- •Понятие о терминах «технология», «технологическая операция», «технологический процесс». Виды технологических операций.
- •Виды техпроцессов
- •Общая схема технологии производства микросхем. Подготовительные операции.
- •Подготовка подложек
- •Сущность метода осаждения пленок термическим вакуумным испарением. Упрощенная схема подколпачного устройства. Термическое вакуумное испарение (тви)
- •Критическая температура конденсации. Зависимость структуры пленки от температуры подложки.
- •6. Испарители. Виды и конструкции испарителей. Требования к материалам. Способы нагрева.
- •7. Испарение сложных материалов и сплавов. Реактивное испарение.
- •8. Сущность метода распыления материалов ионной бомбардировкой. Понятие о пороговой энергии.
- •9.Схема катодного распыления. Скорость распыления. Коэффициент распыления.
- •10.Схема вакуумной системы установки для напыления тонких пленок. Средства контроля вакуума. Ионизационный и термопарный вакуумметры.
- •Резистивный и кварцевый методы контроля параметров пленок. Назначение. Принцип действия. Применение.
- •12.Общая схема литографического процесса. Виды литографии
- •13.Позитивные и негативные фоторезисторы. Разрешающая способность. Фоточувствительность. Стойкость к воздействию агрессивных факторов.
- •1) Фоточувствительность
- •2) Разрешающая способность – r
- •14.Методы нанесения фоторезистивных покрытий. Операции совмещения и экспонирования. Контактная, бесконтактная и проекционная печать.
- •Центрифугирование Пульверизация
- •15.Формирование фоторезистивной маски. Операции проявления и термообработки. Удаление фотомаски. Особенности для негативного и позитивного фоторезиста.
- •17. Многопозиционные вакуумные установки для получения тонких пленок термическим вакуумным испарением
- •18 Технология изготовления толстопленочных микросхем. Схема технологического процесса.
- •19 Пасты для получения толстопленочных элементов микросхем. Трафаретная печать, вжигание элементов толстопленочных микросхем
- •20 Технология изготовления полупроводниковых интегральных микросхем
- •21. Транзисторы (биполярные и униполярные ). Назначение. Технология изготовления.
- •В зависимости от корпуса мс и других различных факторов число этих операций доходит до 200.
- •22. Эпитаксия. Методы получения эпитаксиальных слоев.
- •23. Термическая диффузия примесей. Методы диффузии.
- •24. Ионное легирования. Преимщества и недостатки.
- •Тема 13
- •25. Особенности металлизации поверхности кремниевых структур.
9.Схема катодного распыления. Скорость распыления. Коэффициент распыления.
Самая простая схема ионно- плазменного распыления - это 2х электродная схема катодного распределения. Упрощенная схема рабочей камеры установки катодного распыления показана на рисунке:
1-вакуумный колпак из нержавеющей стали; 2- катод; 3- экран; 4-игольчатый натекатель для непрерывной подачи аргона; 5- подложка; 6- анод; 7- вакуумплотный изолятор; 8-вакуумный уплотнитель по периметру колпака; 9-плита корпуса вакуумной установки.
В разряженном газе при давлении порядка 10-2 10-3 мм рт.ст. (1-10-1 Па)создаётся тлеющий разряд, путем приложения к катоду- мишени высокого отрицательного потенциала относительно заземлённого анода. Здесь используется самостоятельный разряд, возбуждаемой автоэлектронной эмиссией (испускание электронов металлом под действием сильного внешнего поля ). Электроны, эмитировавшие из катода. ионизируют атомы газа. В результате положительные ионы газа устремляются к отрицательному катоду и выбивают атомы катода- мишени, которые летят нормально к его поверхности и оседают на подложке, лежащей на аноде.
Основной технологический параметр этого процесса- скорость распыления мишени Wp = Kp JHmM, кг/с, где Kp- коэффициент распыления мишени (атомы выбитые 1 ионом). Принимает значения от 0,1 до 50, в отдельных случаях до100;
JH- плотность тока катода
mM- атомная масса материала мишени
Kp-
зависит от
давления рабочего газа РГ.
Наибольшее значение соответствует
некоторому оптимальному давлению
порядка ≈ 10-3
мм рт.ст., когда достаточно велика средняя
длина свободного пробега ионов, с одной
стороны, а с другой стороны, и самих
ионов достаточно.
Коэффициент распыления зависит также от природы ионов и мишени. Наибольший коэффициент распыления имеют ионы инертных газов т.к. их энергия тратится только на выбивание атомов и не тратится на химическое взаимодействие с атомами мишени.
Важным параметром, определяющим КР является угол падения ионов. С уменьшением угла между направлением движения ионов и плоскостью мишени КР увеличивается, так как при этом уменьшается угол между направлениями импульсов движения падающих ионов и выбитых атомов, летящих нормально к поверхности мишени.
10.Схема вакуумной системы установки для напыления тонких пленок. Средства контроля вакуума. Ионизационный и термопарный вакуумметры.
С
хема
вакуумной системы установок для напыления
тонких пленок:
1-плита вакуумной установки; 2-вакуумное уплотнение; 3-рабочая камера; 4-термопарный вакуумметр; 5,6,7-вентили; 8-форвакуумный насос; 9-ионизационный вакуумметр; 10-форбаллон; 11-высоковакуумный насос; 12-высоковакуумный затвор.
Ч
ерез
открытые вентили 5 и 7 с помощью ФВН 8
создают предварительный вакуум порядка
1-5 Па. Это давление контролируют
термопарным вакуумметром 4 (рис.6а). После
этого вентиль 5 закрывают, отрывают
вентиль 6 и высоковакуумный затвор 12 и
откачивают всю систему до такого же
давления 1-5 Па. Затем включают подогреватель
ВВН 11 и откачивают камеру до необходимого
высокого вакуума 10-3
–10-5
Па. Это
давление контролируют ионизационным
вакуумметром (рис.6б). При этом ФВН 8
постоянно работает, поддерживая
предварительный вакуум в форбаллоне
10. Таким образом, выход ВВН нагружен
на ФБ 10, что снижает коэффициент сжатия
газа, а следовательно и его конденсацию.
Слева (рис.6а) термопарный вакуумметр: 1-колба, соединенная с рабочим объемом; 2- провод, через который идет ток (Тпр=200○ С); 3- спай термопары; 4-термопара. Справа (рис.6б) ионизационный вакуумметр: 1-открытая колба, соединенная с рабочим объемом; 2-коллектор; 3-сетка; 4- катод.
Существует несколько видов вакуумного контроля. К примеру, вакуумный контроль течеисканием является методом неразрушающего контроля, который позволяет обнаружить дефекты, которые выходят на поверхность: раковины, трещины, непровары, поры, а также остальные места, где поверхность не сплошна.
Есть масса предметов при помощи которых можно осуществить вакуум контроль: манометр– это прибор, который измеряет давление или разность давления. Абсолютный вакуумметр- прибор, чувствительность которого одинакова по отношению ко всем газам. Дифференциальный вакуумметр- прибор, который способен измерить разность давления по обе стороны от разделительного элемента.
