- •1. Цель и задачи курса. Роль приборно-технологического моделирования в проектировании интегральных микросхем.
- •2. Типы и функциональный состав моделей технологических операций.
- •3. Ионная имплантация, механизмы торможения ионов.
- •4. Ионная имплантация, теория лшш.
- •5. Ионная имплантация, диффузионная модель Бирсака.
- •5. Эффект каналирования.
- •7. Системы координат при моделировании ионной имплантации.
- •8. Принцип суперпозиции при расчете функций распределения примеси.
- •9. Аналитические аппроксимации распределения ионов. Функции Гаусса.
- •10. Аналитические аппроксимации распределения ионов. Распределения Пирсона-IV.
- •11. Аналитические аппроксимации распределения ионов, учитывающие эффект каналирования.
- •12. Особенности моделирования ионной имплантации в многослойных мишенях.
- •13. Механизмы диффузии, парная диффузия примесь-вакансия.
- •1 4. Уравнения диффузии примеси, макроскопическое и микроскопическое определение коэффициентов диффузии.
- •15. Расчет коэффициента диффузии для моновакансионного механизма.
- •16. Коэффициент диффузии с учетом различных зарядовых состояний.
- •17. Модель связанной диффузии, основные уравнения.
- •18. Модель связанной диффузии, учет протекающих реакций.
- •19. Модель связанной диффузии, уравнения непрерывности.
- •20. Граничные и начальные условия в моделировании диффузии.
- •21. Кластеры и преципитаты.
- •22. Особенности диффузии Бора.
- •23. Особенности диффузии донорных примесей.
- •24. Совместная диффузия примесей.
- •26. Особенности моделирования диффузии в поликристаллическом кремнии.
- •27. Термическое окисление кремния. Модель Дила-Гроува.
- •28. Допущения при выводе модели Дила-Гроува.
- •29. Термическое окисление кремния. Константы линейного и параболического роста.
- •30. Особенности строения пленок оксида кремния. Вязкое течение SiO2.
- •31. Основные этапы численного моделирования процесса окисления. Модель Массуда для начального этапа процесса окисления.
- •32. Моделирование окисления в присутствии маски. Аналитическая модель.
- •33. Моделирование окисления в присутствии маски. Граничные условия.
- •35. Моделирование процесса диффузии в присутствии подвижных границ.
- •36. Моделирование сегрегации примеси.
- •38. Алгоритм струны в моделировании травления и осаждения слоев.
- •39. Расчет процесса травления для заданного показателя анизотропии.
- •40. Моделирование осаждения для различных типов источников частиц.
- •41. Модель баллистического осаждения.
- •42. Моделирование процесса литографии. Основные этапы численного моделирования.
- •43. Расчет изображения на поверхности фоторезиста.
- •44. Расчет интенсивности освещения в пленке фоторезиста.
- •45. Моделирование процесса проявления.
- •46. Базовые уравнения численного моделирования приборов. Дрейфово-диффузионное приближение.
- •47. Базовые уравнения численного моделирования приборов. Термодинамическая и гидродинамическая модели.
- •48. Дискретизация базовых уравнение. Методы построения сетки.
- •49. Проблемы устойчивости и сходимости численного решения. Коэффициент усиления ошибки.
- •50. Оценка качества сетки.
17. Модель связанной диффузии, основные уравнения.
Обозначим A – атом примеси, находящийся в узле решетки, (замещающий атом), B - атом примеси, находящийся в междоузлии, V – вакансия, I – междоузлие, i, j, k, l – зарядовые состояния, причем будем считать, что i, j, k, l = 0, ± 1, ± 2,
- образование/распад пар дефект – примесь с высвобождением/связыванием электронов
1) Ai + I j ↔ (AI)i+k + (k - j)n
2) Ai + V j ↔ (AV)i+k + (k - j)n
- генерация-рекомбинация Френкелевских пар с захватом или высвобождением электронов
3) I i + V j ↔ - (i + j)n
- взаимодействие пар дефект – примесь с дефектом противоположного типа
4) (AI)i+j + V k ↔ Ai - (j + k)n
5) (AV)i+j + I k ↔ Ai - (j + k)n
- взаимодействие пар дефект – примесь противоположного типа
6) (AI)i+j + (AV)l+k ↔ Ai + Al - (j + k)n
- ионизация пар
7) (AI)i+j ↔ (AI)i+k + (k - j)n
8) (AV)i+j ↔ (AV)i+k + (k - j)n
- ионизация дефектов
9) I j ↔ I k + (k - j)n
10) V j ↔ V k + (k - j)n
- эстафетный механизм
11) Ai + I j ↔ Bk + (k – i - j )n
- реакция Франка - Торнбула
12) Ai ↔ Bk + V j + (k – i + j )n
18. Модель связанной диффузии, учет протекающих реакций.
Реакции, используемые при моделировании, можно представить в общем виде как
aA+ bB ↔ pP+ qQ; стехеометрические коэффициенты в этом уравнении a, b, p, q – положительные и, как правило, целые, A, B, P, Q – концентрации.
Кинетика протекания реакции описывается уравнением: R = kF(Aa Bb – kR Pp Qq), где kF – скорость прямой реакции, kR - скорость обратной реакции. При kF -> inf (быстрое протекание прямой реакции) получаем алгебраическое соотношение Aa Bb – kR Pp Qq = 0. В противном случае (при конечном значении kF) реакция рассматривается как неравновесная.
Каждое из 12 рассмотренных уравнений должно быть дополнено кинетическим уравнением. Например, для уравнений образования/распада пар дефект – примесь можно записать:
1) Ai + I j ↔ (AI)i+k + (k - j)n
Кинетическое уравнение для пар вакансия - примесь
2) Ai + V j ↔ (AV)i+k + (k - j)n
Одним из наиболее общих допущений является предположение, что реакции ионизации всегда являются равновесными. Отсюда следует, что для реакций ионизации пар (уравнения 7-8) и ионизации дефектов (уравнения 9-10):
R7 = R8 = R9 = R10= 0.
19. Модель связанной диффузии, уравнения непрерывности.
Уравнения непрерывности составляются с учетом протекающих реакций:
RN – кинетические составляющие для всех реакций, протекающих с участием элемента N.
Пример: уравнение непрерывности для междоузлий, находящихся в зарядовом состоянии j - I j
Междоузлия участвуют в процессах:
а) образование/распад пар дефект – примесь (уравнение 1); б) генерация-рекомбинация Френкелевских пар (уравнение 3); в) взаимодействие пар дефект – примесь с дефектом противоположного типа (уравнение 5); г) ионизация дефектов (уравнение 9); д) эстафетный механизм (уравнение 11). Учитывая, что реакция ионизации дефектов относится к равновесным реакциям, в правой части уравнения непрерывности для I j останется четыре типа генерационно - рекомбинационных составляющих:
