4.10. Лабораторная работа ″Исследование статических характеристик биполярного транзистора″

Цель работы: исследование работы и статических характеристик биполярного транзистора n-p-n-типа в схеме с общей базой и общим эмиттером.

Приборы и принадлежности: испытательный стенд, источники питания; схемы с общей базой и общим эмиттером, включающая в себя биполярный транзистор КТ-808А; измерительные приборы.

1. Общие сведения

В работе исследуются схемы с общей базой ОБ (Рис. 4.6) или эмиттером ОЭ (рис. 4.7) на биполярном транзисторе КТ808А n-p-n-типа. Внешний вид конкретной исследуемой схемы (мнемосхема) представлен на панели исследуемой установки ЭС 4А (ряд переключателей на стенде в работе не используются).

а) б)

Рис. 4.6. Стенд ЭС-4А со схемой ОБ (а) и вид транзистора КТ808А

Рис. 4.7. Стенд ЭС-4А со схемой ОЭ

Наиболее важные статические параметры транзистора приведены в таблице 1. С дополнительными сведениями о статических параметрах и характеристиках транзистора следует ознакомиться в справочниках.

Таблица 1

Параметр	Значение
Обратный ток эмиттера при Uэ = 4В	4 мА
Обратный ток коллектора при Uк= 120 В при 25 оС	3 мА
h21э	50
Iкмакс	10 А
Uкэмакс	120 В

Входные и выходные характеристики транзистора КТ808А (при больших токах) в схеме ОЭ приведены на рис. 4.8.

Рис. 4.8. ВАХ транзистора КТ808А в схеме ОЭ

2. Подготовка к работе

Общие сведения изложены в пособии [2], рекомендованной литературе.

Используя рекомендованные материалы:

– изучите теоретические материалы, представленные в литературе [2];

– выполните необходимые задания контрольной работы;

– зарисуйте структуру транзистора (рис. 4.1);

– зарисуйте схемы включения транзистора и испытаний (рис. 4.2; 4, 4.7);

– используя справочники, опишите маркировку; форму приборов; параметры реальных транзисторов;

– используя справочники, зарисуйте реальные входные и выходные характеристики исследуемого транзистора (рис. 4.3-4.5; 4.6, 4.7);

– подготовьте таблицы.

3. Измерения и обработка результатов

3.1. Исследование схемы с общей базой

3.1.1. Ознакомьтесь с экспериментальной установкой. Уточните, как будут изменяться и измеряться напряжения U_эб, U_кб, какие потенциалы подаются на эмиттер, базу, коллектор и другие параметры.

По разрешению преподавателя включите установку.

3.1.2. Исследование входных характеристик транзистора в схеме об

Задачей является исследование серии входных характеристик, аналогичных представленным на рис. 4.4, а. Обратим внимание, что исследуются характеристики I_э(U_эб) при различных значениях U_кб.

Первоначально установите значение напряжения между коллектором и базой равным U_кб = 0. Изменяя напряжение U_эб между эмиттером и базой от нулевого значения до (примерно) 1 В (не менее 8–10 точек), измеряйте значения токов I_э(U_эб)|_{Uкб = 0} (таблица 1).

Таблица 1

Uкб, В	Uэб, В	Iэ, мА	Iк, мА	Iб, мА
Uкб = ?	0	?	?	?
	?	?	?	?
	…	…	…	…
	?	?	?	?

3.1.3. Установите значение напряжения между коллектором и базой равным U_кб = 10 В. Изменяя напряжение между эмиттером и базой U_эб от нулевого значения до (примерно) 1 В (не менее 8–10 точек), измеряйте значения токов I_э(U_эб)|_{Uкб = 10} (таблица 1).

3.1.4. Установите значение напряжения между коллектором и базой равным U_кб = 15 В. Изменяя напряжение между эмиттером и базой U_эб от нулевого значения до (примерно) 1 В (не менее 8–10 точек), измеряйте значения токов I_э(U_эб)|_{Uкб = 15} (таблица 1).

3.1.5. Постройте и объясните серию входных I_э(U_эб)|_Uкб характеристик (на одном графике).