5.1. Пояснения к работе.

Транзистор является полупроводниковой структурой, в которой организованы два p-n перехода: переход коллектор - база и переход база - эмиттер. Каждый из переходов может изучаться отдельно как обычный диод. Этот факт используется даже при математическом моделировании транзистора. На рис. 5.1 представлена самая распространенная модель транзистора.

Р ис. 5.1. Модель Эберса-Молла для транзистора

На рис. 5.1 используются следующие обозначения:

R1- сопротивление тела базы;

R 2, R 3 – сопротивления утечки переходов;

R 4, R 5 – сопротивления тела коллектора и эмиттера;

С1, С2 – емкости переходов;

VD1, VD2 – переходы;

J(u) – управляемый источник тока, моделирующий нелинейный участок характеристики.

5.2. Программа работы.

Собираем схему лабораторной установки, представленную на рис. 5.2.

Рис. 5.2 Схема лабораторной установки.

Схему рис. 5.2 следует рассматривать как принципиальную, т.к. для снятия прямой и обратной характеристик каждого из диодов надо переключать выводы транзистора и нагрузку (позиция 1, 2), создавая на них необходимую полярность напряжения. Во всем остальном порядок выполнения работы аналогичен лабораторной работе № 4. Результаты измерений характеристик в прямом направлении заносятся в таблицу 5.1.

Таблица 5.1.

№ п/п		1	2	3	……	n
p-n	U
э-б	I				……
	R
p-n	U				……
к-б	I
	R

Результаты измерений диодов в обратном направлении заносим в таблицу 5.2.

Таблица 5.2.

№ п/п		1	2	3	……	n
p-n	U
э-б	I				……
	R
p-n	U				……
к-б	I
	R

На основании таблицы 5.1 строим характеристики диодов в прямом направлении. На основании таблицы 5.2 вычисляем обратное сопротивление каждого из диодов.

5.3. Выводы.

5.3.1. Транзистор действительно содержит два диода.

5.3.2. Транзистор может работать как элементарный усилитель, т.к. оба диода образованы на одной базе.