- •Электроника
- •Силовая электроника
- •Предисловие
- •Тема 1. Элементная база силовой электроники 25
- •Тема 2. Управление силовыми полупроводниковыми
- •Тема 3. Методы и схемы защиты полупроводниковых
- •Тема 4. Применение мощных полупроводниковых
- •Предисловие
- •Развитие полупроводниковых ключей
- •Тема 1. Элементная база силовой электроники
- •1.1 Транзисторы
- •1.1.1 Основные виды силовых электронных ключей
- •1.1.2. Силовые биполярные транзисторы
- •1.1.3. Мощные мдп-транзисторы
- •1.1.4. Биполярные транзисторы с изолированным затвором (igbt)
- •1.1.5. Статические индукционные транзисторы
- •1.2. Тиристоры
- •1.2.1. Однооперационные тиристоры
- •1.2.2. Запираемые тиристоры
- •1.2.3. Индукционные тиристоры
- •1.2.4. Полевые тиристоры
- •1.2.5. Модули силовых электронных ключей.
- •1.2.6 Элементная база и типовые узлы систем управления
- •1.2.7. Формирователи импульсов управления
- •1.2.8. Микропроцессоры в системах управления
- •Тема 2. Управление силовыми полупроводниковыми
- •2.1. Функции и структура систем управления преобразователями
- •2.2. Основные типы формирователей импульсов управления
- •2.3. Формирователи импульсов управления с совместной передачей энергии и формы управляющего сигнала
- •2.3.1. Трансформаторные фиу биполярных транзисторов
- •2.3.2. Трансформаторные фиу для ключей с изолированным затвором
- •2.3.3. Трансформаторные фиу тиристоров
- •2.4. Формирователи импульсов управления с раздельной передачей питания и информационного сигнала
- •2.4.1. Потенциальная развязка информационного сигнала
- •2.4.2. Драйверы силовых транзисторов
- •2.4.3. Подключение драйверов к входным цепям силовых транзисторов
- •2.4.4. Драйверы тиристоров
- •2.5. Источники питания драйверов
- •Тема 3. Методы и схемы защиты полупроводниковых ключей
- •3.1. Основные виды перегрузок по напряжению и току
- •3.2. Методы защиты от помех
- •3.3. Защитные цепи силовых ключей
- •3.3.1. Цепи формирования траектории рабочей точки транзисторов
- •3.3.2. Защитные цепи тиристорных ключей
- •3.3.3. Защитные цепи силовых модулей
- •3.4. Защита силовых ключей от режимов короткого замыкания
- •3.5. Силовые ключи с интегрированной системой защиты
- •Тема 4. Приминение мощных полупроводниковых ключей в силовых схемах
- •4.1. Основные области применения ключевых приборов
- •4.2. Типовые схемы транзисторных ключей
- •4.2.1. Ключ на биполярном транзисторе
- •4.2.2. Ключ на мощном мдп-транзисторе
- •4.2.3. Ключ на биполярном транзисторе с изолированным затвором
- •4.2.4. Ключ на статическом индукционном транзисторе
- •4.3. Тиристорные ключи
- •4.3.1. Ключ на тиристоре с электростатическим управлением
- •4.3.2. Ключи на тиристорах с регенеративным включением
- •4.3.3. Особенности запирания тиристорных ключей
- •4.4. Применение ключевых транзисторов в схемах электронных балластов
- •4.5. Применение мощных мдп-транзисторов в импульсных источниках питания
- •4.6. Применение мощных ключей в схемах управления электродвигателями переменного тока
- •4.6.1. Основные режимы работы силовых ключей в шим-инверторах для асинхронных электродвигателей
- •4.6.2. Особенности применения igbt в схемах с индуктивной нагрузкой
- •4.6.3. Переключение полевых тиристоров мст в мостовых схемах
- •Заключение
- •Литература
- •Учебное пособие
- •Силовая электроника
2.2. Основные типы формирователей импульсов управления
Ч
асть
системы управления преобразователем,
которая формирует логику входных
сигналов силовых ключей, а затем их
усиливает до требуемых уровней тока и
напряжения, называется формирователем
импульсов управления
(ФИУ). В ФИУ различают информационно-логическую
часть (ИЛЧ) и усилитель управляющих
импульсов (УИ). Источником помех для
системы управления является силовая
часть преобразователя и усилительный
блок ФИУ. Что, создает проблемы в
надежности функционирования системы
управления и может явиться причиной
отказов в ее работе. Мостовая схема, в
которой блок управления имеет
непосредственную связь с силовой шиной
преобразователя (рис.2.6).
При отпирании нижнего ключа (1) на шине силового тока наводится напряжение помехи Ldi/dt, обусловленное паразитной индуктивностью. При этом потенциалы указанных на схеме точек изменяются: фа >фв >фс. Это вызывает следующие проблемы:
Рис. 2.6 |
2. Так как фс < фв, входное напряжение на закрытом ключе (2) возрастает;
3. Так как фа > фс по общей шине системы управления протекает паразитный ток обратной связи, который увеличивается с ростом силового тока и паразитной индуктивности. Это приводит к сбоям в системе управления (в ИЛЧ).
Поэтому в мощных преобразователях осуществляют потенциальную развязку между силовой и управляющей частью. Дополнительной причиной разделения силовых и управляющих цепей является “проблема управления ключами верхнего уровня”, которые не имеют непосредственной связи с общей шиной силовой схемы.
По принципу построения потенциальной развязки ФИУ делятся: (рис. 2.7):
1. ФИУ, использующие передачу импульса управления за счет трансформатора. ФИУ первой группы делятся на схемы, использующие трансформатор напряжения или тока.
2. ФИУ, использующие раздельную передачу энергии и информационного сигнала, определяющего длительность и фазу импульса.
Он классифицируются по типу потенциальной развязки информационной составляющей и способу передачи энергии к схеме усилителя.
Развязка в информационном канале осуществляется либо при помощи высокочастотного трансформатора, либо с использованием оптронов. При высоких напряжениях преобразователя вместо оптронов используют оптоволоконные системы передачи сигналов. Энергия к схеме усилителя подводится либо от питающей сети с помощью низкочастотного трансформатора, либо от изолированного источника постоянного тока, либо схема изолированного источника питания использует энергию из выходной цепи силового ключа (рис. 2.8).
Драйверы для мощных ключей представляют ФИУ с разделением функций импульсов управления и информации по мощности. Драйверы изготавливаются для отдельных ключей и для схем мостовой конфигурации для раздельного управления ключами верхнего и нижнего уровня. Драйверы бывают со встроенными схемами оптронной и высокочастотной трансформаторной изоляции цепей или внешним подключением схем развязки.
Рис. 2.7
Рис. 2.8
