- •Глава 6 285
- •Раздел 4 485
- •Раздел 5 проводниковые материалы 601
- •Раздел 6 магнитные материалы 474
- •Глава 6 285
- •Раздел 4 485
- •Раздел 5 проводниковые материалы 601
- •Раздел 4 485
- •Раздел 5 проводниковые материалы 601
- •Раздел 6 магнитные материалы 474
- •Глава 6 285
- •Раздел 6 магнитные материалы 474
- •Isbn 978-5-06-005817-8 © фгуп «Издательство «Высшая школа», 2007
- •Раздел 1 введение в курс «материаловедение и технология конструкционных материалов»
- •Глава 1 основные сведения о строении материалов
- •1.1. Роль материалов в развитии электро- и радиотехники
- •1.2. Классификация материалов, используемых в электро- и радиотехнике
- •Кристаллографическая система Пространственная решетка (см. Рис. 1.1, б)
- •1.4. Типы связей
- •Электроотрицательность химических элементов (в единицах шкалы Полинга)
- •Дипольные моменты химических связей и груш в органических соединениях
- •Непрерывный переход неполярных, полярных и ионных молекул Возрастание поляризации
- •1.7.1. Строение макромолекул и полимерного тела
- •Атакгический
- •Надмолекулярная структура аморфных полимеров
- •Надмолекулярная структура кристаллизующихся полимеров
- •Максимальный размер, а
- •1.7.2. Три физических состояния полимеров
- •1.7.3. Влияние введения пластификаторов и твердых наполнителей на Гс и Гт полимеров
- •Раздел 2 диэлектрические материалы
- •Глава 2
- •2.1.1. Физическая сущность поляризации диэлектриков
- •2.1.2. Поле внутри диэлектрика
- •2.1.3. Диэлектрическая проницаемость
- •2.4. Зависимость диэлектрической проницаемости от различных факторов
- •2.4.1. Газообразные диэлектрики
- •2.4.2. Жидкие и твердые диэлектрики молекулярного строения неполярные
- •8 2,2 2,1 2,0 1,9 50 Т, с 63 50 1 — парафин; 2 — нефтяное электроизоляционное масло. Образующие е: 3 — аэ(7); 4 — п(т) (схематически)
- •2.4.3. Жидкие и твердые диэлектрики молекулярного строения полярные
- •2.4.4. Твердые диэлектрики ионного строения с плотной упаковкой решетки ионами
- •2.4.5. Диэлектрики ионного строения аморфные и кристаллические с неплотной упаковкой решетки ионами
- •Глава 3
- •3.1.2. Токи смещения, абсорбции и сквозной проводимости
- •3.1.3. Зависимость электропроводности диэлектриков, концентрации носителей зарядов и их подвижности от температуры
- •3.4. Электропроводность твердых диэлектриков
- •3.4.1. Электропроводность твердых диэлектриков молекулярного строения
- •3.4.2. Электропроводность твердых диэлектриков ионного строения
- •3.4.3. Зависимость у и j от е в широком интервале
- •3.4.4. Поверхностная электропроводность твердых диэлектриков
- •Глава 6 285
- •Раздел 4 485
- •Раздел 5 проводниковые материалы 601
- •Раздел 6 магнитные материалы 474
- •Глава 4
- •4.2. Эквивалентные схемы замещения диэлектрика с потерями
- •Ir ru(tiCp соRCp
- •4.4. Диэлектрические потери в газообразных диэлектриках
- •4.6. Диэлектрические потери в твердых диэлектриках 4.6.1. Твердые диэлектрики ионного строения
- •4.6.2. Твердые диэлектрики молекулярного строения
- •4.6.3. Полимерные диэлектрики
- •Глава 5
- •5.1. Основные понятия и определения
- •5.2. Пробой газообразных диэлектриков
- •5.2.1. Пробой газов в однородном электрическом поле
- •Электрическая прочность некоторых диэлектриков в газообразном состоянии
- •5.2.2. Пробой газов в неоднородном электрическом поле
- •5.2.3. Пробой неоднородных диэлектриков
- •Поверхностный разряд в резконеоднородном электрическом поле
- •5.3. Пробой жидких диэлектриков
- •5.3.1. Теория теплового пробоя
- •5.3.2. Теория электрического пробоя
