89. Принцип работы стандарта постоянного тока

- Принцип его работы основан на стабилизации частоты одноэлектронных колебаний с помощью внешнего высокочастотного источника с характерной частотой. Стабилизация фазы обеспечивает передачу определенного количества электронов за период внешнего высокочастотного сигнала и, таким образом, генерацию постоянного тока, который фундаментально связан с частотой

- Принцип его работы основан на стабилизации фазы одноэлектронных колебаний с помощью внешнего высокочастотного источника с характерной частотой. Стабилизация фазы обеспечивает передачу определенного количества электронов за период внешнего высокочастотного сигнала и, таким образом, генерацию постоянного тока, который фундаментально связан с частотой

- перенос носителей заряда через потенциальный барьер с определенного уровня в эмиттирующей области на энергетически эквивалентный ему уровень в квантовом колодце происходит с сохранением энергии и импульса электрона. Такое совпадение уровней приводит к возрастанию туннельного тока

90. Принципы работы логических элементов, управляемых напряжением

- перенос носителей заряда через потенциальный барьер с определенного уровня в эмиттирующей области на энергетически эквивалентный ему уровень в квантовом колодце происходит с сохранением энергии и импульса электрона. Такое совпадение уровней приводит к возрастанию туннельного тока

- один бит информации представлен наличием или отсутствием одного электрона в проводящем островке

- напряжение, подаваемое на затвор, контролирует ток в цепи исток-сток одноэлектронного транзистора

91. Принципы работы логических элементов , управляемых зарядом

- перенос носителей заряда через потенциальный барьер с определенного уровня в эмиттирующей области на энергетически эквивалентный ему уровень в квантовом колодце происходит с сохранением энергии и импульса электрона. Такое совпадение уровней приводит к возрастанию туннельного тока

- Один бит информации представлен наличием или отсутствием одного электрона в проводящем островке

- напряжение, подаваемое на затвор, контролирует ток в цепи исток-сток одноэлектронного транзистора

92. Преимущества одноэлектронных приборов по сравнению с известными биполярными и полевыми полупроводниковыми транзисторами

- намного меньшие размеры и расширенные функциональные возможности

- намного меньшие размеры, сверхвысокое быстродействие, высокая удельная мощность рассеяния

- намного меньшие размеры

93. Недостатки одноэлектронных приборов по сравнению с известными биполярными и полевыми полупроводниковыми транзисторами

- работоспособность одноэлектронных транзисторов обычно ограничена областью низких температур; одноэлектронные транзисторы имеют высокий выходной импеданс из-за высокого сопротивления туннельных переходов; существуют трудности в воспроизводимости характеристик одноэлектронных приборов в связи с появлением неконтролируемого заряда вблизи островка

- работоспособность одноэлектронных транзисторов обычно ограничена областью низких температур; одноэлектронные транзисторы имеют высокий выходной импеданс из-за высокого сопротивления туннельных переходов; напряжение исток сток для одноэлектронных транзисторов должно быть меньше, чем амплитуда (размах) напряжения затвора; существуют трудности в воспроизводимости характеристик одноэлектронных приборов в связи с появлением неконтролируемого заряда вблизи островка

- работоспособность одноэлектронных транзисторов обычно ограничена областью низких температур; одноэлектронные транзисторы имеют высокий выходной импеданс из-за высокого сопротивления туннельных переходов; напряжение исток сток для одноэлектронных транзисторов должно быть меньше, чем амплитуда (размах) напряжения затвора; существуют трудности в воспроизводимости характеристик одноэлектронных приборов в связи с появлением неконтролируемого заряда вблизи островка; низкие функциональные возможности

94. Резонансно-туннельный диод представляет собой

- периодическая структура, которая состоит из последовательно расположенных p-n переходов, разделенных потенциальными барьерами, с электрическими контактами к двум крайним противоположным областям

- периодическая структура, которая состоит из последовательно расположенных квантовых колодцев, разделенных нанокластерами, с электрическими контактами к двум крайним противоположным областям

- периодическая структура, которая состоит из последовательно расположенных квантовых колодцев, разделенных потенциальными барьерами, с электрическими контактами к двум крайним противоположным областям

95. Вольт-амперная характеристика резонансного туннельного диода

- имеет максимум и участок с отрицательным дифференциальным сопротивлением

- имеет максимум и участок с положительным дифференциальным сопротивлением

- имеет минимум и участок с отрицательным дифференциальным сопротивлением

96. Резонансно-туннельный транзистор представляет собой

- периодическая структура, которая состоит из последовательно расположенных квантовых колодцев, разделенных нанокластерами, с электрическими контактами к двум крайним противоположным областям

- управляемые затвором в виде барьеров Шоттки или p-n-переходов резонансно-туннельные диоды

- периодическая структура, которая состоит из последовательно расположенных p-n переходов, разделенных потенциальными барьерами, с электрическими контактами к двум крайним противоположным областям

97. Целью спинтроники является

- создание элементов электронной обработки информации с использованием в качестве носителей информации спина электрона

- создание элементов электронной обработки информации с использованием в качестве носителей информации как заряда электрона, так и его спина и механического момента

- создание элементов электронной обработки информации с использованием в качестве носителей информации как заряда электрона, так и его спина

98. Сущность эффекта гигантского магнитосопротивления

- значительное изменение сопротивления материалов при помещении их в магнитном поле

- значительное изменение магнитной проницаемости материалов при помещении их в магнитном поле

- значительное изменение диэлектрической проницаемости материалов при помещении их в магнитном поле

99. Сущность спин-зависимого туннелирования

- структура имеет высокое сопротивление, когда два ферромагнитных слоя имеют одинаковые направления намагниченности; сопротивление структуры значительно уменьшается, когда намагниченности слоев станут однонаправленными во внешнем магнитном поле

