5. Методические указания

5.1. При снятии передаточной характеристики (п. 4.5) используйте ос­циллограф в режиме внешней синхронизации.

5.2. При использовании осциллографа с полосой пропускания усилите­ля вертикального отклонения порядка 10 Мгц необходимо учитывать иска­жения им формы сигналов, наблюдаемых по п. 4.6, растяжение времени на­растания и спада, выбросы и колебательные процессы.

6. Обработка результатов измерений

6.1. По п. 4.2. необходимо объяснить, почему различны входные токи I⁰_вх и I¹_вх, как теоретически определить их значения при "0" и "1" на входе.

6.2. По пункту 4.3 дайте объяснения, от чего зависит напряжение U⁰_вых и U¹_вых. Как влияет нагрузка на выходное напряжение ЛЭ? Меняется ли выходное напряжение при подключении нагрузки к «земле» или к источнику питания?

6.3. По результатам измерений (п. 4.4.) необходимо рассчитать мощ­ность, потребляемую одним ЛЭ в режиме «0» и «1» на выходе.

Отметьте, влияет ли внешняя нагрузка на потребляемую мощность? Оцените, какую мощность будет потреблять интегральная схема, содержащая 40-50 ЛЭ подобного типа? Можно ли в одной микросхеме разместить 500 ЛЭ подобного типа?

6.4. По полученным значениям времени задержки ЛЭ (п. 4.6.) и форме импульсов на экране осциллографа определите время нарастания t^0,1_зад и спа­да импульсов t^1,0_зад. Какое время больше, нарастания или спада, и почему?

7. Содержание отчёта

Отчет должен содержать:

7.1. Схему ЛЭ ТТЛ, его условное обозначение и принцип работы, таб­лицу логических состояний на входе и выходе.

7.2. Результаты, полученные при выполнении задания по п.п. 4.1…4.6 и их обработки по п.п. 6.1…6.4.

7.3. Выводы, соответствуют ли полученные характеристики паспорт­ным данным на ЛЭ КТ155ЛАЗ.

8. Вопросы для домашней подготовки

8.1. Объясните логику работы ЛЭ 2И-НЕ на основе таблицы истин­ности и временную диаграмму, рис. 1, б.

8.2. Как работает логический элемент при различных уровнях входных напряжений? Покажите по электрической схеме назначение и работу всех элементов.

8.3. Как зависит от напряжения входной ток ЛЭ?

8.4. Как работает многоэмиттерный транзистор при различных вход­ных логических уровнях?

8.5. Что такое передаточная характеристика?

8.6. Дайте анализ динамического режима работы ЛЭ при переходе из "0" в "1" и обратно. Чем определяется время задержки t^1,0 _зад и t ^0,1_зад?

8.7. Чем отличаются ЛЭ ТТЛ и ТТЛШ, и в чём преимущество послед­них?

8.8. Можно ли на основе исследуемого ЛЭ построить БИС, содержа­щую 1000 подобных ЛЭ?

8.9. Объясните принцип работы установки и порядок работы с ней. Как определяется время задержки распространения в ЛЭ?

Литература

1. Справочник по интегральным микросхемам. Б.В. Тарабрин и др. М.: Энергия, 1980.

2. Шило В.Л. Популярные цифровые микросхемы. М.: Радио и Связь, 1987.

3. Скарлетт Дж. ТТЛ интегральные схемы и их применение. М.: Мир, 1974.

4. Соломатин Н.М. Элементы ЦВМ. Лабораторный практикум. М.: Высшая школа, 1984.

5. Хоровиц П., Хилл У. Искусство схемотехники: в 3-х томах, т.2: М.: Мир,1993.