- •5.3.3. Пробой технически чистых жидких диэлектриков
- •5.3.4. Мероприятия по повышению пробивного напряжения жидких диэлектриков в электроустановках
- •5.4. Пробой твердых диэлектриков
- •5.4.1. Электрический пробой
- •5.4.2. Электротепловой пробой
- •5.4.3. Электрохимический пробой
- •Сравнительная короностойкость некоторых электроизоляционных материалов при 50 Гц
- •Старение под действием тепловых процессов, протекающих в порах изоляции, заполненных влагой
- •Старение под действием электролитических процессов
- •5.4.4. Влияние природы и строения твердых диэлектриков и внешних условий на электрическую прочность Влияние природы диэлектриков
- •Число слоев тонкослойной изоляции
- •5.4.5. Электрическая прочность полимерных диэлектриков
- •Влияние кристалличности, размера надмолекулярных образований и ориентации образцов
- •20 60 100 Afcd), мкм
- •Электрическая прочность, плотность, влагопроницаемость и относительная оптическая плотность ацетилцеллюлозы в зависимости от молекулярной массы
- •* Образцы нефракционированные. Пробой производили на фронте одиночных стандартных импульсов напряжения.
- •5.5. Профилактическое испытание изоляции повышенным напряжением
- •Глава 6
- •6.1. Механические свойства диэлектриков
- •6.2. Влажностные свойства диэлектриков
- •6.3. Тепловые свойства диэлектриков
- •Глава 6 285
- •Раздел 4 485
- •Раздел 5 проводниковые материалы 601
- •Раздел 6 магнитные материалы 474
- •7.1. Жидкие диэлектрики
- •7.1.1. Нефтяные электроизоляционные масла
- •Предельно допустимые значения показателей качества трансформаторного масла, подготовленного и залитого в электрооборудование
- •7.1.2. Синтетические жидкие диэлектрики
- •7.1.3. Растительные масла
- •7.2.Термопласты
- •Свойства синтетических полимеров (смол)
- •7.3. Реактопласты
- •7.4. Пластические массы
- •Пресс-материалы с порошкообразным наполнителем (пресс-порошки)
- •7.5. Резины
- •7.6. Природные смолы, целлюлоза и ее эфиры
- •7.7. Воскообразные диэлектрики
- •7.8. Волокнистые материалы
- •7.9. Электроизоляционные лаки, эмали и компаунды
- •7.10. Неорганические стекла
- •7.11. Керамические диэлектрики
- •7.12. Слюда и материалы на ее основе
- •Электрические свойства слюды
- •7.13. Асбест и материалы на его основе
- •7.14. Минеральные диэлектрики
- •7.15. Активные диэлектрики
- •7.15.1. Сегнетоэлектрики
- •Свойства сегнетокерамики для варикондов
- •0,6 0,8 Мв/м Рис. 7.8. Зависимость е от напряженности электрического поля е материалов для варикондов (для сравнения приводится зависимость е от е для BaTi03)
- •Некоторые характеристики варикондов из материалов bk-1, bk-2 и bk-4
- •Цвет свечения люминофора в зависимости от природы активатора
- •Электретные материалы
- •Раздел 3 полупроводниковые материалы
- •Глава 8
- •8.1.Общие сведения и классификация полупроводниковых материалов
- •Удельное электрическое сопротивление электротехнических материалов различных классов при 20 °с и постоянном напряжении
- •Простые полупроводники
- •Примесные уровни в германии и кремнии (определены термическим методом)
- •8.2.4. Определение типа электропроводности полупроводников
- •Глава 6 285
- •Раздел 4 485
- •Раздел 5 проводниковые материалы 601
- •Раздел 6 магнитные материалы 474
- •Некоторые характеристики термисторов
- •Некоторые характеристики позисторов
- •Характеристики варикапов
- •8.7. Пробой р-п-перехода
- •Глава 9
- •9.1. Технологии очистки и получения монокристаллических слитков и эпитаксиальных слоев
- •9.3. Полупроводниковые химические соединения и многофазные материалы
