20. Входные и выходные характеристики транзисторов при различных схемах включения.

1. С Общей Базой (ОБ).

Входные и выходные характеристики:

2. С Общим Эмитером (ОЭ).

Входные и выходные характеристики. 3. С Общим Коллектором (ОК). Такие же, как и для схемы с ОЭ.

21. Фоторезисторы. Схемы включения.

Фоторезистор представляет собой полупроводниковый резистор, сопротивление которого изменяется под действием излучения. Принцип устройства фоторезистора поясняется на рис.4.1,а. На диэлектрическую пластинку 1 нанесен тонкий слой полупроводника 2 с контактами 3 по краям. Схема включения фоторезистора приведена на рис.4.1,б. Полярность источника питания не играет роли. Если облучения нет, то фоторезистор имеет некоторое большое сопротивление RT, называемое темновым. Оно является одним из параметров фоторезистора и составляет 10^4 - 10^7 Ом. Соответствующий ток через фоторезистор называется темновым током. При действии излучения с достаточной энергией фотонов на фоторезистор в нем происходит генерация пар подвижных носителей заряда (электронов и дырок) и его сопротивление уменьшается. Для фоторезисторов применяются различные полупроводники, имеющие нужные свойства. Так, например, сернистый свинец наиболее чувствителен к инфракрасным, а сернистый кадмий – к видимым лучам.

22. Емкости транзистора. Частотные характеристики транзистора.

23. Представление транзистора в виде четырехполюсника и системы статистических параметров.

На практике чаще пользуются внешними параметрами, которые можно получить,

если VT рассматривать как активный линейный четырехполюсник, т.е. как электрическую

схему, имеющую два входных и два выходных зажима (полюса, рис.19).

Активным называется четырехполюсник, способный усиливать сигналы по

мощности за счет энергии источника питания. Для того, чтобы VT можно было считать

линейным четырехполюсником, амплитуды переменных напряжений, приложенных к

VTу, должны быть достаточно малы, т.е. выходные параметры связывают входные и

выходные переменные токи и напряжения и справедливы только для данного режима VT

и для малых амплитуд. Поэтому их называют низкочастотными малосигнальными

параметрами. Вследствие нелинейности VT вторичные параметры изменяются при

изменении его режима и при больших амплитудах.

Z-параметры.

Если выбрать в качестве независимых переменных i1 и i2, то можно записать

уравнения:

Эта система параметров носит название системы Z-параметров. Двузначные

индексы при коэффициентах показывают, какую пару величин связывает данный

параметр. Например, параметр Z12 связывает между собой u1 и i2, параметр Z21 – u2 и i1 и т.д. При этом первая цифра индекса относится к зависимой, а вторая – к независимой

переменной. Под велечинами, обозначаемыми малыми буквами подразумеваются не

абсолютные значения, а их приращения, т.е. u1=ΔU1 Т.о. система описывает, как изменятся зависимые переменные при некотором

изменении независимых переенных. Данные системы называют системами

малосигнальных параметров.

Данные уравнения справедливы для любых значений независимых переменных, в

том числе и для i1=0 и i2=0. Если положить i2=0 (холостой ход на выходе

четырехполюсника, т.е. зажимы 2-2 разомкнуты для переменного тока), то уравнения

примут вид:

Откуда

- входное сопротивление VT в режиме холостого хода на выходе.

- параметр, характеризующий степень воздействия входного тока на выходное напряжение, т.е. усиливает способность VT.

Если положить i1=0 (холостой ход на входе VT, т.е. зажимы 1-1 разомкнуты для переменного тока), то получим:

- параметр, характеризующий влияние выходного тока на входное

напряжение, т.е. обратную связь в VT .

- выходное сопротивление VT в режиме холостого хода на входе.

Система Z-параметров на практике неудобна тем, что при измерении параметров

Z11 и Z22 необходимо обеспечить на выходе режим холостого хода по переменному току (а для постоянного тока цепь оборвать нельзя, так как необходимо подавать напряжение

питания на К). Для этого в цепь К необходимо включить индуктивность, сопротивление

которого для переменного тока звуковой частоты было бы много больше выходного

сопротивления VTа. Это условие трудно выполнить, поскольку выходное сопротивление

VTа очень велико. Поэтому система Z-параметров не нашла широкого применения на практике. Y-параметры.

Если в качестве переменных принять u1 и u2, то получим систему y-параметров,

имеющих размерность проводимости:

При u2=0 (КЗ на выходе) получим:

В системе y-параметров для измерения y12 и y22 требуется режим короткого

замыкания на входе VTа, что также трудно практически обеспечить, т.к. входное

сопротивление VT мало и для получения режима короткого замыкания параллельного

входу VTа должен быть включен конденсатор очень большой емкости.

H-параметры.