- •Глава 2 основы физики твердого тела
- •§4 Строение твердых тел
- •4.1. Кристаллическая решетка
- •В каждой сингонии имеется несколько решеток Браве. Решетка Браве для кубической сингонии приведены на рис. 4.3.
- •4.2. Понятие о жидких кристаллах
- •Классификация кристаллов по природе частиц и типам сил взаимодействия между ними
- •4.4. Деффекты в кристаллах
- •§5. Основы зонной теории твердых тел
- •5.1. Приближение сильной связи
- •5.2. Приближение слабой связи
- •5.3. Деление твердых тел на металлы, диэлектрики и полупроводники
- •5.4 Движение электрона в кристалле под действием электрического поля. Эффективная масса.
- •§ 6. Металлы
- •6.1 Квантовая статистика электронов в металле.
- •6.2. Понятие о квантовой теории электропроводности металлов и сверхпроводимости
- •§7 Полупроводники
- •7.1 Собственные и примесные полупроводники.
- •7.2. Равновесные концентрации свободных носителей и положение уровня ферми в полупроводнике
- •7.3. Электропроводность полупроводников
- •7 .4. Эффект холла. Определение концентрации, подвижности и знака носителей заряда в полупроводнике
- •7.5. Неравновесная электропроводность полупроводников
- •Диффузионный и дрейфовый токи. Соотношение эйнштейна между подвижностью и коэффициентом диффузии.
- •Уравнение непрерывности для полупроводника
- •§ 8 Контактные явления
- •8.1 Работа выхода электрона из металла и полупроводника
- •Термоэлектронная эмиссия
- •8.3. Контакт двух металлов. Внешняя и внутренняя разности потенциалов.
- •8.4. Термоэлектрические явления
- •Электронно-дырочный переход
- •8.5.1. Электронно-дырочный переход в состоянии равновесия
- •8.5.2. Электронно-дырочный переход в неравновесном состоянии
- •8.5.3 Уравнение вольтамперной характеристики электронно-дырочного перехода.
- •8.5.4. Емкостные свойства электронно-дырочного перехода.
8.4. Термоэлектрические явления
Взаимосвязь между тепловыми и электрическими процессами в металлах и полупроводниках обуславливает явления, называемые термоэлектрическими. К ним относятся явление Зеебека, явление Пельтье, явление Томсона.
Явление Зеебека. В 1821 году Зеебек обнаружил, что в замкнутой цепи из двух разнородных металлов А и В (рис. 8.8) при разной температуре спаев 1 и 2 течет электрический ток. Изменение знака у разности температур спаев приводит к изменению направления тока.
В
озникновение
термоэлектродвижущей силы обусловлено
тремя причинами: зависимостью уровня
Ферми от температуры, диффузией носителей
заряда и увлечением электронов фононами.
Зависимость уровня Ферми от температуры обуславливает неодинаковые внутренние контактные разности потенциалов (формула 8.5) для спаев 1 и 2, находящихся при разных температурах. В результате сумма скачков потенциала на контактах 1 и 2 отлична от нуля. Возникновение диффузии носителей заряда связано со следующими процессами. У горячего спая концентрация электронов с энергией, превышающей энергию Ферми, будет больше, чем у холодного; концентрация электронов с энергией меньше энергии Ферми будет, наоборот, у горячего спая меньше, чем у холодного. Вдоль проводников возникает градиент концентрации электронов с фиксированным значением энергии, что обуславливает диффузию более «быстрых» электронов к холодному спаю, а более «медленных» к горячему. Диффузионный поток «быстрых» электронов будет больше, чем поток «медленных» электронов. Поэтому вблизи холодного спая образуется избыток электронов, а вблизи горячего – их недостаток. Это приводит к возникновению диффузионного слагаемого термоэлектродвижущей силы.
Третья причина возникновения термо - Э.Д.С. заключается в увлечении электронов фононами. За счет градиента температуры вдоль проводников возникает дрейф фононов. Фононы увлекают электроны в направлении от горячего спая к холодному.
