Стирание информации
В корпусе есть специальное окно из кварцевого стекла, которое пропускает ультрафиолет.
Если микросхему облучить ультрафиолетовым светом, то происходит эффект туннелирования и заряд переходит. Длительность стирания зависит от длины волны ;
= 270А. Используются только МОП структура, биполярные структуры требуют наличие базового тока. Если информация разрушилась, то её можно восстановить, при помощи чтения при пониженном питании.
Программирование микросхемы.
Серьёзные требования к длительности фронта и спада. tи~50мс(т.е. микросхема с одного импульса не программировалась и надо было повторять эту операцию 50 раз).
R1=20 Ом
R2=39 Ом
C1= 1,2 пФ
В токовом ключе мы ограничиваем протекающий ток, в потенциальном – нет.
R1,R2,C1 необходимы для формирования длительности фронта и спада, если нет серьёзных требований, то R1,R2,C1 не используют.
Микросхемы можно программировать байтами, т.к. потребляемая мощность ~ 0,6Вт, скважность близка к 1.
Современные микросхемы (программирование)
Модуль памяти с возможностью записи информации
Vmod = 64KБ
Vmc =32k x 8
Адресное пространство – 1МБ
Начальный адрес С000
Время доступа при чтении – 100-150 нс
Время доступа при записи – 50мс
Микропроцессор читает столько, сколько считает нужным. Если идёт запись, то формируем сигнал READY.
Недостаток: микропроцессор может ждать 50 нс.
Модуль с совмещённой шиной AD
FLASH – память.
Имеет две конструкции запоминающего элемента:
Такая, как у EPROM;
