- •Наслідком якого фізичного закону є перше правило Кірхгофа ? Його формулювання.
- •Наслідком якої властивості електростатичного поля є друге правило Кірхгофа ? Його формулювання.
- •Яким є внутрішній опір ідеального генератора напруги?
- •Якою є внутрішня провідність ідеального генератора струму?
- •Зв’язок між напругою та струмом в основних елементах електричного кола.
- •Основні параметри, які характеризують резонанс в послідовному контурі.
- •Векторні діаграми струмів та напруг у послідовному коливальному контурі.
- •Визначити смугу пропускання паралельного rlc - коливального контуру.
- •Вплив навантаження на вибіркові властивості коливального контуру.
- •Передаточна функція послідовного коливального контуру.
- •З алежність вхідного опору послідовного коливального контуру від частоти.
- •Параметри загороджувальних lc - фільтрів.
- •Вкажить переваги і недоліки частотної та фазової модуляції у порівнянні з амплітудною модуляцією.
- •Назвіть переваги та недоліки односмугової модуляції у порівнянні з двосмуговою.
- •Дайте визначення спектра сигналу.
- •Як пов’язані між собою тривалість імпульсу з його спектром.
- •Дайте загальний опис структури спектра модульованого коливання.
- •Яке призначення модемів в комп’ютерній мережі ?
- •Що таке зворотний струм у p-n переході, чим він обумовлений та як він залежить від температури? Як він впливає на роботу транзисторів?
- •Яке фізичне явище лежить в основі роботи стабілітрона? Як воно використовується для стабілізації напруги?
- •Чому базу біполярного транзистора бажано робити тонкою та слабколегованою ?
- •В чому полягає принципова різниця в роботі біполярного і уніполярного транзисторів?
- •Чому нелінійні спотворення сигналів шкідливіші від лінійних?
- •Чому коефіцієнт підсилення у схемі підсилювача зі спільним емітером (се) є від’ємним? а у схемі зі спільною базою (сб)?
- •Як впливає активний опір, увімкнений у коло емітера на підсилення та вхідний опір підсилювального каскаду?
- •Як у багатокаскадному підсилювачі впливає вхідний опір наступного каскаду на підсилення попереднього?
- •Що може бути причиною самозбудження багатокаскадного резонансного підсилювача?
- •В чому полягає амплітудна та фазова умова самозбудження автогенератора?
- •Чим обумовлюється встановлення скінченої амплітуди коливань у автогенераторах?
- •Чим відрізняється тригер від мультивібратора?
- •Яким шляхом можна перетворити частотну модуляцію у амплітудну?
- •З а яким принципом працює супергетеродинний радіоприймач?
- •Що таке логічний елемент трьома вихідними станами?
- •Які вам відомі різновиди аналогово- цифрових перетворювачів?
- •Які механізми обмеження амплітуди вимушених коливань у режимі резонансу Вам відомі?
- •Коли рух коливної системи можна аналізувати методом повільних амплітуд?
- •За яких умов реалізується квазігармонічний режим автогенератора Ван-дер-Поля, а за яких – релаксаційний?
- •Яка основна особливість фазового портрету автогенератора?
- •В чому полягає ефект вимушеної синхронізації автогенератора?
- •Які передумови виникнення хаотичної динаміки в системах із невеликою кількістю ступенів вільності?
- •Які нові ефекти з’являються в системі зв’язаних лінійних осциляторів (порівняно з одиночним осцилятором)?
- •Які кількісні характеристики хаотичної динаміки Вам відомі?
- •Коли можливе співіснування мод у системах із конкуренцією?
- •Який фізичний зміст співвідношень Менлі – Роу?
- •Назвіть властивості систем, у фазовому просторі яких може виникнути дивний атрактор.
- •У яких системах можуть спостерігатись абсолютна та конвективна нестійкості? в чому полягає відмінність між цими нестійкостями?
- •Що таке дисперсія хвиль? Які причини породжують дисперсію? Які типи дисперсії Вам відомі?
- •Яка природа областей прозорості та непрозорості в системах із розподіленими параметрами?
- •Назвіть основні механізми випромінювання хвиль.
- •Що таке хвилі з від’ємною енергією? у яких системах вони можливі?
- •Поверхневі і об’ємні поляризаційні заряди, їх зв’язок із вектором поляризації.
- •Граничні умови для векторів напруженості електричного поля та вектора зміщення.
- •Електронна, орієнтаційна та іонна поляризація газоподібних, рідких та твердих діелектриків.
- •Дайте визначення світловому і енергетичному потокам?
- •Зробіть оцінку енергії зв`язку в атомі водню.
- •Наведіть приклади фізичних явищ, які пов`язані з ефектом квантового тунелювання.
