Раздел 2. Полупроводниковые диоды

1. Р-n переход в диоде располагается в области:

1. эмиттера. 2. Его там нет. 3. В основном в области базы. 4. Он симметричный.

2. Одностороннюю проводимость диода характеризует соотношение:

1. Rпр = Rобр. 2. Rпр  Rобр. 3. Сдиф Сбар. 4. Rпр Rобр. 5. Rпр Rобр.

40. В импульсных диодах высокое быстродействия переключения достигают:

1. за счет малых площадей р-n перехода.

2. за счет больших площадей р-n перехода.

3. за счет увеличения ширины р-n перехода.

4. за счет малого обьема области базы.

5. 1 и 4.

41. Для создания омического контакта металла с полупроводником должно выполняться соотношение:

1. A_n/n>A_мет. 2. A_n/n<A_мет. 3. A_n/n=A_мет.

42. Для создания выпрямляющего контакта на переходе металл-полупроводник должно выполняться условие:

1. A_n/n>A_мет. 2. A_n/n<A_мет. 3. A_n/n=A_мет.

43. В выпрямительных диодах прямые токи достигают больших величин за счет:

1. уменьшения площади р-n перехода. 2. увеличения площади р-n перехода.

3. увеличения ширины р-n перехода.

44. Обратные токи в выпрямительных диодах большой мощности достигают больших величин:

1. за счет малых площадей р-n перехода. 2. за счет больших площадей р-n перехода.

3. за счет увеличения ширины р-n перехода.

45. Барьерные емкости выпрямительных диодов достигают больших величин:

1. за счет малых площадей р-n перехода. 2. за счет больших площадей р-n перехода.

3. за счет увеличения ширины р-n перехода.

46. Между прямым Rпр и обратным Rобр сопротивлениями у выпрямительного диода выполняется соотношение:

1. Rпр = Rобр 2. Rпр  Rобр 3. Rпр  Rобр 4. Rпр Rобр 5. Rпр Rобр.

47. Указать свойство р-n перехода, которое используется в выпрямительных диодах:

1. Односторонняя проводимость.

2 Барьерная емкость.

3 Эффект Эрли. 4. Тепловой пробой. 5. Электрический пробой. 6. Туннельный эффект. 7. туннельный пробой

48. Указать свойство р-n перехода, которое используется в стабилитронах:

.1. Односторонняя проводимость. 2. Барьерная емкость. 3. Эффект Эрли. 4. Тепловой пробой. 5. Электрический пробой.

6. Туннельный эффект.

49. Указать свойство р-n перехода, которое используется в стабисторах:

1. Односторонняя проводимость. 2. Барьерная емкость. 3. Эффект Эрли. 4. Тепловой пробой. 5. Электрический пробой. 6. Туннельный эффект. 7. Особенность прямой ветви ВАХ.

8. туннельный пробой

50. Указать свойство, которое используется в диодах Шотки:

1. Односторонняя проводимость. 2. Барьерная емкость. 3. Эффект Эрли. 4. Тепловой пробой. 5. Электрический пробой. 6. Свойство перехода металл-полупроводник 7. туннельный пробой

51. Указать свойство р-n перехода, которое используется в обращенных диодах:

1. Односторонняя проводимость. 2. Барьерная емкость. 3. Эффект Эрли. 4. Тепловой пробой. 5. Электрический пробой. 6. Туннельный эффект. 7. Особенность прямой ветви ВАХ. 8. туннельный пробой.

52. Импульсный диод в схемах выполняет роль:

1. ключа. 2. активного элемента. 3. стабилизатора напряжения

53. Указать свойство р-n перехода, которое используется в туннельных диодах:

1. Односторонняя проводимость. 2. Барьерная емкость. 3. Эффект Эрли. 4. Тепловой пробой. 5. Электрический (туннельный) пробой. 6. Туннельный эффект. 7. туннельный пробой

54. Указать условно-графическое обозначение выпрямительного диода (рис.3.1.).

1.

2. 3. 4. 5. 6. 7. 8. 9. 10.

55. Указать условно-графическое обозначение стабилитрона (рис.3.1.):

1. 2.

3. 4. 5. 6. 7. 8. 9. 10.

56. Указать условно-графическое обозначение двуханодного стабилитрона (рис.3.1.):

1. 2. 3.

4. 5. 6. 7. 8. 9. 10.

57. Указать условно-графическое обозначение диода Шотки (рис.3.1.):.

1. 2. 3. 4.

5. 6. 7. 8. 9. 10.

58. Указать условно-графическое обозначение варикапа (рис.3.1.)..

1. 2. 3. 4. 5.

6. 7. 8. 9. 10.

