4. Экспериментальное исследование схемы составной транзистор на двух транзисторах с п- р-п и р-п-р структурой:

а) собрать схему Шиклаи на транзисторах VT3 и VT4 (рис. 5);

б) снять характеристики обоих транзисторов;

в) по построенным характеристикам определить основные параметры транзисторов;

г) изучить работу схемы Шиклаи\

д) построить характеристики схемы Шиклаи.

5. Экспериментальное исследование схемы каскодное соединение:

а) собрать схему каскодное соединение на транзисторах VT2 и VT3 (рис. 6);

б) снять характеристики обоих транзисторов;

в) по построенным характеристикам определить основные параметры транзисторов;

г) изучить работу схемы каскодное соединение;

д

Рис. 5 Схема Шиклаи

) построить характеристики схемы каскодное соединение

Рис. 6 Каскодное соединение

4. Содержание отчета

Отчет должен содержать следующие пункты:

а) наименование и цель работы;

б) принципиальные электрические схемы для выполненных экспериментов;

в) результаты экспериментальных исследований и проведенных по ним расчетов, помещенные в соответствующие таблицы;

г) экспериментально снятые и построенные характеристики;

д) обработанные осциллограммы;

е) выводы по работе.

Работа № 5 Усилительный каскад с общим эмиттером.

Работа № 6 Усилительный каскад с общей базой.

Работа № 7 Усилительный каскад с общим коллектором.

Цель работы

Изучение работы и характеристик схем усилительных каскадов на биполярном транзисторе:

• усилительный каскад с общим эмиттером;

• усилительный каскад с общей базой;

• усилительный каскад с общим коллектором.

Описание лабораторной установки

Лицевая панель модуля «Простейшие усилительные каскады» представлена на рис. 7. На ней приведена мнемосхема и установлены контактные гнёзда для осуществления внешних соединений. На мнемосхеме изображены транзистор VT1, амперметр А1, вольтметр VI, потенциометр PR1, конденсаторы С1...С7, резисторы R1...R16 и указаны номиналы используемых конденсаторов и резисторов.

Рис. 7 Передняя панель модуля «Простейшие усилительные каскады»

1. Предварительное домашнее задание:

а) изучить тему курса «Биполярный транзистор» и содержание данной работы, быть готовым ответить на все контрольные вопросы;

б) начертить принципиальные схемы для снятия характеристик биполярного транзистора п-р-п типа в соответствии с заданным подвариантом;

в) используя выходные вольтамперные характеристики транзистора (рис. 8), для заданного варианта построить две линии нагрузки (для заданного R2 и для R2 = 0, в последнем случае линия нагрузки параллельна оси тока /_Е). В соответствии с точками пересечении нагрузочных линий' И выходных характеристик построить две характеристики прямой передачи по току I_K = f(J₅) при R2 = 0 и при заданном R2. Определить область линейного усиления;

г) выбрать рабочую точку покоя для классов А, В, D; по характеристикам определить токи /, /_6р и напряжение U в рабочей точке покоя Р;

д) по заданным временным диаграммам переменной составляющей тока базы i_(i(t) (см. рис. 8) построить временные диаграммы тока коллектора i_K(t) и напряжения u_K(t). Для классов А и В определить максимальную амплитуду неискаженного синусоидального выходного сигнала, а для класса D максимальную амплитуду прямоугольных выходных импульсов.

Рис. 8. Нагрузочная диаграмма для усилительного каскада на биполярном

транзисторе.