- структура имеет высокое сопротивление, когда два ферромагнитных слоя имеют разные направления намагниченности; сопротивление структуры значительно уменьшается, когда намагниченности слоев станут однонаправленными во внешнем магнитном поле

- структура имеет низкое сопротивление, когда два ферромагнитных слоя имеют разные направления намагниченности; сопротивление структуры значительно возрастает, когда намагниченности слоев станут однонаправленными во внешнем магнитном поле

100. Сущность эффекта Кондо

- в металлах, содержащих небольшое количество магнитных примесей, таких, как Fe, Co, Ni, сопротивление при очень высоких температурах уменьшается

- структура имеет высокое сопротивление, когда два ферромагнитных слоя имеют одинаковые направления намагниченности; сопротивление структуры значительно уменьшается, когда намагниченности слоев станут однонаправленными во внешнем магнитном поле

- в металлах, содержащих небольшое количество магнитных примесей, таких, как Fe, Co, Ni, сопротивление при очень низких температурах увеличивается

101. Назначение и применение спин-вентильной головки

- считывание информации магнитных битов, которые записаны на поверхности дисков или лент в виде по-разному ориентированных магнитных областей (доменов)

- считывание информации, которая записаны на поверхности магнитных дисков или лент

- считывание информации магнитных битов, которые записаны в объёме дисков или лент в виде по-разному ориентированных магнитных областей (доменов)

102. Энергонезависимая память на гигантском магнитосопротивлении

- элементы памяти используют эффект резонансного туннелированы

- элементы памяти используют эффект гигантского магнитосопротивления

- элементы памяти используют эффект Холла

103. Энергонезависимая память на спин-зависимом туннелировании

- периодическая структура, которая состоит из последовательно расположенных квантовых колодцев, разделенных нанокластерами, с электрическими контактами к двум крайним противоположным областям

- периодическая структура, которая состоит из последовательно расположенных p-n переходов, разделенных потенциальными барьерами, с электрическими контактами к двум крайним противоположным областям

- сформирована из двух ортогональных в плоскости массивов параллельных ферромагнитных дорожек, разделенных в пространстве тонким изолирующим слоем; каждое пересечение дорожек действует как магнитный туннельный переход

104. Спин-вентильный транзистор

- трехвыводной прибор, базовая область транзистора содержит металлический, многослойный спиновой вентиль между двумя областями кремния n-типа проводимости, действующими как эмиттер и коллектор

- трехвыводной прибор, базовая область транзистора содержит металлический, многослойный вентиль между двумя областями кремния р-типа проводимости, действующими как эмиттер и коллектор

- периодическая структура, которая состоит из последовательно расположенных p-n переходов, разделенных потенциальными барьерами, с электрическими контактами к двум крайним противоположным областям

105. Варианты нанолитографии

- оптическая, рентгеновская и электронно-лучевая литографии

- методы, использующие сканирующие зонды; оптическая, рентгеновская и электронно-лучевая литографии, нанопечать

- методы, использующие сканирующие зонды, нанопечать

106. Сущность нанопечати

- механическое вдавливание жесткого штампа в полимерную пленку резиста при повышенной температуре

- оптическая, рентгеновская и электронно-лучевая литографии

- методы, использующие сканирующие зонды

107. Сущность самоупорядочения

- процесс адсорбции и специфического расположения молекул в объёме

- процесс специфического расположения молекул на твердой поверхности

- процесс адсорбции и специфического расположения молекул на твердой поверхности

108. Молекулярные блоки для самоупорядочения должны содержать основные функциональные группы

- группу, прикрепляющую их к поверхности и поверхностную функциональную группу

- группу, прикрепляющую их к поверхности, промежуточную группу и поверхностную функциональную группу

- группу, фиксирующую их в объёме, промежуточную группу и поверхностную функциональную группу

109. Что такое технологический маршрут?

- это изготовление полупроводниковых схем.

- это последовательность технологических операций обработки полупроводниковых пластин для изготовления интегральных микросхем.

- это операционная карта обработки полупроводниковых пластин.

110. Основные операции изготовления полупроводниковых чипов

- подготовка пластин, создание топологического рисунка, получение p-n перехода база-коллектор, получение p-n перехода эмиттер-база, контактная металлизация и разделение на чипы.

- подготовка пластин, получение p-n переходов, создание топологического рисунка, контактная металлизация и разделение на чипы.

- подготовка пластин, получение p-n переходов, контактная металлизация, создание топологического рисунка и разделение на чипы.

111. Назовите основные свойства полупроводниковых материалов

- монокристалличность структуры, однородность легирующей примеси, стойкость к атмосферному воздействию, температуростойкость.

- монокристалличность структуры, термостойкость, влагостойкость, бездефектность структуры, малый вес.

- монокристалличность структуры, термостойкость, влагостойкость, малый вес, теплопроводность.

112. Обработка свободным абразивом основана

- на образование в полупроводнике микротрещин и скалывания участков пластины.

- на скалывание частиц полупроводника.

- на истирание поверхности полупроводника.

113. Резка полупроводниковых слитков проводится

- алмазным диском с внутренней режущей кромкой, стальными полотнами.

- стальными полотнами; дисками с алмазной кромкой.

- лазером, стальными полотнами.

114. Преимущество резки алмазным диском с внутренней режущей кромкой

- высокая производительность, 3-4 класс чистоты обработки, разброс по толщине ± 20 мкм, малые отходы.

- производительность, 7-8 класс чистоты поверхности, малый разброс по толщине, малые отходы материала.

- производительность, 7-8 класс чистоты, малые отходы, малые коробления.

115. Достоинство инно-плазменной обработки подложек