалла. Если же, эта величина меняется по закону тангенсов, то причиной уширения является наличие дислокаций.
Обнаружено, что в процессе термообработки ширина линии увеличилась в 2 раза. Как изменилась плотность дислокаций в материале, если считать, что уширение связано с изменением плотности дислокаций?
Бом-бом-бом. хз как делать.
Обнаружено, что в процессе термообработки ширина линии увеличилась в 2 раза. Как изменились размеры блоков в материале, если считать, что уширение связано с изменением блочности?
D=(K*λ)/(β*cosθ).
Уменьшится в 2 раза.
Физическое уширение линии {400} Ni (a=3.52A), на излучении Сu K=1.54A) снятого составляет 0,5 градуса. Оцените физическое уширение линии {200}, считая что оно связано с блоками.
????
Физическое уширение линии {200} Ni (a=3.52A), на излучении Сu K=1.54A) снятого составляет 0,1 градуса. Оцените физическое уширение линии {400}, считая, что оно связано с хаотически распределенными дислокациями.
????
В чем отличие дефектов 1-го и 2-го класса по классификации Криоглаза.
Дефекты 1 класса не вызывают уширения линий, но приводят (в общем случае) к смещению линий, изменению их интегральной интенсивности и появлению диффузионного рассеяния.
Дефекты 2 класса приводят к исчезновению брэгговских составляющих на дифракционных картинах. Распределение интенсивности рассеяния становится плавным и даже в пределах бесконечного кристалла не может быть разбито на линии и фон.
В чем отличие влияния дефектов 1-го и 2-го класса по классификации Криоглаза на вид дебаеграммы.
Для чего используется эталон в задачах, связанных с анализом уширения рентгеновских линий.
Можно определить геометрическое (инструментальное) уширение, сняв дифрактограмму от эталона, в котором отсутствуют источники физического уширения. Такой эталон получают, отжигая образец при температуре, несколько превышающей температуру рекристаллизации.
Каковы требования к эталону в задачах, связанных с анализом уширения рентгеновских линий.
В качестве эталона выбирают хорошо окристаллизованное высокосимметричное вещество, заведомо не имеющее каких-либо искажений и дефектов структуры, или исследуемое вещество, отожженное при температуре рекристаллизации и снятия напряжений.