- •9.3.3. Химические соединения типа ahbvi и другие полупроводниковые материалы
- •Раздел 4
- •Глава 10
- •10.1. Классификация металлов
- •10.2. Строение и свойства металлов 10.2.1. Механические свойства металлов
- •10.2.3. Влияние дефектов строения металлов на их механическую прочность
- •10.3.2. Сплавы, образующие твердые растворы
- •10.4.2. Компоненты и фазы в сплавах системы «железо—углерод»
- •10.4.3. Диаграмма состояния сплавов системы «железо—углерод»
- •10.5. Понятие о термической обработке сталей 10.5.1. Сущность и назначение термической обработки
- •10.5.2. Фазовые превращения в сталях при термической обработке
- •Изменение структуры и твердости углеродистой стали эвтектоидного состава в зависимости от скорости охлаждения
- •10.5.3. Виды термической обработки сталей
- •10.6. Строение и свойства сталей
- •10.6.1. Влияние углерода и постоянной примеси на свойства сталей
- •10.6.2. Общие сведения, классификация и маркировка углеродистых сталей
- •10.6.3. Общие сведения, классификация и маркировка легированных сталей
- •Глава 11
- •11.1.2. Дуговая сварка
- •11.1.3. Контактная сварка
- •11.1.4. Газовая сварка и огневая резка
- •11.1.5. Пайка. Припои и флюсы
- •11.2.1. Общие сведения
- •11.2.2. Основные виды литья
- •11.3.1. Общие сведения
- •11.3.2. Основные виды обработки металлов давлением
- •1. Сортовой прокат в свою очередь делят на две подгруппы.
- •11.4.1. Общие сведения
- •11.4.2. Основные виды обработки металла резанием
- •Раздел 5 проводниковые материалы
- •Глава 12
- •12.1. Общие сведения и классификация
- •12.3. Физические процессы в металлических проводниках
- •12.3.1. Зависимость удельного электрического сопротивления металлических проводников от их строения и внешних факторов
- •Влияние частоты напряжения на сопротивление металлических проводников
- •12.3.2. Эмиссионные и контактные явления в металлах
- •12.3.3. Тепловые свойства металлов Тепловое расширение
- •Теплопроводность
- •12.4. Механические свойства металлических проводников
- •Глава 13
- •13.1. Проводниковые материалы высокой проводимости
- •13.1.1. Медь и ее сплавы
- •13.1.2. Алюминий и его сплавы
- •13.1.3. Биметаллические проводники
- •13.4. Материалы высокого сопротивления
- •13.4.1. Металлические сплавы, образующие твердые растворы
- •13.4.2. Пленочные резистивные материалы
- •13.4.3. Сплавы для термопар
- •13.5.1. Тугоплавкие металлы
- •13.5.2. Металлы со средним значением температуры
- •13.5.3. Легкоплавкие металлы
- •13.5.4. Благородные металлы
- •13.6.1. Материалы для скользящих контактов
- •13.6.2. Материалы для разрывных контактов
- •Раздел 6 магнитные материалы
- •Глава 14
- •14.1. Основные сведения о магнитных свойствах и классификация магнитных материалов
- •14.1.1. Диамагнетики
- •14.1.2. Парамагнетики
- •14.1.3. Ферромагнетики
- •14.1.4. Антиферромагнетики
- •14.1.5. Ферримагнетики
- •14.2. Магнитные свойства ферромагнетиков 14.2.1. Природа ферромагнетизма
- •14.2.2. Магнитная анизотропия
- •14.2.3. Магнитострикция
- •14.2.4. Причины, приводящие к образованию доменов
- •14.2.5. Механизм технического намагничивания и магнитный гистерезис
- •14.2.6. Магнитная проницаемость
- •10 10 Частота, Гц
- •14.2.7. Магнитные потери
- •Глава 15
- •15.1.1. Низкочастотные магнитомягкие материалы
- •15.1.2. Высокочастотные магнитные материалы
- •15.3. Магнитные материалы специализированного назначения
- •Глава 6 285
- •Раздел 4 485
- •Раздел 5 проводниковые материалы 601
- •Раздел 6 магнитные материалы 474
5.2.3. Пробой неоднородных диэлектриков
