1. Пуск асинхронного двигателя. Схема прямого пуска.

При пуске ротор двигателя, преодолевая момент нагрузки и момеит инерции, разгоняется от частоты вращения n=0 до п. Скольжение при этом меняется от s_n = l до s. При пуске должны выполняться два основных требования: вращающий момент должен быть больше момента сопротивления и пусковой ток I_n должен быть по возможности небольшим.

В зависимости от конструкции ротора (короткозамкнутый или фазный), мощности двигателя, характера нагрузки возможны различные способы пуска: прямой' пуск, пуск с использованием дополнительных сопротивлений, пуск при пониженном напряжении и др.

Схема прямого пуска

2. Потери в асинхронном двигателе. Коэффициент мощности.

Мощность потерь, нагревающих машину, складывается из мощности электрических, магнитных и ме­ханических потерь. Электрические потери ∆Рэ возникают в обмотках статора и ротора, т.е. ∆Р_Э=∆Р_Э1+∆Р_Э2 (здесь ∆Р_Э1-потери в обмотке статора и ∆Р_Э2 —потери в обмотке ротора) Магнитные потери в магнитопроводе ∆Р_М1 возни­кают за счет явлений гистерезиса и вихревых токов в статоре ∆Р_М1 и в роторе ∆Р_М2 , т. е. ∆Р_М =∆Р_М1+∆Р_М2 . Потери механические вызваны силами трения в подшипниках, в скользящем контакте на кольцах, о воздушную среду ∆Р_МЕХ .

Коэффициент мощности. Кроме активной мощности P₁, двигатель потребляет реактивную мощность Q₁ ,необходимую для образования вращающего магнитного поля. Коэффициент мощности при синусоидальном токе

cos ψ₁=P₁/S= P₁/ =1/ .

При холостом ходе cos ψ₁ имеет малое значение ( примерно 0,1), так как активная мощность расходуется только на относительно небольшие потери в статоре и небольшие механические потери, а реактивная мощность имеет постоянное значение, так как магнитный поток постоянен.

ЭЛЕКТРОНИКА.

1. P-n переход. Вольт-амперная характеристика.

В зоне метал-го контакта полупр-ков различной проводимости образ-ся обл-ть, называемая p-n переходом.

П роцесс соединения дырок и электронов наз-ся рекомбинацией. В рез-те диффузии дырки и электрона через зону метал-го контакта проникают в обл-ти, где они не явл-ся осн.носителями и рекомбинируют. В рез-те чего вблизи зоны метал-го контакта образ-ся обл-ть, бедная носителями зарядов, называющаяся запирающим слоем.

Электронно-дырочный переход. Электронно-дырочным переходом называют тонкий слой между двумя частями полупроводникового кристалла, в котором одна часть имеет электронную, а другая — дырочную электропроводность. Одна часть этого перехода легирована донорной примесью и имеет электронную проводимость (N-область). Другая часть, легированная акцепторной примесью, имеет дырочную проводимость (Р-область). Концентрация электронов в одной части и концентрация дырок в другой существенно различаются.

Электроны в N-области стремятся проникнуть в Р-область, где концентрация электронов значительно ниже. Аналогично, дырки из Р-области перемещаются в N-область. В результате встречного движения противоположных зарядов возникает диффузионный ток. Электроны и дырки, перейдя через границу раздела, оставляют после себя противоположные заряды, которые препятствуют дальнейшему прохождению диффузионного тока. В результате на границе устанавливается динамическое равновесие и при замыкании N- и Р-областей ток в цепи не протекает.

Вольт-амперная характеристика p-n-перехода представляет собой зависимость тока через переход при изменении на нем значения и полярности приложенного напряжения. Если приложенное напряжение снижает потенциальный барьер, то оно называется прямым, а если повышает его – обратным.

2. Полупроводниковые резисторы. Классификация. Обозначение в схемах. Основные свойства. Применение.

Полупроводниковый резистор — полупроводниковый прибор с двумя выводами, в котором используется зависимость электрического сопротивления полупроводника от напряжения. В полупроводниковых резисторах применяют полупроводник, равномерно легированный примесями. В зависимости от типа примесей удаётся получить различные зависимости сопротивления от напряжения.

Первые две группы полупроводниковых резисторов в соответствии с этой классификацией - линейные резисторы и варисторы - имеют электрические характеристики, слабо зависящие от внешних факторов: температуры окружающей среды, вибрации, влажности, освещенности и др. Для остальных групп полупроводниковых резисторов, наоборот, характерна сильная зависимость их электрических характеристик от внешних факторов. Так, характеристики терморезисторов существенно зависят от температуры, характеристики тензорезисторов - от механических напряжений.

Варисторы используются для защиты от перенапряжений, в стабилизаторах и ограничителях напряжения, в различных схемах автоматики. Терморезисторы (термисторы и позисторы) применяют для температурной стабилизации режима транзисторных усилителей, а также в различных устройствах измерения, контроля и автоматики (измерения контроля и автоматического регулирования температуры, температурной и пожарной сигнализации и др.). Назначение тензорезисторов - измерение давлений и деформаций. Фоторезисторы применяют для регистрации света. Линейные резисторы нашли широкое применение в интегральных микросхемах.