- •Расчёт усилителей на биполярных транзисторах
- •Содержание
- •Приложение 1. Принципиальная схема 30 Приложение 2. Перечень элементов 31 Введение
- •1 Исходные данные
- •2 Выбор режима работы транзистора
- •3 Расчет делителя в цепи базы
- •4 Определение h-параметров транзистора по статическим характеристикам
- •7 Оценка нелинейных искажений каскада
- •5 Расчет параметров элементов схемы замещения транзистора
- •6 Расчёт основных параметров каскада
- •8 Выбор резисторов и конденсаторов
- •Заключение
- •Список литературы
1 Исходные данные
1. Тип активного элемента |
Биполярный транзистор |
2. Схема включения активного элемента |
С общим эмиттером |
3. Используемый активный элемент |
КТ301Е |
4. Напряжение источника питания, Eп |
12 В |
5. Номинал резистора в цепи, Rк |
2,2 кОм |
6. Номинал резистора в выходной цепи, Rн |
3,0 кОм |
Кремневые планарные n-p-n-транзисторы предназначены для усиления и генерирования колебаний на частотах до 60 МГц.
Корпус металлический, герметичный, с гибкими выводами. Масса транзистора не более 0,5 г.
Максимально допустимые параметры
(гарантируются при температуре окружающей среды ТС = -55…+85о С):
Постоянный ток коллектора: IК max = 10 мА
Постоянный ток эмиттера: Iэ max = 10 мА
Постоянное напряжение эмиттер – база: UэБ max=3 В
Постоянное напряжение коллектор – база: U Кб max=20 В
Постоянное напряжение коллектор – эмиттер при к.з. между Э и Б: Uкэк max=20 В
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: pк max=150 мВт
Температура перехода: ТП max=120о С
Тепловое сопротивление переход-корпус: Rг. п-к=0,6 оС/мВт
Допустимая температура окружающей среды: -55≤Тmax ≤+85, оС
Классификационные параметры транзистора представлены в таблице 1.
Таблица 1 – Классификационные параметры транзистора КТ301Е.
Наименование |
Обозначение |
Значения |
Режимы измерения |
|||||
Min |
Мах |
Uк,В |
Uэ,В |
Iк, мА |
Iэ, мА |
f, МГц |
||
Обратный ток коллектора, мкА
|
IКБО |
|
10
|
20
|
|
|
|
|
Обратный ток эмиттера, мкА (при Uэ=Uэб max) |
IЭБО |
|
10 |
|
3 |
|
|
|
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В |
UКЭ нас |
|
3 |
|
|
10 |
1 |
|
Напряжение насыщения база-эмиттер, В |
UБЭ нас |
|
2,5 |
|
|
10 |
1 |
|
Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте |
∣h21Э∣ |
|
1,5 |
10 |
|
|
1,5 |
20 |
Статический коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ
|
h21Э |
40 |
120 |
10 |
|
|
3 |
|
Емкость коллекторного перехода, пФ |
|
|
10 |
20 |
|
|
|
|
Максимальная частота генерации, МГц |
Imax |
|
60 |
10 |
|
|
3 |
|
Входные и выходные характеристики:
Рисунок 2 - Семейства входных и выходных характеристики транзистора
