- •3. Объясните, что происходит с вакансиями при отжиге.
- •8. Объясните, почему аморфные в-ва рассматривают как переохлажденные жидкости.
- •9. Перечислите основные св-ва кристаллических тел, связанные с их строением, и дайте их опр-ия.
- •23. Объясните, почему в гексагональной сингонии используют четырех индексовую систему.
- •24. Укажите, какие индексы можно менять в семействе структурно-эквивалентных плоскостей в гексагональной ячейке.
- •29. Объясните, почему третий по порядку индекс плоскости (направления) в гексагональной ячейки можно не писать.
- •30. Дайте опр-ие механизма переползания краевой дислокации.
- •31. Объясните, какое поле напряжения образуется вокруг линии винтовой дислокации.
- •32. Укажите, как делятся дефекты кристаллической решетки по геометрическим признакам.
- •40. Объясните, с чем связана основная доля энергии образования точечного дефекта.
- •41. Запишите формулу, по которой рассчитывают изменение свободной энергии в кристалле при введение вакансий.
- •42. Объясните, почему невозможно точно рассчитать равновесную концентрацию точечных дефектов.
- •44. Дайте понятие энергии активации миграции точечных дефектов.
- •45. Объясните механизм миграций гантельной конфигурации межузельного атома в гцк решетке.
- •46. Укажите, с помощью какого механизма мигрируют атомы примесей замещения, внедрения.
- •67. Объясните, почему переползание относят к диффузионному процессу.
- •74. Укажите отличие положительной и отрицательной краевой дислокации.
- •76. Объясните механизм скольжения винтовой дислокации.
- •77. Укажите особенности скольжения винтовой дислокации по сравнению с краевой.
- •78. Дайте понятие поперечного скольжения винтовой дислокации.
- •79. Укажите, в каком направлении по отношению к касательному напряжению скользит винтовая дислокация.
- •81. Объясните, чем отличается линия смешанной дислокации от винтовой и краевой дислокации.
- •82. Объясните, может ли скользить смешанная дислокация.
- •83. Опишите механизм введения в кристалл призматической дислокации.
- •84. Объясните возможности перемещения призматической дислокации.
- •91. Объясните, что такое линейное натяжение дислокации и по какой формуле его рассчитывают.
- •93. Объясните, от чего зависит упругое взаимодействие краевых дислокаций.
- •94. Объясните причину упругости конфигурации, которую наз-ют дислокационной стенкой.
- •95. Рассмотрите взаимодействие краевых дислокаций разного знака, когда они вплотную подходят друг другу; когда находятся в соседних плоскостях скольжения, разделенных одним межатомным расстоянием.
- •96. Опишите, как взаимодействуют винтовые дислокации между собой.
83. Опишите механизм введения в кристалл призматической дислокации.
Если дислокационная петля меняет форму многоугольника, то поверхность скольжения представляет собой боковую поверхность призмы, называется призматическим скольжением, а соответственно дислокацию с краевой ориентацией по всей ее длине – призматическая дислокация. Она появляется при формировании внутри кристалла атомной электроплоскости в виде многоугольника или круглого диска. Это наблюдается при ядерном облучении металлов.
84. Объясните возможности перемещения призматической дислокации.
Вектор сдвига, создавшего призматическую дислокацию, не лежит в плоскости дислокационной петли, дислокация не может скользить в этой плоскости. Такая дислокация может скользить лишь по поверхности, содержащей и дислокационную линию, и вектор сдвига. Если дислокационная петля призматической дислокации имеет форму многоугольника, то поверхностью скольжения будет боковая поверхность призмы. Такой вид перемещения призматической дислокации называют призматическим скольжением.
85. Объясните, что такое вектор Бюргерса.
Является мерой искаженности кристаллической решетки обусловленной присутствием в ней дислокации. Он опр-ет энергию дислокации, действующие на дислокацию силы, величину связанного с дислокацией сдвига, влияет на подвижность дислокации.
86.Обьясните, что такое контур Бюргерса.
Контуром Бюргерса называется замкнутый контур произвольной формы, построенный в реальном кристалле путем последовательного обхода дефекта от атома к атому в совершенной области кристалла. Его строят, чтобы оценить степень искаженности решетки, вызванной дислокацией, где следует сравнить несовершенный кристалл, содержащий дислокацию, с совершенным кристаллом.
87. Укажите расположение вектора Бюргерса относительно линии краевой и винтовой дислокаций.
Вектор Бюргерса нормален к линии краевой дислокации и параллелен линии винтовой дислокации.
88. Запишите, чему равна мощность вектора Бюргерса.
89. Дайте опр-ие плотности дислокации и запишите размерность.
Основная хар-ка дислакационной структуры металлов – плотность дислокации, под которой понимается суммарная длина всех линий дислокаций в единице объема (см-2) ρ=Σl/V
Т.к. суммарная длина дислокаций Σl имеет размерность см, а объем – см-3, то у ρ получается размерность см -2
90. Укажите от каких факторов зависит энергия дислокаций.
Энергия дислокации зависит от:
- расстояние R, на которое от нее распространяется упругая деформация. Максимальное значение R ограничено размерами кристалла.
- вектора Бюргерса, характеризующего степень искаженности решетки.
- модуля сдвига, являющегося хар-ой сил межатомных связей. Чем он больше, тем сильнее межатомные силы сопротивляются смещениям атомов, т.е. больше накапливается упругая энергия искажений решетки.
- длины дислокации. Увеличение длины приводит к росту упругой энергии, поэтому линия дислокации ведет себя как упругая нить, всегда стремящаяся выпрямиться, чтобы сократить свою длину.
91. Объясните, что такое линейное натяжение дислокации и по какой формуле его рассчитывают.
Энергию дислокации, приходящуюся на единицу ее длины, наз-ют линейным натяжением дислокации.
Сила линейного натяжения направлена вдоль линии дислокации.
Т = α∙G∙b2 α = 0,5-1,0
где b - вектор Бюргерса;
G – модуль сдвига.
92. Объясните, почему дислокации являются термодинамически неравновесными дефектами.
При введении дислокации в кристалл повышается свободная энергия кристалла при любых t-ах и поэтому являются термодинамически неравновесными дефектами.