- •Варистори
- •Терморезистори
- •Тензорезистори
- •Хід роботи
- •Завдання
- •Лабораторна робота № 2
- •Короткі теоретичні відомості
- •Хід роботи
- •Завдання
- •Лабораторна робота № 3
- •Лабораторна робота № 4
- •Лабораторна робота № 5
- •Транзисторні ключі.
- •Робота біполярного транзистора в ключовому режимі
- •Режим насичення транзистора
- •Режим відсічки
- •Перехідні процеси в транзисторному ключі
- •Підвищення швидкодії транзисторних ключів
- •Вибір транзистора для роботи в ключовому режимі
- •Лабораторна робота № 6
- •Випрямлячі
- •Лабораторна робота № 7
- •Короткі теоретичні відомості
- •Основні параметри стабілізаторів.
- •Компенсаційний стабілізатор напруги (ксн)
- •Струму та можливістю регулювати вихідну напругу.
- •Хід роботи
- •Завдання
- •Лабораторна робота № 8
- •Хід роботи
- •Лабораторна робота № 7
- •Загальні відомості про цифрові сигнали
- •Основні операції та елементи алгебри логіки.
- •Серії цифрових мікросхем
- •Хід роботи
- •Лабораторна робота № 10
- •Лабораторна робота № 11
- •Очікувальний мультивібратор
- •Мультивібратор на мікросхемах.
- •Мультивібратор на операційному підсилювачі
- •Завдання
- •Лабораторна робота № 12
Лабораторна робота № 3
ТЕМА: Знаття статичних характеристик БТ в схемі СЕ.
МЕТА: Дослідити статичні ВАХ БТ в схемі спільний емітер та отримати навички по визначенню h - параметрів по ВАХ.
ОБЛАДНАННЯ:
лабораторний макет;
вольтметр (тестер).
КОРОТКІ ТЕОРЕТИЧНІ ВІДОМОСТІ
Транзи́стор — напівпровідниковий елемент електронної техніки, який дозволяє керувати струмом, що протікає через нього, за допомогою прикладеної до додаткового електрода напруги.
Транзистори є основними елементами сучасної електроніки. Зазвичай вони застосовуються в підсилювачах і логічних електронних схемах. У мікросхемах в єдиний функціональний блок об'єднані тисячі й мільйони окремих транзисторів.
За будовою та принципом дії транзистори поділяють на два великі класи: біполярні транзистори й польові транзистори. До кожного з цих класів входять численні типи транзисторів, що відрізняються за будовою і характеристиками.
Принцип дії біполярного транзистора. В біполярному транзисторі носії заряду рухаються від емітера через тонку базу до колектора. База відділена від емітера й колектора p-n переходами. Струм протікає через транзистор лише тоді, коли носії заряду інжектуються з емітера в базу через p-n перехід. В базі вони є неосновними носіями заряду й легко проникають через інший p-n перехід між базою й колектором, прискорюючись при цьому. В самій базі носії заряду рухаються за рахунок дифузійного механізму, тож база повинна бути досить тонкою. Управління струмом між емітером і колектором здійснюється зміною напруги між базою і емітером, від якої залежать умови інжекції носіїв заряду в базу.
Біполярні транзистори розрізняються за полярністю: вони бувають PNP та NPN типу.
Транзистори розрізняються також за матеріалом, за максимальною потужністю, максимальною чаcтотою, за призначенням, за типом корпуса.
Найпоширеніший напівпровідниковий матеріал для виробництва транзисторів — кремній. Використовуються також германій, арсенід галію та інші бінарні напівпровідники.
|
Зовнішній вигляд транзисторів
|
Транзистор має два основні застосування: у якості підсилювачі у якості перемикача.
Підсилювальні властивості транзистора зв'язані з його здатністю контролювати великий струм між двома електродами за допомогою малого струму між двома іншими електродами. Таким чином малі зміни величини сигналу в одному електричному колі можуть відтворюватися з більшою амплітудою в іншому колі.
Є три основні схеми ввімкнення транзистора в підсилювальні кола. Залежно від того, приєднано емітер, колектор або базу до загальної точки, розрізняють відповідно схеми із загальним емітером (ЗЕ), колектором (ЗК) або базою (ЗБ).
