Раздел 4. Полевые транзисторы
1. Полевой транзистор это прибор управляемый:
1. током. 2. Напряжением. 3. сопротивлением
Выводы полевого транзистора называют:
1. коллектор, база. 2. База, эмиттер. 3. Коллектор, база, эмиттер. 4. Анод 1, анод 2. 5. Сток, исток, затвор.
Выходной ток и управляющий сигнал в полевом транзисторе связаны соотношением:
1. Iвых=αIвх. 2. Iвых=βIвх. 3. Iвых=Ѕ Uвх. 4. Uвых=КUвх
В полевом транзисторе с р-n переходом затвор отделен от канала:
1. р - n переходом.
2. Металлом. 3. Диэлектриком. 4. Полупроводником.
В МДП полевом транзисторе с индуцированным каналом затвор отделен от канала:
1. р - n переходом. 2. Металлом. 3. Диэлектриком.
4. Полупроводником.
В МДП полевом транзисторе с встроенным каналом затвор отделен от канала:
1. р - n переходом. 2. Металлом. 3. Диэлектриком.
4. Полупроводником.
В полевых транзисторах с изолированным затвором канал отделен от затвора:
1. р - n переходом. 2. Металлом. 3. Диэлектриком. 4. Полупроводником.
Затвор в полевом транзисторе с р - n переходом выполнен из:
1.. Металла. 3. Диэлектрика. 4. Полупроводника.
Затвор в полевом транзисторе с индуцированным каналом выполнен из:
1.. Металла. 3. Диэлектрика. 4. Полупроводника.
Показать условное обозначение полевого транзистора с управляющим р - n переходом и n –каналом (рис. 3.1):
1
.
2. 3. 4.
5. 6. 7. 8.
Показать условное обозначение полевого транзистора с управляющим р - n переходом и р –каналом (рис. 3.1):
1. 2. 3. 4. 5. 6. 7. 8.
Показать условное обозначение МДП полевого транзистора с встроенным р –каналом (рис. 3.1):
1. 2. 3. 4. 5. 6. 7.
8.
Показать условное обозначение МДП полевого транзистора с встроенным n –каналом (рис. 3.1):
1. 2. 3.
4. 5. 6. 7. 8.
Показать условное обозначение МДП полевого транзистора с индуцированным р –каналом (рис. 3.1):
1. 2. 3. 4. 5.
6. 7. 8.
Показать условное обозначение МДП полевого транзистора с индуцированным n –каналом (рис. 3.1):
1. 2. 3. 4. 5. 6. 7. 8.
Принцип работы полевого транзистора с р- n переходом состоит в:
1. зависимости площади поперечного сечения канала от управляющего напряжения.
2. зависимости удельной проводимости канала от управляющего напряжения.
3. зависимости длины канала от управляющего напряжения.
Принцип работы полевого МДП транзистора с встроенным каналом состоит в:
1. зависимости площади поперечного сечения канала от управляющего напряжения.
2. зависимости удельной проводимости канала от управляющего напряжения.
3. зависимости длины канала от управляющего напряжения.
Принцип работы полевого МДП транзистора с индуцированным каналом состоит в:
1. зависимости площади поперечного сечения канала от управляющего напряжения.
2. зависимости удельной проводимости канала от управляющего напряжения.
3. зависимости длины канала от управляющего напряжения.
Рабочим режимом работы полевого транзистора с р- n переходом является режим когда:
1. р- n переход смещен в прямом направлении. 2. р- n переход смещен в обратном направлении.
3. Напряжение на нем равно нулю.
Полевой МДП транзистора с встроенным каналом может работать в режиме:
1. обогащения. 2. Обеднения. 3. 1 и 2.
4. Когда р- n переход смещен в прямом направлении.
Полевой МДП транзистора с индуцированным каналом может работать в режиме:
1. обогащения.
2. Обеднения. 3. 1 и 2. 4. Когда р- n переход смещен в прямом направлении
Выходной ток полевого транзистора создают:
1. Только электроны. 2. Только дырки. 3. 1 или 2. 4. Основные носители заряда канала.
5. Неосновные носители заряда канала. 6. Основные носители заряда затвора. 7. Основные носители заряда затвора.
Н
а
выходных ВАХ (рис. 4.2.) показать область
насыщения:
1. 2. 3.
На выходных ВАХ (рис. 4.2.) показать область пробоя:
1. 2. 3.
На выходных ВАХ (рис. 4.2.) показать область, где полевой транзистор работает как, переменное сопротивление (крутая область):
1. 2. 3.
Показать передаточную ВАХ (рис. 4.3.) n-канального полевого транзистора с р- n переходом:
1. 2. 3. 4. 5. 6.
Показать передаточную ВАХ (рис. 4.3.) полевого р-канального транзистора с р- n переходом:
1. 2. 3. 4. 5. 6.
Показать передаточную ВАХ (рис. 4.3.) МДП полевого транзистора с встроенным р –каналом:
1. 2. 3. 4. 5. 6.
Показать передаточную ВАХ (рис. 4.3.) МДП полевого транзистора с встроенным n –каналом:
1. 2. 3. 4. 5. 6.
Показать передаточную ВАХ (рис. 4.3.) МДП полевого транзистора с индуцированным р –каналом:
1. 2. 3. 4. 5. 6.
Показать передаточную ВАХ (рис. 4.3.) МДП полевого транзистора с индуцированным n –каналом:
1. 2. 3. 4. 5. 6.
Ток стока, при напряжении отсечки, равен:
1. Iс=0. 2. Iс =Iс нас. 3. Iс= Iс.нас/2.
Ток стока, при напряжении насыщения, равен:
1. Iс=0. 2. Iс =Iс нас. 3. Iс= Iс нас/2.
В полевом транзисторе, при напряжении отсечки, смыкание канала происходит:
1. У стока. 2. У истока. 3. В обьеме канала. 4. У затвора.
В полевом транзисторе, при напряжении насыщении, смыкание канала происходит:
1. У стока. 2. У истока. 3. В обьеме канала. 4. У затвора
В полевом транзисторе, при напряжении сток-исток Uси (Uси нас < Uси <Uси мах), смыкание канала происходит:
1. У стока. 2. У истока. 3. В обьеме канала. 4. У затвора.
Ширина проводящей части канала полевого транзистора по его длине, когда Uси= 0:
1. одинакова.
2. Он сужен к истоку. 3. Он сужен к стоку.
4. Он сужен к затвору.
Ширина проводящей части канала полевого транзистора по его длине, когда Uси > 0:
1. одинакова. 2. Он сужен к истоку. 3. Он сужен в стоку.
4. Он сужен к затвору.
Полевой транзистор, работая на начальном (крутом) участке выходной ВАХ, можно использовать:
1. для усиления. 2. для выпрямления. 3. для частотной избирательности. 4. как переменный резистор.
Механизм движения зарядов в полевом МДП транзисторе с встроенным каналом:
1. дрейф.
2 диффузия. 3. Дрейф и диффузия.
Механизм движения зарядов в полевом транзисторе с р-n переходом:
1. дрейф. 2 диффузия. 3. Дрейф и диффузия.
40. Механизм движения зарядов в полевом МДП транзисторе с индуцированным каналом:
1. дрейф. 2 диффузия. 3. Дрейф и диффузия.