Выше был рассмотрен механизм пробоя и влияние различных факторов на электрическую прочность воздуха для случаев, когда воздух являлся единственным диэлектриком, заполнявшим межэлектродное пространство. Между тем используемые на практике диэлектрики имеют неоднородное строение. Например, в твердых диэлектриках (электрокартон, пластмассы, керамика и др.) всегда присутствуют поры и различные включения, в жидких диэлектриках — газовые пузырьки, коллоидные частицы и вещества, образующие эмульсии и суспензии. Широко используют слоистые диэлектрики (гетинакс, текстолит, миканиты и др.). Поэтому большое практическое значение имеет знание картины распределения вектора напряженности электрического поля в многослойных диэлектриках в зависимости от расположения поверхности раздела диэлектрических сред относительно силовых линий поля, а также от их электрических и физико-химических свойств.
Часто встречаемые диэлектрические конструкции состоят из двух диэлектрических сред, находящихся в различных агрегатных состояниях: твердый диэлектрик — воздух, реже — твердый диэлектрик — жидкий диэлектрик, жидкий диэлектрик — воздух (газ). В таких конструкциях поверхность раздела диэлектрических сред может находиться под любым углом к силовым линиям поля.
Рассмотрим два наиболее простых случая, когда поверхность раздела расположена параллельно силовым линиям поля (рис. 5.9, а) и перпендикулярно (см. рис. 5.9, б). В обоих случаях после внесения твердого диэлектрика в однородное поле поле в межэлектродном пространстве становится неоднородным и пробой наступает при более низком напряжении. Различным будет и механизм пробоя. В первом случае возникнет поверхностный разряд — пробой воздуха между электродами по поверхности твердого диэлектрика. Во втором —
ч.
/
/ /
AV
X / f Л/
!
V H/V'
'
2 1
л
Рис. 5.9. Картина распределения линий вектора напряженности Е электрического поля в электроизоляционной конструкции, состоящей из твердого диэлектрика (/) и воздуха (2), для случаев, когда силовые линии поля направлены параллельно (а) и перпендикулярно (б) относительно поверхности раздела диэлектриких сред
произойдет неполный пробой — пробой воздушного промежутка, расположенного между электродом и поверхностью твердого диэлектрика.
Графическое представление картины электрического поля, изображенное на рис. 5.9, строго говоря, справедливо лишь для локальных областей, лежащих вблизи поверхности раздела (по обе ее стороны) двух диэлектрических сред, например твердый диэлектрик—воздух. Но именно напряженность поля этих локальных областей и определяет величину Ur
В действительности же напряженность среднего макроскопического электрического поля Е в твердом диэлектрике (вдали от его поверхности) существенно отличается (см. формулу (2.8)) от напряженности внешнего электрического поля (в данном случае от напряженности поля в воздухе). На величину Е внутри твердого диэлектрика значительно влияют его диэлектрическая проницаемость в и форма (см. формулы (2.12), (2.14), (2.15)). В частном случае можно считать, что Е внутри твердого диэлектрика будет в в раз меньше, чем Е в воздухе (также вдали от границы раздела).
Вектор напряженности электрического поля Е в каждой точке межэлектродного пространства можно условно разложить по отношению к границе раздела двух диэлектрических сред на нормальную составляющую Ея и тангенциальную составляющую Е,. Вектор Ея направлен перпендикулярно поверхности раздела, а вектор Е, — касательно. Соответственно характеристики для одной диэлектрической среды будут е1? Yi, 9„ hl9 Ux и для другой — е2, у2, 92, h2 U2.
