- •Поняття про інформацію
- •Основні переваги цифрової техніки
- •Основні поняття алгебри логіки
- •Базові положення алгебри логіки
- •Способи представлення логічних функцій:
- •Прості логічні функції і, або, не. Логічні елементи
- •Асинхронний rs-тригер
- •Асинхронний rs- тригер на ле і-не
- •Синхронізація
- •Перетворення тригерів
- •Основні поняття
- •Двійкова, вісімкова і шіснадцяткова системи числення
- •Прямий зворотний і доповнений код чисел
- •Спеціальні коди комп'ютерної схемотехніки
- •Визначення і класифікація лічильників
- •Двійкові лічильники
- •Асинхронні лічильники
- •Синхронні лічильники з наскрізним переносом
- •Недвійкові лічильники
- •Imc лічильників
- •Регістри
- •Класифікація регістрів
- •Нагромаджувальні регістри
- •Регістри зсуву
- •Дешифратор
- •Мультиплексори
- •Цифровий компаратор. Призначення. Будова
- •Класифікація запам'ятовуючих пристроїв
- •Будова комірок пам'яті озп
- •Архітектура імс озп
- •Організація матриці динамічної пам'яті
- •Постійні запам'ятовуючі пристрої (пзп)
- •Флеш-пам'ять
- •Програмовані логічні матриці
- •Програмування плм
- •Основні параметри ацп і цап
- •Принцип роботи і основні схеми цифро-аналогового перетворювача
- •Основні принципи аналого-цифрового перетворення
- •Паралельний ацп
- •Балансний ацп
- •Ацп послідовного наближення
- •Інтегруючий ацп
- •Нове покоління ацп
Класифікація запам'ятовуючих пристроїв
В ЕОМ ранніх поколінь типовим і основним елементом пам'яті служило запропоноване Сноєком в 1948 р. феритове осердя. З початку 70-х років в ЕОМ, в першу чергу в надоперативних, а потім і в оперативних ЗП, знайшли широке застосування напівпровідники, з часом напівпровідникові ЗП майже повністю замінили феритові осердя. Останні застосовуються лише в пристроях, що працюють в жорстких радіаційних умовах.
За призначенням запам'ятовуючі пристрої (3П) поділяють на:
- зовнішні ЗП (ЗЗП) з інформаційною ємністю до декількох сотень і тисяч мегабіт;
- оперативні ЗП (ОЗП) з істотно більш високою швидкодією, ніж ЗЗП; з інформаційною ємністю до сотень мільйонів біт:
- надоперативні ЗП (НОЗП) з швидкодією, сумісною з швидкодією процесора, і внаслідок цього звичайно невеликою інформаційною ємністю;
- буферні ЗП (БЗП), що займають проміжне положення між ОЗП і ЗЗП або між ОЗП і НОЗП. Вони використовуються для зберігання інформації при її обміні між пристроями з різною швидкодією.
В більшості випадків ЗП будуються за ієрархічним принципом, при якому організація передачі інформації в межах ЗП проводиться так, що всі разом узяті типи ЗП ЕОМ виступають у вигляді єдиного ЗП.
За способом доступу до даних ЗП розрізняють:
ЗП з довільною вибіркою або скорочено RAM (Random Access Memory), в якому час звернення (час запису і зчитування інформації) не залежить від адреси комірки пам'яті.
ЗП з послідовним доступом, в якому для вибірки числа за конкретною адресою необхідно послідовно проглянути всі адреси, що передують заданій;
ЗП з асоціативним, доступом, в якому пошук інформації відбуваються не за її адресою, а по деякій ознаці самої інформації, що міститься в слові.
За способом використання інформації ЗП підрозділяють на:
ЗП з короткочасним зберіганням оперативної інформації, що часто змінюється (ОЗП) такі ЗП називають енергозалежними; постійні ЗП (ПЗП); програмовані ПЗП (ППЗП).
ПЗП і ПГЇЗП використовуються для зберігання постійної або відносно постійної інформації (програм, констант і т. п). Ці пристрої використовують тільки для зчитування. Відключення живлення в таких ЗП не приводить до втрати інформації, таю ЗП називають енергонезалежними.
За принципом роботи елементів пам'яті ОЗП поділяють на:
-динамічні ОЗП. де для збереження записаної інформації необхідно періодичне проведення процесу регенерації, під час якого відбувається відновлення збереженої інформації;
-статичні ОЗП, де записана інформація зберігається протягом всього часу, поки до них прикладена напруга живлення.
Пам'ять побудована на напівпровідниках з кожним роком покращує свої характеристики завдяки постійному вдосконаленню технології. За останні 20 років степінь інтеграції, тобто щільність упаковки ВІС, що характеризується кількістю транзисторів, розміщених на 1 мм"' кристала, зросла більш ніж на два порядки.
Якщо в 1970 р. на 1 мм розмішувалося близько 50 транзисторів, в 1980 р.- 600, в 1990 р. - до 10000 транзисторів, в 2000р - до 100000.
