- Длина канала должна быть больше толщины обеднённых изолирующих слоёв (иначе происходит смыкание слоев)

58. В чём заключается проекционная фотолитография

- создание контактного фотошаблона с помощью проекционной оптической системы

- экспонирование фоторезиста с помощью проекционной оптической системы через фотошаблон большого размера

- экспонирование фоторезиста с помощью проекционной оптической системы

59. В чём заключается электронная литография

- формирование полупроводниковой структуры в кристалле облучением кремния ускоренным потоком электронов высокой энергии

- экспонирование электронорезиста с помощью сфокусированного электронного луча малых размеров

- формирование оригинала фотошаблона методом электронной обработки поверхности плёнки маскирующего материала

60. Для каких целей используется электронная литография:

- изготовление прецизионных контактных фотошаблонов с маскирующим слоем металла на поверхности

- изготовление структур полупроводниковых ИС

- изготовление структур гибридных ИС

61. Проблемы, возникающие при проекционной ФЛ

- высокая стоимость оборудования

- аберрации оптической системы, необходимость жёсткости конструкции, устранение вибраций

- высокие напряжения, приводящие к возникновению рентгеновского излучения

62. Проблемы, возникающие при электронной литографии

- высокая стоимость оборудования

- рассеяние электронов в электронном резисте, сложность фокусировки пучка при больших ускоряющих напряжениях

- высокие напряжения, приводящие к возникновению рентгеновского излучения

63. Проблемы, возникающие при ионно-лучевой литографии

- высокая стоимость оборудования, аберрации оптической системы, необходимость жёсткости конструкции, устранение вибраций

- рассеяние электронов в электронном резисте, сложность фокусировки пучка при больших ускоряющих напряжениях

- создание ионной оптики, управление пучком ионов или создание маски для пучка ионов, получение устойчивых моноэнергетических пучков ионов достаточной интенсивности, высокая стоимость оборудования

64. Недостатки диффузионного легирования

- размывание краёв области легирования из-за диффузии под окисел

- ограниченная точность из-за расплывания диффузионной области

- высокая стоимость технологического оборудования

65. Достоинства диффузионного легирования

- высокая точность

- простота и невысокая стоимость оборудования

- высокая точность и производительность

66. Недостатки ионной имплантации

- размывание краёв области легирования из-за диффузии под окисел

- ограниченная точность из-за расплывания диффузионной области

- высокая стоимость технологического оборудования

67. Достоинства ионной имплантации

- резкие края зоны легирования, можно получить заглубленное легирование

- простота и невысокая стоимость оборудования

- высокая точность и производительность

68. Что называется кластером в наноэлектронике

- кластерами называются нанообъекты, состоящие из сравнительно небольшого числа атомов или молекул, от сотен до миллионов

- кластерами называются нанообъекты, состоящие из сравнительно небольшого числа атомов или молекул, от единиц до сотен тысяч, имеющие наноразмеры по трём направлениям

- кластерами называются нанообъекты, состоящие из сравнительно небольшого числа атомов или молекул, от сотен до миллионов, имеющие наноразмеры по трём направлениям

69. Что называется магнитным кластером

- разупорядочивание магнитных моментов отдельных атомов кластера

- выстраивание всех магнитных моментов в различных направлениях по отношению к какой либо оси симметрии кластера

- выстраивание всех магнитных моментов в одном направлении по отношению к какой либо оси симметрии кластера

70. Метод получения малых углеродных кластеров

- для получения кластеров углерода может быть использовано лазерное испарение углеродной подложки в потоке гелия

- для получения кластеров углерода может быть использовано термовакуумное испарение углеродной подложки

- для получения кластеров углерода может быть использовано электронное испарение углеродной подложки в потоке кислорода

71. Что такое фуллерен С

- молекула углерода, похожая на букву С и состоящая из 60 атомов углерода