Поверхностный разряд в однородном электрическом поле
Если вектор Е направлен параллельно поверхности раздела двух диэлектрических сред (см. рис. 5.9, а), то в очень малых объемах по обе стороны поверхности раздела возникнут только тангенциальные составляющие в среде с е, — Еи и в среде с е2 — Е2г. Нормальные составляющие Е1я и Е2л будут равны нулю. В этом случае имеет место равенство
Е„ = Е2,. (5.6)
Так как в рассматриваемом примере Elr = Е,, а Е2, = Е2, то уравнение (5.6) можно записать в следующем виде:
Ei = Е2.
Однако это равенство на практике из-за ряда причин никогда не наблюдается, и напряженность поля Е2 в воздухе вблизи границы раздела с твердым и жидким диэлектриком всегда больше, чем Е^
Е2 > Е,. (5.7)
В данном случае разрядное напряжение Up зависит от значений е, ys и 9 твердого диэлектрика, состояния поверхности образца и распо
ложения ее относительно силовых линий поля, формы и частоты приложенного напряжения, относительной влажности воздуха \|/в, плотности прилегания электродов к твердому диэлектрику и расстояния между ними.
Как отмечалось выше (см. 3.4.4), на поверхности твердого диэлектрика всегда имеется пленка адсорбированной из воздуха влаги, которая в зависимости от природы диэлектрика является сплошной или прерывистой, толщиной от мономолекулярного слоя и более (рис. 5.10). Вода в пленке частично диссоциирована, а с увеличением сплошности и толщины пленки количество ионов возрастает.
Чем больше е и у5 твердого диэлектрика, меньше краевой угол смачивания 9, сильнее загрязнена его поверхность ионогенной примесью, выше относительная влажность воздуха \|/в (при \|/в > 50 %) и температура, тем толще пленка адсорбированной влаги и тем, следовательно, больше в ней ионов. У стекол, кроме того, часть ионов щелочных металлов, являющихся структурными элементами стекла, переходит в адсорбированную влагу, увеличивая концентрацию заряженных частиц (см. гл. 3.4.1). Ионы под действием электрического поля смещаются к электродам. Часть из них разряжается на электродах, а часть, не преодолев потенциальный барьер на границе диэлектрик—металл, образуют объемные заряды. В результате неоднородность поля в межэлектродном пространстве возрастает и Up снижается.
Таким образом, электропроводность образующейся на поверхности твердого диэлектрика пленки адсорбированной из воздуха влаги является решающим фактором в нарушении однородности электрического поля, в результате чего разрядное напряжение Up снижается.
Рис.
5.11. Распределение
напряжения вдоль неосушенной поверхности
стекла при напряжении, близком к
разрядному
N ~ 160 - 120 - 80 - 40 -
0 20 40 60 80
Рис. 5.10. Зависимость числа мономолекулярных слоев N на поверхности стекла от относительной влажности воздуха \|/в
сие между количеством ионов, поступающих в объемные заряды и уходящих из них. Рост объемных зарядов возобновится, если увеличить приложенное напряжение. В полупериод, когда полярность электродов изменится и станет такой же, как и знак соответствующих объемных зарядов, потенциал на электродах возрастет и станет выше, чем в середине межэлектродного пространства (рис. 5.11). В результате поверхностный разряд произойдет при более низком напряжении.
На снижение Up оказывают влияние и другие факторы. Известно (см. гл. 3.2), что в воздухе всегда имеются свободные положительные и отрицательные ионы и электроны. Поэтому на поверхности твердых диэлектриков даже в очень сухом воздухе образуется слой зарядов одного знака, а над ним, в воздухе — слой зарядов противоположного знака. Под действием приложенного напряжения эти заряды вместе с ионами воды смещаются к противоположно заряженным электродам, участвуя в формировании объемных зарядов.
