Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
схемотехника 1 вариант.docx
Скачиваний:
7
Добавлен:
01.05.2025
Размер:
2 Мб
Скачать
☆

1 Исходные данные

1. Тип активного элемента

Биполярный транзистор

2. Схема включения активного элемента

С общим эмиттером

3. Используемый активный элемент

КТ301Е

4. Напряжение источника питания, Eп

12 В

5. Номинал резистора в цепи, Rк

2,2 кОм

6. Номинал резистора в выходной цепи, Rн

3,0 кОм

Кремневые планарные n-p-n-транзисторы предназначены для усиления и генерирования колебаний на частотах до 60 МГц.

Корпус металлический, герметичный, с гибкими выводами. Масса транзистора не более 0,5 г.

Максимально допустимые параметры

(гарантируются при температуре окружающей среды ТС = -55…+85о С):

Постоянный ток коллектора: IК max = 10 мА

Постоянный ток эмиттера: Iэ max = 10 мА

Постоянное напряжение эмиттер – база: UэБ max=3 В

Постоянное напряжение коллектор – база: U Кб max=20 В

Постоянное напряжение коллектор – эмиттер при к.з. между Э и Б: Uкэк max=20 В

Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: pк max=150 мВт

Температура перехода: ТП max=120о С

Тепловое сопротивление переход-корпус: Rг. п-к=0,6 оС/мВт

Допустимая температура окружающей среды: -55≤Тmax ≤+85, оС

Классификационные параметры транзистора представлены в таблице 1.

Таблица 1 – Классификационные параметры транзистора КТ301Е.

Наименование

Обозначение

Значения

Режимы измерения

Min

Мах

Uк,В

Uэ,В

Iк, мА

Iэ, мА

f, МГц

Обратный ток коллектора,

мкА

IКБО

10

20

Обратный ток эмиттера, мкА (при Uэ=Uэб max)

IЭБО

10

3

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер,

В

UКЭ

нас

3

10

1

Напряжение насыщения

база-эмиттер, В

UБЭ нас

2,5

10

1

Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте

∣h21Э∣

1,5

10

1,5

20

Статический коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ

h21Э

40

120

10

3

Емкость коллекторного перехода, пФ

10

20

Максимальная частота генерации,

МГц

Imax

60

10

3

Входные и выходные характеристики:

Рисунок 2 - Семейства входных и выходных характеристики транзистора