- •Часть 1
- •Предисловие
- •1 Развитие полупроводникового электроаппаратостроения
- •1.1 Общая характеристика функциональных свойств полупроводниковых аппаратов
- •1.2 Классификация полупроводниковых аппаратов и предъявляемые к ним требования
- •1.3 Область применения полупроводниковых аппаратов и перспективы их развития
- •2 Характеристики и параметры силовых полупроводниковых приборов
- •2.1 Принцип действия тиристора
- •2.2 Технология и конструкции диодов и тиристоров
- •2.3 Тепловые параметры силовых полупроводниковых приборов
- •2.4 Параметры силовых полупроводниковых приборов по току и напряжению
- •2.5 Характеристики управления
- •2.6 Динамические параметры и характеристики
- •3 Полупроводниковые аппараты низкого напряжения
- •3.1 Общие принципы создания полупроводниковых аппаратов постоянного тока
- •3.2 Быстродействующий тиристорный выключатель постоянного тока
- •3.3 Способы снижения коммутационных перенапряжений в аппаратах
- •3.4 Основные варианты испольнения полупроводниковых аппаратов переменного тока
- •3.5 Тиристорный контактор переменного тока с управлением от анодного напряжения
- •3.6 Комбинированные контактно - полупроводниковые аппараты
- •3.7 Параллельное соединение полупроводниковых приборов в силовых блоках аппаратов
- •4 Полупроводниковые аппараты высокого напряжения
- •4.1 Общая характеристика полупроводниковых аппаратов высокого напряжения
- •4.2 Последовательное соединение полупроводниковых приборов в высоковольтных блоках
- •1, 2, 3 ─ Номера тиристоров; (а) − обратного тока; (б) − от напряжения для тиристоров тд-320
- •1,2,3 ─ Номера тиристоров; (а) − обратного тока;
- •4.3 Комбинированные аппараты на основе воздушных выключателей
- •5 Режимы работы спп в схемах коммутационных и защитных аппаратов
- •5.1 Общая характеристика режимов работы и механизмов отказов спп в схемах полупроводниковых аппаратов
- •6 Системы управления полупроводниковыми аппаратами
- •6.1 Основные требования к системам управления
- •6.2 Принципы импульсного управления
- •6.3 Транзисторные и трансформаторные схемы управления в аппаратах низкого напряжения
- •6.4 Формирователи управляющих импульсов на основе тиристоров
- •6.5 Системы управления тиристорных аппаратов высокого напряжения
- •1− Информационно-логическая часть и выходной каскад формирователя; 2 − световой канал; 3 − преобразователь световых сигналов в электрические
- •Заключение
- •Список литературы
- •Часть 1
- •654007, Г. Новокузнецк, ул. Кирова, 42.
2.6 Динамические параметры и характеристики
Свойства тиристоров при переключении характеризуются динамическими параметрами, которые раскрывают возможности их по быстродействию и по устойчивости к скорости нарастания анодного тока при включении и к скорости приложения напряжения в прямом направлении. Определение временных параметров поясняется на рисунке. 2.11, который иллюстрирует коммутационные процессы в схеме с тиристором при активной нагрузке.
Время включения tg измеряется промежутком времени от момента подачи управляющего импульса до момента времени, который соответствует снижению анодного напряжения на тиристоре до 10% от первоначального значения (рисунок 2.11, а). Условно время включения можно разделить на две составляющие: время задержки tgd и время нарастания tgr, т.е.
tg = tgd + tgr . (2.10)
Времени задержки соответствует промежуток времени, в течение которого анодное напряжение снижается до 90 % от начального значения. В активной цепи за этот промежуток анодный ток нарастает до 10 % от установившегося значения. Время задержки в сильной степени зависит от параметров управляющих сигналов, что видно из приведенных на рисунке 2.12 зависимостей. Уменьшение tgd с увеличением амплитуды и крутизны фронта управляющего импульса на практике используется для сокращений естественного разброса по времени включения отдельных тиристоров при групповом их соединении. Это, в свою очередь, способствует более равномерному распределению тока и напряжения соответственно по параллельно и последовательно соединенным приборам.
Время нарастания, определяемое промежутком времени, за который анодное напряжение на тиристоре снижается с 90 до 10 % от начального значения, в основном зависит от значения коммутируемого тока - растет с увеличением последнего.
Время выключения tq (рисунок 2.11, б) характеризует быстродействие тиристора при переключении его из проводящего в запертое состояние. Оно определяется интервалом времени от момента перехода прямого тока через нуль до момента времени, когда тиристор становится способным вновь выдерживать прикладываемое в прямом направлении напряжение с заданной амплитудой и скоростью нарастания.
Величина tq зависит от ряда факторов: температуры, значения предшествующего коммутации тока, скорости спада прямого тока при подходе к нулевому значению, значений du/dt, амплитуды повторно прикладываемого прямого напряжения и др. Поэтому, приводимые в информационных материалах, относящихся к тиристорам, значения tq оговариваются условиями, при которых производились измерения. Для неспециальных типов тиристоров, как правило, время выключения измеряется при максимальной рабочей температуре, прямом токе, равном предельному, -diA/dt=5 А/мкс, UR=100 В, UD =0,67UП и критической скорости нарастания прямого напряжения (в соответствии с группой по du/dt).
Важной составляющей времени выключения является время запаздывания обратного напряжения (tS, на рисунке 2.11, б). Оно определяется интервалом времени от момента прохождения тока через нулевое значение до момента достижения обратным током амплитудного значения IRm.
Рисунок 2.11 − Временные характеристики тиристора
Процесс восстановления запирающей способности в обратном направлении связан с удалением из базовых областей структуры накопленного к моменту перехода тока через нуль заряда неосновных носителей Qr.
Взаимосвязь между значением заряда восстановления и временем восстановления запирающих свойств прибора в обратном направлении tr устанавливается соотношениями:
и
tr
,
(2.11)
где IRm − амплитуда выброса обратного тока; diT/dt − скорость спада прямого тока при подходе его к нулевому значению.
Рисунок
2.12 − Типовые зависимости времени
включения
(в относительных единицах) от параметров управляющего
импульса для тиристоров средней мощности
Критические значения (diT/dt)crit и (du/dt)crit определяют соответственно максимально допустимую скорость нарастания прямого тока при включении тиристора и скорость приложения напряжения в прямом направлении.
Воздействие скорости нарастания напряжения du/dt на структуру тиристора вызывает тот же эффект, что и ток управления, − способствует переключению структуры в проводящее состояние при U<U(BO). Очевидно, что для реальных коммутирующих устройств превышение допустимой величины (du/dt)crit и может привести к самопроизвольному (аварийному) их включению. В аппаратах переменного тока, где используется встречно-параллельное соединение тиристоров, ограничение du/dt имеет особенно важное значение, так как при каждом коммутационном режиме восстанавливающееся напряжение прикладывается к одному из тиристоров в прямом направлении. Превышение (du/dt)crit в этом случае приводит к утрате аппаратом способности выключаться.
Необходимость ограничения скорости нарастания прямого тока объясняется тем, что переключение структуры в проводящее состояние происходит не одновременно по всей площади. Сначала включается лишь небольшая область, расположенная в непосредственной близости от управляющего электрода. Протекание через эту область больших токов может вызвать локальный перегрев структуры и ее повреждение. С течением времени включенное состояние структуры распространяется по всей площади со скоростью, примерно равной 0,1 мм/мкс, и ограничения по diT/dt снимаются.
