4. Обробка результатів вимірювань

4.1. Розрахувати струм ГСС при різних положеннях перемикача S2: I_о = U(X6,X8)/RA6.

Порівняти с теоретичним значенням:

- перемикач в положенні 11

,

де U_БЕ = 0,65 В.

- перемикач в положенні 8

.

Струм ГСС – це колекторний струм транзистора VT4. Якщо знехтувати малим базовим струмом транзистора VT4, то . Струм можна змінювати зміною струму . . Якщо , то , тому цей ГСС називають „відбивачем струму”, або „струмовим дзеркалом”, тому що струм віддзеркалює (відбиває) струм . Струм знаходиться відповідно до схеми зображеної на рис.7.4

Рис. 7.4. Пояснення до розрахунку струму ГСС.

Тоді струм ГСС визначиться як .

4.2. Розрахувати значення вхідного струму ДП I_вх = U_R1/R1, використовуючи результати вимірювань за п. 3.4.

4.3. За результатами вимірюваннь за п.п. 3.6, 3.8 розрахувати:

а) коефіцієнти підсилення за напругою

- диференційний (п. 3.6.);

- коефіцієнт впливу синфазного сигналу на диференційну складову вихідного сигналу ;

б) коефіцієнт ослаблення синфазного сигналу ._.

Порівняти отримані значення К_д с теоретичними:

,

де - температурний потенціал.

5.Зміст звіту

5.1.Схема вимірювань.

5.2.Результати вимірювань параметрів диференційного підсилювача:

- струми ГСС (п. 3.1, 4.1);

- напруга зміщення "нуля" U_зм (п. 3.3);

- вихідна напруга паразитного диференційного сигналу U_{вих.д.пар.} (п. 3.2);

- вхідні струми ДП (п. 4.2);

- амплітудна характеристика ДП (п. 3.5);

- коефіцієнти підсилення ДП (п. 3.6, 3.8, 4.3);

- гранична частота підсилення ДП (п. 3.7).

6.Контрольні питання

1. Які переваги диференційного підсилювача в порівнянні з підсилювачем на одному транзисторі?

2. До яких наслідків приводить неідентичність транзисторів VT1 та VT2: , RA1RA5?

3. Пояснити, чому подається саме диференційний сигнал на підсилювач, подаванням вхідного сигналу на гнізда X1 - ?

4. Чому ГСС має бути якнайбільше наближеним до ідеального джерела струму?

5. Пояснити принцип дії ГСС типу „струмового дзеркала”, або „відбивача струму”. Чому ГСС так називається?

6. Що означає коефіцієнт послаблення синфазного сигналу? Які існують шляхи його зменшення?

Список рекомендованої літератури

1. Степаненко И.П. Основы микроэлектроники. Учебн. пособие для вузов / И. П. Степаненко – М.: Сов. Радио, 1980. – 424 с. С.306–318.

2. Аваев Н.А. Основы микроэлектрони­ки. Учебн. пособие для вузов / Н. А. Аваев, Ю. Г. Наумов, В. Т. Фролкин – М.: Радио и связь, 1991. – 286 с. ISBN5-256-000692-4. С.236–243.

Лабораторна робота 8

КОМП’ЮТЕРНЕ МОДЕЛЮВАННЯ ДІОДНОГО КЛЮЧА

1. Мета і зміст роботи

Мета: Розробити схему діодного ключа. Дослідити вплив вибраних компонентів та режиму роботи діода на швидкодію ключа; порівняти імпульсні властивості кремнієвих діодів та діодів Шотткі з допомогою середовища проектування Multisim 10.

Зміст: В роботі досліджується напівпровідниковий діодний ключ в режимах ввімкнення та вимикання, визначається час встановлення переднього фронту вихідного імпульсу t_ввімк та час встановлення заднього фронту t_вимк, за значеннями яких розраховується швидкодія ключа.