Способы хранения информации Биполярная технология:

1. Нихромовая перемычка между вертикальными и горизонтальными проводами, которые удаляются при программировании.

Достоинства:

используется в средах с повышенной ионизацией.

Недостатки:

• нихромовая перемычка может оказкться толстой и можно разрушить кристалл;

• испарившийся нихром никуда не девается, нихромовая перемычка может восстанавливаться и её сопротивление становиться достаточно хорошо.

2. Поликремниевые соединения Используется связь, основанная на монокристалле. При прогроммировании кристалл разрушается.

Достоинства:

• по надёжности уступают только массочным ПЗУ;

• при программировании не возникает проблем с записью информации.

Недостатки:

• самый дорогой способ;

• при пропускании тока розрушается полупроводник микросхемы; разрушается кристаллическая структура и это разрушение необратимо.

3. Коротко – замкнутый p – n переход

Недостатки:

• p – n переход может восстановить свои свойства (вместо нуля единица);

• можно разорвать связь вовсе.

МОП технология:

• лавинная инжекция зарядов в МОП структуре;

• микросхемы имеют ограниченный срок хранения;

• микросхема программируется программатором с помощью тока;

• подключение к программатору через генератор тока.

Программирование микросхемы

Условия программирования:

1. Подать такой ток, чтобы перемычка испарилась полностью;

2. Чтобы разрушение перемычки было необратимо;

3. Чтобы не разрушился кристалл.

Схему генератора тока выполняют ключи.

При расчёте ключа нужно рассчитать R2 (Епр - известно).

1. U=const пока ток нагрузки не достигнет какой – то величины. Это участок малых токов.

2. Активный участок.

3. Работа на К3

Подаём 0, открывается VT1, ток течёт в нагрузку Iпр, если напряжение на R1= 0,7В, открывается VT2, течёт ток (2), уменьшается мок через базу, VT1 закрывается. Ток в нагрузку задаётся R1. Смысл- если нагрузка потребляет больше 350 мА, то напряжение падает(т.е. на выходе постоянно поддерживается ток 350 мА, если нагрузка не требует больше).

При программировании диод закрыт. При контроле: если 1- диод закрыт, считывается 1; при 0 – считывается 0.

Временные диаграммы программирования

Скважность 5. Если скважность 1 – микросхема греется и потребляется 8 Вт, при скважности 5 – 8/5 Вт Скважность – это отношение периода к длительности импульса.

Первый импульс – перемычка холодная;

Второй импульс – перемычка разогрелась, и т.д. В момент паузы происходит перераспределение тепла.

Режимы программирования.

1. Нормальный – для записи;

2. Дополнительный – с нормальной длительно-стью, амплитудой, но суммарное время программирования меньше;

3. Форсированный – увеличивают ток программирования(если не удаётся запрограммировать в нормальном режиме) или увеличивают длительность программирующих импульсов, либо и то и другое.

После программирования производят термо-ренировку – работа микросхемы при критических условиях окружающей среды. Она длится несколько суток.

Одна микросхема потребляет 1 Вт, если в модуле 30 микросхем, то надо 30 Вт. Поэтому предусмотрели динамическое питание – питается только та микросхема, к которой обратились.

Модуль располагается сначала памяти и занимает 4 кБ. Потребляемая мощность ~ скважности.

Недостатки:

• динамическое питание нельзя использовать с МОП структурами, т.к. там наблюдается эффект теристора (в нормальном состоянии он закрыт, если подать открывающий потенциал, то открыт, пока течёт ток).

• Время выборки увеличивается в 2 раза.

• Динамическое питание нельзя использовать для оперативной памяти(при включении питания вся информация разрушается).

Особенность динамического питания – выбор микросхемы с помощью сигнала Ucc.

ПЗУ с ультрафиолетовым стиранием.

Микросхемы только на МОП структуре, используется эффект лавинной инжекции.

Нитрид кремния способен захватывать и удержи-вать отрицательный заряд. При записи: на затвор увеличивается напряжение относительно подложки, отрицательный заряд из подложки переходит в канал и транзистор проводит электрический ток истока в сток.

Электроны из канала попадают в слой нитрида кремния, как только в нём накапливается достаточно зарядов, он выполняет эффект экрана.

Полностью стёртая микросхема содержит “1”, при записи – “0”. При записи происходит смещение кривой вправо, с течением времени информация забывается. Заряд, который находится в области нитрида кремния, теряется. Эффект туннелирования – заряд проходит через запрещённую зону, если получит квант энергии. Если электрону сообщить меньше энергии, чем надо, то эффект перехода не состоится.