На величину образующихся у электродов объемных зарядов влияют не только удельная поверхностная электропроводность и краевой угол смачивания, но и длительность воздействия напряжения. При коротких импульсах и высоких частотах (f> 50 кГц) успевает сместиться малое число ионов, поэтому электрическое поле искажается слабо, и, следовательно, Up снижается незначительно.
У твердых высокогигроскопичных диэлектриков (неорганические стекла и материалы молекулярного строения с высокими значениями е и ys и небольшим краевым углом смачивания (см. табл. 3.2) при относительной влажности воздуха \|/в > 50 % на поверхности всегда образуется сплошная пленка адсорбированной из воздуха влаги протяженностью от электрода до электрода. В результате поверхностная электропроводность возрастает и Up снижается.
На поверхности малогигроскопичных твердых диэлектриков, т. е. диэлектриков (низкие значения е и ys и большой краевой угол смачивания), а также малопористых, с гладкой и чистой поверхностью, образуется прерывистая пленка влаги в форме сфероидов. Поэтому удельное поверхностное сопротивление ps таких диэлектриков имеет высокое значение и мало зависит от влажности воздуха. Поскольку сфероиды воды включены последовательно с твердым диэлектриком, а величина е воды (е~ 81) существенно отличается от е твердых диэлектриков (е~2—10), то неоднородность поля усиливается. В результате происходит локальное повышение напряженности поля и возникают ионизационные процессы. Разрядное напряжение Up при этом снижается, но не так сильно, как у высокогигроскопичных диэлектриков.
Таким образом, самое высокое Up наблюдается при разряде вдоль поверхности твердых диэлектриков молекулярного строения неполярных (рис. 5.12). У диэлектриков полярных Up ниже, чем у неполярных, и тем ниже, чем больше е и ys твердого диэлектрика (см. рис. 5.12), и меньше его краевой угол смачивания (см. табл. 3.2). У диэлектриков ионного строения, которые содержат ионы щелочных металлов и поэтому имеют более высокую удельную поверхностную электропроводность, Up еще ниже, чем у диэлектриков моле
кулярного строения полярных. Особенно значительно Up снижается при плохом прилегании электродов к поверхности твердого диэлектрика. В этом случае (см. с. 124) электрическое поле в межэлектродном пространстве становится еще более неоднородным, в результате разрядное напряжение снижается.
Если поверхность твердого диэлектрика сильно шероховатая и содержит трещины, то в этих местах образуются воздушные микрозазоры, которые оказываются включенными последовательно с твердым диэлектриком. Из-за разных значений диэлектрической проницаемости воздуха и твердого диэлектрика напряженность поля в микрозазорах повышается и, достигнув начальной напряженности, вызывает ионизацию воздушных включений. Ионизация, в свою очередь, становится дополнительным фактором усиления неоднородности поля и снижения Up.
Из вышеизложенного вытекают три практических вывода.
Первый — радикальным и почти единственным методом повышения Up изоляторов в реальных условиях, когда присутствие влаги в воздухе неизбежно, является удлинение пути смещения ионов по поверхности (удлинение пути тока утечки) путем устройства ребер и юбок.
Второй — использование материалов с минимальной гигроскопичностью, т. е. материалов с минимальной диэлектрической проницаемостью и удельной поверхностной электропроводностью и максимальным краевым углом смачивания (например, политетрафторэтилен, кремнийорганическая резина).
ю"18
ю-16 ю-
у5,
См 121
Рис. 5.12. Зависимость амплитудного разрядного напряжения £/р, кВ, вдоль поверхности твердых диэлектриков цилиндрической формы (d = 45 мм, h = 30 мм) при 50 Гц, \|/в « 60 %, Т = 20 °С от диэлектрической проницаемости е и удельной поверхностной электропроводности у5;
1 — ПТФЭ, 2 — ПЭ, 3 — ПС, 4 — ПММА, 5 — винипласт, 6 — гетинакс, 7 — древесина, 8 — воздушный промежуток; электроды плоскопараллельные с закругленными краями