Схема ЗБ не забезпечує підсилення струму, а лише напруги і має малий вхідний опір (рівний опору емітерного переходу), що робить її не оптимальною для більшості застосувань. В схемі ЗЕ транзисторний каскад забезпечує підсилення як за струмом так і за напругою тому й застосовується в більшості випадків. Схема ЗК забезпечує підсилення струму а підсилення за напругою менше одиниці, однак має високий вхідний та малий вихідний опір, тому й застосовується в якості буферного каскаду між джерелом сигналу та каскадом ЗЕ (низькоомним навантаженням).
Використання транзистора у якості перемикача пов'язане з тим, що приклавши відповідну напругу до одного з його виводів, можна зменшити практично до нуля струм між двома іншими виводами, що називають запиранням транзистора. Цю властивість використовують для побудови логічних вентилів.
ХІД РОБОТИ
Зберіть схему вимірювання ВАХ біполярного транзистора.
1.2. Виміряйте та занесіть до таблиці 1 значення Uбе, UЖб при двох фіксованих значеннях Uке.
Таблиця 1
Uке= |
||||||||||
UЖб |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Uбе |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Іб |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Uке= |
||||||||||
UЖб |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Uбе |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Іб |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
1.3. За формулою Іб = (UЖб - Uбе)/ Rб розрахуйте та внесіть до таблиці 1 значення струму бази, для кожного значення Uбе.
2.1. Виміряйте та занесіть до таблиці 2 значення Uке, URк при двох фіксованих значеннях струму бази (для цього використайте відповідні значення Uбе з таблиці 1).
Таблиця 2
Іб = (Uбе= ) |
||||||||||
UЖк |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Uке |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Ік |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Іб = (Uбе= ) |
||||||||||
UЖк |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Uке |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Ік |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
2.2. За формулою Ік = (UЖк – Uке)/ Rк розрахуйте та внесіть до таблиці 2 значення колекторного струму, для кожного значення Uке.
3.1. Користуючись даними таблиці 1 побудуйте вхідні ВАХ БТ при двох значеннях Uке, використовуючи Майстер діаграм MS EXCEL.
3.2. Користуючись даними таблиці 2 побудуйте вихідні ВАХ БТ при двох значеннях Іб, використовуючи Майстер діаграм MS EXCEL.
4. Користуючись експериментальними ВАХ БТ виконайте дії, згідно із завданням до лабораторної роботи.
ЗАВДАННЯ
4.1. На вхідних ВАХ позначте робочу точку для забезпечення роботи підсилювального каскаду в режимі класу «А», поясніть принцип роботи підсилювального каскаду, визначте кут відтинання колекторного струму в даному режимі.
4.2. На вхідних ВАХ позначте робочу точку для забезпечення роботи підсилювального каскаду в режимі класу «В», поясніть принцип роботи підсилювального каскаду, визначте кут відтинання колекторного струму в даному режимі.
4.3. На вхідних ВАХ позначте робочу точку для забезпечення роботи підсилювального каскаду в режимі класу «С», поясніть принцип роботи підсилювального каскаду, визначте кут відтинання колекторного струму в даному режимі.
4.4. На вхідних ВАХ позначте робочу точку для забезпечення роботи підсилювального каскаду в режимі класу «D», поясніть принцип роботи підсилювального каскаду, визначте кут відтинання колекторного струму в даному режимі.
4.5. На вхідних ВАХ позначте робочу точку для забезпечення роботи підсилювального каскаду в режимі класу «AB», поясніть принцип роботи підсилювального каскаду, визначте кут відтинання колекторного струму в даному режимі.
4.6. Використовуючи ВАХ визначте h11е, поясніть фізичний зміст даного параметра.
4.7. Використовуючи ВАХ визначте h12е, поясніть фізичний зміст даного параметра.
4.8. Використовуючи ВАХ визначте h21е, поясніть фізичний зміст даного параметра.
4.9. Використовуючи ВАХ визначте h22е, поясніть фізичний зміст даного параметра.
4.10. Вкажіть на ВАХ області, що відповідають режимам: активному, відсічки, насичення.
5. Вимоги до оформлення звіту.
Звіт необхідно оформити в текстовому редакторі MS WORD.
Звіт повинен містити:
титульну сторінку;
мету роботи;
схеми дослідів;
таблиці з даними;
графіки ВАХ;
розрахунки параметрів згідно із індивідуальним завданням.
Додаток 1