- •Чому борівська модель атома водню не може бути застосована до багатоелектронних атомів.
- •Назвіть квантові числа, що визначають стан електрона в атомі водню, їх фізичний зміст.
- •Який принцип покладений в побудову таблиці Менделєєва ?
- •Чим обумовлений ковалентний зв`язок в молекулах ?
- •Чим обумовлено зонна структура твердого тіла?
- •Я к виміряти зарядженої частинки?
- •Поясніть принцип «охолодження» атомів лазерним випромінюванням.
Яке призначення модемів в комп’ютерній мережі ?
Модем – обладнання для передачі даних, яке здійснює узгоджене перетворення цифрового сигналу комп’ютера в модульований аналоговий і навпаки. Застосовуються при телефонних лінях зв’язку.
Радіоелектроніка
Що таке зворотний струм у p-n переході, чим він обумовлений та як він залежить від температури? Як він впливає на роботу транзисторів?
Електричний струм, що існує при зворотній полярності обумовлюється лише неосновними носіями, які завжди у невеликій кількості присутні у напівпровіднику. Для них поле у переході є прискорюючим і тому будь-який неосновний носій, який при своєму тепловому русі потрапить на межу збідненого шару буде обов’язково втягнутим у цей шар і перетне межу p- і n- переходу. Таке усмоктування неосновних носіїв в збіднений шар називають екстракцією. Оскільки цей струм обумовлений неосновними носіями, то він зростає з ростом темперетури. Зворотний струм, викликаний тепловими носіями негативно впливає на керуючі властивості транзистора (виникає зміщення вихідних характеристик).
Яке фізичне явище лежить в основі роботи стабілітрона? Як воно використовується для стабілізації напруги?
Д
ля
роботи
стабілітронів
використовують зворотну ділянку
вольтамереної характеристики (ВАХ) при
напрузі, що відповідає напрузі пробою
(рис.2.3).
На
цій ділянці, починаючи з деякої напруги,
позначеної як UCT,
спостерігається стрімке зростання
зворотного струму. Особливість
цієї ділянки ВАХ полягає в тому, що на
ній
диференціальний
опір
,
визначений
як нахил характеристики до вісі ординат,
набагато
менший від омічного опору
,
який можна зобразити як нахил січної
“0b“ до тієї ж вісі. У стабілітронах ця
відмінність є величиною одного-двох
порядків.
С
хему
стабілізатора напруги зі стабілітроном
зображено на рис.2.4. Вона є подільником
вхідної напруги U1,
яку вважатимемо складеної з постійної
(режимної) напруги
U10
і деякого невеликого приросту ΔU1.
Відповідно і вихідну напругу і струм
можна зобразити як суми подібних же
складових:
Для
постійної складової струму стабілітрон
є омічним опором R0,
отже відношення U20
до U10
можна записати так:
Але для приросту струму стабілітрон є
диференціальним опором
і тоді відношення до ΔU2
ΔU1
буде дорівнювати
Тепер запишемо співвідношення відносних
приростів напруг на вході і на виході:
Це і є коефіцієнт
стабілізації kст,
який показує, наскільки відносні
коливання напруги на виході менші ніж
на вході. Оскільки звичайно rd<<R,
R0,
то ця величина буває досить значною.
Чому базу біполярного транзистора бажано робити тонкою та слабколегованою ?
При своєму русі через базу неосновний носій може зустрітися з вільним основним носієм і прорекомбінувати з ним. Для зменшення втрати носіїв на шляху до колектора потрібно, щоб середній час їх дифузії через базу був значно менший середнього часу їх рекомбінації. Досягти цього можна зменшенням товщини бази та зниженням в ній концентрації основних носіїв (зменшити легування).
В чому полягає принципова різниця в роботі біполярного і уніполярного транзисторів?
Принцип дії польових транзисторів заснований на русі носіїв одного знаку у напівпровіднику з одним типом провідності. Тому інша назва таких транзисторів – уніполярні. Основна принципова відмінність біполярного транзистора, від польового полягає в тому, що перший, з них керується вхідним струмом, а другий - вхідною напругою. Можна, звичайно, заперечити, що і в біполярному транзисторі вхідний струм створюється вхідною напругою. Однак, врешті-решт, струм колектора визначається саме струмом бази або емітера, і, отже, існування вхідного струму у біполярного транзистора є принципово необхідним. З цього висновується по-перше, що вхідний опір біполярного транзистора не може бути дуже великим, та по-друге, що для керування колекторним струмом потрібна хоч і невелика, а все ж таки, скінчена потужність вхідного сигналу.
На відміну від цього, вхід польового транзистора є не відкритим, а закритим переходом, зворотний струм якого, неістотний для роботи транзистора, може бути зробленим як завгодно малим.
