- •Общая хар-ка процесса конструкторского проектирования эвм и систем. Понятие конструкции эвм. Конструкторская документация.
- •Общие принципы и этапы конструкторского проектир эвм.
- •Сист подход к технологии производства эвм.
- •Системный подход к конструированию эвм
- •Мат модель конструкции эвм и систем.
- •Конструирование эвм с учетом надежности. Основные показатели надежности эвм.
- •Методика расчета надежности невосстан и восстан эвм.
- •Оценка показателей надежн эвм как слож объекта. Надежность типовых конструкций эвм.
- •Тепловые расчеты конструкций эвм. Теплообмен в эвм. Способы переноса тепловой эн.
- •Повыш надежности эвм резервированием.
- •Определение теплового сопротивления типовой конструкции эвм. Принципы суперпозиции температурных полей и местного влияния.
- •Математические модели объектов схемно-топологического конструирования. Модель схемы в виде неориентированного мультиграфа.
- •Представление схемы гиперграфом и ультраграфом при моделировании объектов схемно-топологического конструирования.
- •Математические модели монтажного пространства типовых конструкций эвм.
- •Компоновка типовых элементов конструкций эвм. Постановка задачи. Критерии оптимизации и ограничения.
- •Последовательные и итерац алгоритмы разрезания схем при решении задач компоновки
- •Алгоритмы решения задачи покрытия и смешанные алгоритмы компоновки типовых констр эвм.
- •Постановка задачи размещ при конструир типовых элементов эвм. Критерии оптимизации
- •Последовательные алгоритмы размещения конструктивных элементов. Улучшение размещения перестановкой модулей.
- •Общая постановка задачи трассировки монтажа. Трасс проводного и печатного монтажа.
- •Производственный и технологический процессы, их структура, виды и типы организаций.
- •Технологич подготовка произвдства ес тпп.
- •Технологические системы и особенности их организации. Методы оптимизации.
- •Технология полупроводниковых имс. Группы технологич. Процессов.
- •Фотолитграфия при производстве микросхем.
- •Диффузионно-планарная структура п/п имс.
- •Технология гибридных пленочных микросх. Основные понятия и определения.
- •Требования к кремниевым пластинам при производстве имс.
- •Тонкоплен технология при производстве гис.
- •Толстопленочная технол при произв гис.
- •Сборка микросх.Операции, предшеств сборке.
Повыш надежности эвм резервированием.
При разраб комп сист расчетные знач показателей надежности сравнивают с установл в ТЗ.
Если они < заданных, то необх меры по их повышению.
Один из способов – структ резервир.
Структурное – один из способов обеспеч устан в ТЗ показателей надежн. Осущ путем введения избыточности элементов. Осн соединение функц эл ЭВМ имеет след структ схему: рис5
Различают два вида резервирования: общее; раздельное.
При общем резервируют всю ЭВМ в целом, при раздельном – отдельные эл.
Если основные и резервные элементы имеют равные вер безотк раб, то вер отказов всей сист при общем резервировании определяется одноврем отказом основной и S-резервных цепей.
Вер отказа для основной цепи:
Qосн(t)=1-П Pi(t)
Для всей системы вер отказа:
Qсист(t)=Qщсн(t) П qj(t)
Зная, что Qосн(t)=qj(t) получим, что Qсист(t)=[1-П Pi(t)]^(s+1)
Переходя от вер отказа к вер безотк работы, получим: Робщ(t)= 1- Qc(t)
S-число систем резервирования. В случае поэлементарного резервирования:
Pпоэл(t)= П {1-[1-Pi(t)]^(si+1)}
Si - колво резервных цепей для i-го эл.
Практически задача сводится к использованию 3х указанных схем или к их комбинациям. Есть нагруженный резерв, когда элементы наход в том же сост, как и осн, ненагруженный.
Тепловые расчеты конструкций эвм. Теплообмен в эвм. Способы переноса тепловой эн.
Теплообмен в ЭВМ
Ув плотности упак и скор переключения элементной базы приводит к росту удельной мощности рассеивания. Значит часть - потребляемая активн эл электриче энерг - превращ в тепл, что приводит к повышению темп конструкции. =>, одно колебание темпер приводит к измен размеров детали, в деталях пластмасс расчет электропроводности (1-ой утечки), в магн материалах индуктивность насыщения в сердечниках. В полупроводн приборах измен плотности и подвижности I, измен сопрот резисторов.
Будем рассм только стац тепловой режим, т.е такой, когда t=const по вр.
Эл-ты ЭВМ, выделяющие тепловую энергию, наз источн, а поглощ ее - стоками. Этот процесс наз теплообменом (3 спос кондукции или теплопроводность, естеств и принудит конвенция, излуч). Тепловой режим конструкции ЭВМ зависит от след факторов:
*температура окруж среды. *мощности истоков и стоков тепл энергии. *мощности системы охлаждения. *условий теплообмена.
Тепловой режим наз нормальной, если t элементов конструкции < допустимой ПТЗ.
Способы переноса тепловой энергии
В общем случае перенос энергии Фi от поверхности с t Qj описываются следующим соотношением:
Qi-Qj=Fij Фi и Qi-Qj=Fji Фi
где разница Qi-Qj – температурный напор
Fij–коэфф пропорциональности (темп коэфф).
Структура коэфф Fij зависит от способа переноса тепл энергии.
Кондуктивный перенос
Это перенос теплоты посредством взаимод между молекулами тела или соприкасающихся тел. Если t – разная, то возникает поток теплоты, направленный в сторону меньшей t. Если между поверхностями j и i отсут стоки и ист тепловой энергии, то Fij наз тепловым сопрот Rij, а велна обратная наз тепловой проводимостью ij.
Эл конструкции ЭВМ могут иметь разную форму:
Конвективный теплообмен
Перенос теплоты связан с движ жидкой или газообр среды, соприкасающейся с твердым телом (Элементом конструкции). Наз естественной, если осущ при свободном движении среды, за счет разности плотности холодной и горячей области, и принудит, движение среды происходит под действием внешних сил.
Если между поверхности i и j нет источников и стоков тепловой энергии, то
Rij=1/(kij*Si) , где
Kij- коэфф теплопередачи в прослойке
Si – площадь поверхности.
Рассмотрим естест конвенцию в неогран простр здесь: 1.теплообмен неогран цилиндра (навесные проводники) 2.теплообмен плоскостей и цилиндрических стенок (между корпусом ЭВМ и окружающей средой)
Вынужденная конвенция в неогран пространстве:
1.движ среды вдоль плоскостей или цилиндрических стенок. 2.поперечное обтекание элементов конструкции.
Теплообмен излучением
Тепловая энергия излуч электромагнитными волнами в инфра – красном диапазоне длин. Теплообмен зависит от “черноты” тела, размеров, взаимной ориентации тел.
