- •1Проводимость полупроводника. Электронно-дырочный переход. Работа перехода при внешнем смещении.
- •2Переход металл-полупроводник.
- •3Пробой р-п перехода.
- •4Классификация т конструкция диодов. Разновидности и их применение.
- •5Биполярные транзисторы. Устройство и принцип действия. Схемы включения транзистора .
- •6Статические характеристики транзистора в схеме с общим эмиттером .
- •7Работа транзистора c нагрузкой. Зависимость параметров транзистора от различных факторов.
- •8Полевые транзисторов . Устройство и принцип действия. Характеристики. Типы транзисторов.
- •9Тиристоры. Устройство. Принцип действия характеристики. Типы тиристоров
- •10Термирезисторы.
- •11Фоторезисторы.
- •12Светодиоды Фотодиоды Оптроны.
- •13Общие сведения. Серии. Функциональный состав.
- •14Полупроводниковые индикаторы.
- •15Жидкокристаллические индикаторы.
- •16Газоразрядные индикаторы.
- •17Классификация и основные характеристики усилителей.
- •18Положительная и отрицательная обратная связь (пос.Оос). Ос по напряжению и по току. Последовательная и параллельная ос.
- •19Влияние ос на коэффициент усилия. Влияние ос на входное сопротивление.
- •21Режимы работы усилительного каскада (а,б,с,).
- •22Работа усилителя. Нагрузочная характеристика.
- •23Усилительные каскады на биполярных транзисторах.
- •24Усилительные каскады на полевых транзисторах.
- •25Динамические характеристики усилительных каскадов. Повторители напряжения.
- •26Соединение многокаскадных усилителей.
- •27Однотактные усилители мощности.
- •28Двухтактные усилители мощности.
- •29Усилители постоянного тока. Общие сведения . Дрейф нуля и борьба с ним
- •30Структура и основные параметры оу. Применение оу.
- •31Импульсные усилители (иу).
- •32Генераторы гармонических колебаний. Общие сведения.
- •33Lc-генераторы.
- •34Rc-генераторы. Стабилизация частоты генератора.
- •35Понятие электронный ключ. Виды ключей. Работа транзистора в ключевом режиме.
- •36Дифференцирующие и интегрирующие цепи.
- •37Ключи на моп – транзисторах.
- •38 Логические устройства.
- •39Базовые схемы логических элементов .
- •40Мультивибраторы и одновибраторы.
- •41Мультивибраторы на имс.
- •42Одновибраторы на имс.
- •43Принцип генерирования линейно изменяющихся напряжений. Схемы Глин.
- •44Компараторы напряжений без гистерезиса и компараторы с гистерезисом (триггеры Шмита)
- •45Триггеры на биполярных транзисторах с двумя динамическими входами (r,s). Триггер со счетным входом (t- триггер).
- •46Rs- триггеры d- триггеры на логических ис
- •47Jk- триггер логических ис.
- •48Цифроаналоговые преобразователи.
- •49Аналогоцифровые преобразователи.
- •50Общие сведения об источниках питания.
- •51Однополупериодные и двухполупериодные выпрямители.
- •52Трехфазные выпрямители. Управляемые выпрямители.
- •53Сглаживающие фильтры.
- •Пассивные сглаживающие фильтры
10Термирезисторы.
Сопротивление терморезисторов существенно зависит от температуры. Температура может изменяться как окружающей средой, так и током, проходящим через терморезистор. Терморезисторы подразделяются на термисторы (сопротивление уменьшается с увеличением температуры) и позисторы (сопротивление увеличивается с увеличением температуры). Материалом для них служат полупроводники. Уменьшение сопротивления термисторов объясняется увеличением концентрации носителей заряда за счет ионизации примесных и собственных атомов при увеличении температуры и увеличением их подвижности.
Позисторы изготавливают из монокристаллических полупроводников. При увеличении температуры увеличиваются колебания атомов кристаллической решетки, а подвижность носителей заряда уменьшается.
Конструктивно терморезисторы изготавливаются в виде стержней, цилиндров, дисков, пластин, бусинок. Для защиты от атмосферных воздействий их помещают в герметичный корпус или покрывают влагостойкой эмалью.
Различают терморезисторы прямого и косвенного нагрева. В первых нагрев осуществляется за счет температуры окружающей среды или током, протекающим через терморезистор. Во вторых резистивный элемент изолирован от нагревателя, имеющего собственную электрическую цепь. Приборы косвенного подогрева называют управляемыми, т.к. меняя температуру резистора, можно менять его сопротивление.
Основные характеристики. 1. Температурная характеристика: зависимость R(T). Для термисторов спадающая кривая, для позисторов –возрастающая (обе близки к линейным).
2.
ТКС (α).
R=
R0(1+
αΔT).
R-R0=
R0
αΔT.
α
=
–относительное изменение сопротивления
при изменении температуры на один
градус. R0
задается при комнатной температуре.
Для термисторов α
= --(0,8…6)К-1.
3.Статическая вольт-амперная характеристика U(I) устанавливается при заданной температуре.
4. Допустимая мощность рассеяния (как для резисторов). Макс.допустимая температура.
Используются в высокочувствительных измерительных схемах. Болометры (терморезистивный слой выполнен в виде пластинок) используются для измерения излучения. Применяются для измерения скорости и расхода газообразных и жидких веществ, состава газовой смеси и т.п.
11Фоторезисторы.
В фоторезисторах сопротивление меняется под воздействием света. В основе лежит внутренний фотоэффект, при котором за счет энергии света электроны и дырки переходят в зону проводимости.
Конструктивно фоторезистор представляет собой диэлектрическую пластину (стекло, керамика), на которую методом вакуумного напыления или химического осаждения нанесен слой фоточувствительного материала. Фоточувствительный слой может быть выполнен в виде тонкой пластинки или быть спрессованным (сульфид кадмия, селенид кадмия, сульфид свинца). Форма и размеры рабочей площадки обусловлены характером применения прибора. Могут быть фоторезисторы повышенной мощности для работы с большими токами.
Характеристики фоторезисторов.
1.Вольт-амперные характеристики I(U) при постоянной освещенности. Эти характеристики близки к линейным, исходят из начала координат и имеют разную крутизну в зависимости от освещенности. Ниже всех проходит характеристика при отсутствии освещения (характеристика темнового тока).
2.Световая характеристика представляет собой зависимость фототока от освещенности Iф(Е) –нелинейная характеристика.
3. Спектральная характеристика Iф(λ) имеет явновыраженный максимум.
Достоинства фоторезисторов заключаются в высокой чувствительности возможности применения в цепях постоянного и переменного тока, малых размеров. Недостатки—относительно большая инерционность (постоянная времени от десятков мкс до десятков мс). зависимости параметров от температуры и времени.
Применяются для измерения светового потока, освещенности, запыленности, контроля размеров и колич. деталей и т.д.
