Тензорезистори

Тензорезистор - це НП резистор, в якому використовується залежність електричного опору від механічної деформації.

Призначення - вимірювання тису та деформацій.

Принцип дії НП тензоризистора заснована на тензорезистивному ефекті - на зміні електричного опору напівпровідника під дією механічних деформацій.

Для виготовлення тензорезисторів частіше всього використовують кремній з електропровідністю n - та p-типів. Заготовки такого кремнію ріжуть на мілкі пластинки, шліфують, наносять контакти та приєднують виводи.

Основні параметри тензорезисторів:

1. Номінальний опір тензорезистора - це опір без деформації при t = 20⁰C (як правило воно має величину від кількох десятків до кількох тисяч Ом);

2. Коефіцієнт тензочутливості - відношення відносної зміни опору до відноснрої зміни довжини тензорезистора:

. (2.3)

Для різних тензорезисторів К лежить в межах від −100 до +200;

3. Гранична деформація тензорезистора.

Деформаційна характеристика - це залежність відносної зміни опору тензорезистора від відносної деформації.

Рисунок 3. Деформаційні характеристики тензорезисторів

з кремнію із електропровідністю р - та n – типов

Хід роботи

1. Зберіть схему для вимірювання залежності опору терморезистора від температури.

1.2. Ввімкніть по черзі тумблери SB2, SB3, ввиміряйте та занесіть до таблиці 1 значення температури T та опору Rt терморезистора.

Таблиця 1

2. Користуючись даними таблиці 1 побудуйте в координатах Rt = f(T( ̊ C)) ВАХ терморезистора, використовуючи Майстер діаграм MS EXCEL.

3. Користуючись експериментальною ВАХ терморезистора обчисліть значення ТКО при чотирьох значеннях температури.

Завдання

4.1. Назвіть тип напівпровідникових приладів, які мають симетричну ВАХ та нелінійну залежність від прикладеної напруги.

4.2. Назвіть тип напівпровідникових приладів, чий опір залежить від механічної деформації кристалу.

4.3. Назвіть тип напівпровідникових приладів, які мають сильну залежність опору від температури кристала.

4.4. Назвіть тип напівпровідникових приладів, які мають сильну залежність опору від електромагнітного опромінення кристалу.

4.5. Наведіть приклади застосування варисторів.

4.6. Наведіть приклади застосування термісторів.

4.7. Наведіть приклади застосування фоторезисторів.

4.8. Наведіть приклади застосування лінійних напівпровідникових резисторів.

4.9. Вкажіть, в чому полягає відмінність між позистором та термістором.

4.10. Назвіть основні параметри тензорезисторів.

4.11. Назвіть основні параметри терморезисторів.

4.12. Поясніть, чим обумовлена температурна залежність опору терморезхисторів.

4.13. Назвіть основні параметри варисторів.

5. Вимоги до оформлення звіту.

• Звіт необхідно оформити в текстовому редакторі MS WORD.

• Звіт повинен містити:

• титульну сторінку;

• мету роботи;

• схеми дослідів;

• таблиці з даними;

• графіки ВАХ;

• розрахунки параметрів згідно із індивідуальним завданням.

ДОДАТОК

В додатку наведена схема електрична принципова лабораторного макету.

Додаток 1

Схема електрична принципова лабораторного макету «Дослідження терморезистора»