Результирующая термо – Э.Д.С. в небольших интервалах температур приближенно может быть представлена выражением
(8.6)
где αАВ - удельная термоэлектродвижущая сила данной пары металлов или полупроводников.
Для большинства пар металлов αАВ имеет порядок 10-5 – 10-6 В/к. Для полупроводников она может быть значительно больше (до 1,5∙10-3 В/к).
Явление Зеебека используется для измерения температур. Соответствующее устройство называется термопарой. Один спай термопары поддерживают при постоянной температуре (например, при 0˚ С), другой помещают в ту среду, температуру которой измеряют. Разность температур спаев пропорциональна возникающей термо – Э.Д.С. Термопару предварительно градуируют и по измеренной величине термо – Э.Д.С. определяют температуру.
С помощью термопар измеряют температуру с точностью до сотых долей градуса.
Явление Пельтье. В 1834 году Пельтье открыл явление, заключающееся в том, что при протекании тока через цепь, составленную из разнородных металлов или полупроводников, в одних спаях происходит выделение, а в других – поглощение тепла.
Таким образом, явление Пельтье оказывается обратным явлению Зеебека.
Опытным путем установлено, что количество выделившегося или поглотившегося в спае тепла пропорционально заряду, прошедшему через спай:
,
(8.7)
где ПАВ - коэффициент Пельтье; порядок индексов А и В указывает, что ток течет от проводника А к проводнику В.
Отметим, что, в отличие от тепла Джоуля-Ленца, тепло Пельтье пропорционально не квадрату, а первой степени силы тока.
При перемене направления тока вместо выделения (поглощения) тепла наблюдается поглощение (выделение) такого же количества тепла при равном заряде прошедшем через спай.
Следовательно,
ПАВ = - ПВА (8.8)
С помощью законов термодинамики можно установить связь между коэффициентом Пельтье и удельной термо – Э.Д.С. в виде
(8.9)
Если контактируют два вещества с одинаковым видом носителей тока (металл-металл, металл-полупроводник п-типа, два полупроводника n-типа, два полупроводника р-типа (рис. 8.9) эффект Пельтье можно объяснить следующим образом. Носители тока (электроны или дырки) по разные стороны от спая 1 имеют различную полную энергию. Если, пройдя через спай, носители попадают в вещество (2) с меньшей полной энергией электронов (или дырок), они отдают избыток энергии кристаллической решетке, в результате чего спай нагревается. На другом спае носители переходят в вещество (1) с большей полной энергией электронов, в результате чего недостающую энергию они отбирают у решетки, что приводит к охлаждению спая.
В
1
1
2
Э
та
энергия сообщается кристаллической
решетке и идет на нагревание спая 1. На
спае 2 протекающий ток обусловливает
уход электронов и дырок от границы р и
n
областей. Убыль носителей тока в
пограничной области восполняется за
счет тепловой генерации электронов и
дырок. Необходимая для этого процесса
энергия отбирается у кристаллической
решетки, в результате чего спай 2
охлаждается.
Явление Томсона. В 1856 году У.Томсон предсказал на основе термодинамических соображений, что при протекании тока по однородному проводнику, вдоль которого имеется градиент температуры, должно выделяться тепло, аналогичное теплу Пельтье. Впоследствии это явление, получившее название явление Томсона, было обнаружено экспериментально.
Количество тепла, выделяющееся вследствие явления Томсона в единицу времени в элементе проводника длиной dl, равно
,
(8.10)
где
I
- сила тока,
- градиент температуры, τ
коэффициент
пропорциональности, называемый
коэффициентом Томсона.
Я
вление
Томсона имеет следующее объяснение.
Пусть ток течет в направлении возрастания температуры (рис. 8.11). Если носители тока – электроны, они при своем движении уходят из области с более высокой температурой (и, следовательно, большей средней энергией) в область с низкой температурой (и меньшей средней энергией). Избыток энергии электроны отдают решетке, что приводит к выделению тепла. Если носителями тока являются дырки, эффект имеет обратный знак.
