76. Объясните механизм скольжения винтовой дислокации.

Атомы, находящиеся за плоскостью скольжения АВСD перемещаются под действием касательных напряжений сверху вниз на расстояние, меньше межатомного.

Атомы, находящиеся перед плоскостью скольжения смещаются снизу вверх на расстояние, меньше межатомного. В результате чего происходит смещение дислокации перпендикулярно действию касательных напряжений.

77. Укажите особенности скольжения винтовой дислокации по сравнению с краевой.

При скольжении краевой дислокации экстраплоскость изменяет свое положение в направлении действующих касательных напряжений. Дислокации перемещаются на один период решетки вправо, атомы вне области несовершенства остаются на своих местах. Дислокации перемещаются на один период решетки вследствие передвижения атомов внутри ядра дислокации всего лишь на доли периода решетки.

В области ядра винтовой дислокации атомы смещаются в направлении действующих на них сил, а сама дислокация перемещается перпендикулярна этому направлении.

78. Дайте понятие поперечного скольжения винтовой дислокации.

Винтовая дислокация по сравнению от краевой дислокации может переходить из одной атомной плоскости в другую без переноса массы скольжением. Если на пути движения в плоскости Р встречается какой – то барьер, то дислокация начинается скользить в другой атомной плоскости R, находящейся под углом к первоначальной плоскости скольжения Р. Этот процесс наз-ют поперечным скольжением.

79. Укажите, в каком направлении по отношению к касательному напряжению скользит винтовая дислокация.

Винтовая дислокация скользит перпендикулярно к приложенному касательному напряжению. ВС – линия дислокации. ВС перемещается перпендикулярна τ.

80. Объясните, какое поле напряжений образуется вокруг линии винтовой дислокации.

Вследствие образования дислокаций кристаллическая решетка упруго деформируется и вокруг дислокации создается поле упругих напряжений.

Поле напряжений вокруг линии винтовой дислокации – симметрично относительно линии дислокации, т.к. атомы расположены на одинаковом расстоянии от ядра дислокации.

Поля напряжений, создаваемые дислокациями, убывают обратно пропорционально расстоянию от дислокации.

81. Объясните, чем отличается линия смешанной дислокации от винтовой и краевой дислокации.

Краевая и винтовая дислокация - это границы м/у сдвинутой и не сдвинутой частями кристалла. Линия краевой дислокации перпендикулярна вектору сдвига, линия винтовой дислокации параллельна вектору сдвига. Линия смешанной дислокации это более сложная криволинейная граница причём в ней присутствуют компоненты и краевой и винтовой дислокации.

82. Объясните, может ли скользить смешанная дислокация.

Если линия дислокации и вектор сдвига находятся в плоскости скольжения, то смешанная дислокация скользит таким образом, что ее участки, имеющие краевую ориентацию перемещаются в направлении приложенного τ, а участки, имеющие винтовую ориентацию перемещаются перпендикулярно τ таща за собой линию дислокации, соединяющую эти участки.