59. Указать условно-графическое обозначение тунельного диода (рис.3.1.).

1. 2. 3. 4. 5. 6.

7. 8. 9. 10.

60. Указать условно-графическое обозначение обращенного диода (рис.3.1.).

1. 2. 3. 4. 5. 6. 7.

8. 9. 10.

61. При работе стабилитрона в номинальном режиме р-n - переход смещен:

1. в прямом направлении 2. в обратном направлении.

3. в обоих направлениях.

62. В номинальном режиме стабистора его р-n-переход смещен:

1. в прямом направлении.

2. в обратном направлении 3. в обоих направлениях.

63. В номинальном режиме варикапа его р-n- переход смещен:

1. в прямом направлении 2. в обратном направлении. 3. в обоих направлениях.

64. В номинальном режиме работы p-n-переход выпрямительного диода смещен:

1. в прямом направлении 2. в обратном направлении 3. в обоих направлениях.

65. Указать носители заряда, которыми определяется прямая ветвь ВАХ диода:

1. основные.

2. неосновные 3. дырки 4. Электроны.

66. Указать носители заряда, которыми определяется обратная ветвь ВАХ диода:

1. основные. 2. неосновные. 3. дырки 4. Электроны.

67. Указать соотношение между барьерной и диффузионной емкостью в варикапе:

1. Сдиф Сбар. 2. Сдиф< Сбар.

3. Сдиф= Сбар.

68. Показать ВАХ идеального выпрямительного диода (рис.3.2):

1. 2. 3. 4. 5. 6.

69. Показать ВАХ реального выпрямительного диода (рис.3.2):

1. 2. 3. 4. 5. 6.

70. Показать ВАХ стабилитрона (рис.3.2):

1. 2. 3. 4. 5. 6.

71. Показать кулон-вольтную характеристику варикапа (рис.3.2):

1. 2. 3. 4. 5. 6.

72. Показать ВАХ туннельного диода (рис.3.2):

1. 2. 3. 4. 5. 6.

73. Показать ВАХ обращенного диода (рис.3.2):

1. 2. 3. 4. 5. 6.

74. Показать прямую ветвь ВАХ диода (рис.3.2):

1. аб. 2. бв. 3. гд. 4.жи. 5.мн. 6. ом

75. Показать обратную ветвь ВАХ диода (рис.3.2):

1. аб. 2. бв. 3. гд. 4.жи. 5.мн. 6. ом

76. Показать участок теплового пробоя диода (рис.3.2):

1. аб. 2. зи. 3. гд. 4.жи. 5.мн. 6. де.

77. Показать рабочий участок ВАХ стабилитрона (рис.3.2):

1. аб. 2. бв. 3. гд. 4.жи. 5.мн. 6. ом

78. Показать рабочий участок ВАХ стабистора (рис.3.2):

1 . аб. 2. бв.

3. гд. 4.жи. 5.мн. 6. ом

79. Показать рабочий участок ВАХ туннельного диода (рис.3.2):

1. аб. 2. бв. 3. кл. 4.жи. 5.мн. 6. ом

80. Показать проводящий ток участок ВАХ обращенного диода (рис.3.2):

1. аб. 2. бв. 3. гд. 4.жи. 5.мн. 6. ом

81. Показать непроводящий ток участок ВАХ обращенного диода (рис.3.2):

1. аб. 2. бв. 3. гд. 4.жи. 5.мн. 6. Ом

82. Показать участок, на котором преобладает диффузионная емкость (рис.3.2):

1. аб. 2. зи. 3. гд. 4.жи. 5.мн. 6. жз.

83. Показать участок, на котором преобладает барьерная емкость (рис.3.2):

1. аб. 2. зи. 3. гд. 4.жи. 5.мн. 6. жз.

84. Показать на ВАХ участок с отрицательным сопротивлением (рис.3.2):

1. аб. 2. зи. 3. гд. 4.жи. 5.мн. 6. жз. 7. кл.

85. Назвать физическим процесс, которым определяется участок аб (рис. 3.2):

1. движение основных носителей 2. движение неосновных носителей.

3. Тепловой пробой перехода. 4. Электрический пробой перехода. 5. Туннельный эффект.

86. Назвать физическим процесс, которым определяется участок бв (рис. 3.2):

1. движение основных носителей. 2. движение неосновных носителей. 3. Тепловой пробой перехода. 4. Электрический пробой перехода. 5. Туннельный эффект.

87. Назвать физическим процесс, которым определяется участок гд (рис. 3.2):

1. движение основных носителей 2. движение неосновных носителей. 3. Тепловой пробой перехода. 4. Электрический пробой перехода.