- •1 Описание cvd-метода
- •1.1 Процессы
- •1.1.1 Основные реакции диссоциации карбонилов металлов
- •1.1.2 Основные реакции диссоциации галогенидов металлов
- •1.2 Установка для нанесения покрытий cvd методом
- •1.3 Области применения cvd-покрытий
- •2 Механизмы роста тонких пленок
- •2.1 Механизмы роста пленок на подложках
- •1Μmmmmmmmmmmmььmm
- •3 Методы исследования
- •3.1 Конфокальная микроскопия
- •2.2 Структура пленок
- •3.2 Электронная микроскопия
- •3.2.1 Трансэмиссионная (просвечивающая) микроскопия
- •3.2.2 Растровая (сканирующая) микроскопия
- •3.3 Физические методы
- •3.3.1 Магнитный метод
- •3.3.2 Токовихревой метод
- •3.3.3 Акустический метод
- •3.4 Механические испытания
- •3.4.1 Нанотвердомер
- •3.4.2 Машина трения
- •3.4.3 Высокотемпературная машина трения
- •3.4.4 Скратч – тестер
- •3.4.5 Импакт – тестер
- •4 Краткое описание технологического процесса
1.1.2 Основные реакции диссоциации галогенидов металлов
В настоящее время это самый распространенные типы реакций для получения износостойких и жаростойких покрытий. Галогенным соединениям свойственно высокое давление паров, а остаточные газообразные продукты реакции легко удаляются из реакционного объема [3].
В качестве материалов для покрытий используют карбиды, натриды, карбонитриды, бориды и силициды тугоплавких металлов IV – VI групп периодической системы элементов (IV – титан, цирконий, гафний; V – ванадий, ниобий, тантал; VI – хром, молибден, вольфрам). Применяется также оксид алюминия Al2O3 и алмазоподобные покрытия на основе углерода. Исходными продуктами служат газообразные галогениды, при взаимодействии которых с другими составляющими смесей (водородом, аммиаком, окисью углерода и прочими.) образуется покрытие. Разложение галогенида происходит за счет термохимической реакции ((1.18)…(1.21)) при Т = 1000…1100 °С. Уравнения химических реакций с образованием карбидов, нитридов и оксидов в общем виде имеют следующий вид:
- реакция образования карбидов (реакция (1.18)):
МеГ + Н2 + CnHm => MeC + HГ + Н2 (1.18)
- реакция образования нитридов (реакция (1.19)):
МеГ + Н2 + N2 => MeN + HГ + Н2 (1.19)
- реакция образования оксидов (реакция (1.20)):
МеГ + Н2 + CO2 => MeOm + HГ + CO (1.20)
- реакция образования боридов (реакция (1.21)):
МеГ + Н2 + ВГ => MenBm (1.21)
где Ме – металл; Г – галоген; m, n – целые числа.
Так как реакция осаждения покрытий происходит при высоких температурах (Т > 1000 °С), то этим методом покрытие может наноситься только на инструменты из твердого сплава и режущей керамики [3].
Наибольшее распространение в качестве материала покрытий на твердых сплавах получили карбиды, нитриды, карбонитриды титана и оксид алюминия. Свойства покрытий сильно зависят от параметров процесса газофазового осаждения. От температуры зависят структура покрытия, прочность его адгезии с твердым сплавом, причем последнее определяется также возможностью диффузионного взаимодействия пары «покрытие – твердый сплав». Взаимная диффузия повышает прочность сцепления покрытия и твердого сплава [3].
Многослойные покрытия состоят из отдельных чередующихся слоёв: нитрида титана (ТiN), среднетемпературного карбонитрида титана (МТ-ТiСN), высокотемпературного карбонитрида титана (НТ-ТiСN), оксида алюминия k-Al2O3 или α-Al2O3; карбида титана (ТiС). Процесс нанесения покрытий заключается в проведении при высокой температуре ряда последовательных химических реакций в газовой фазе на поверхности раздела "газ-твердое" между исходными компонентами: ТiCl4, СН3CN, СН4, N2, НCl, H2S, СО, СО2, Al в восстановительной атмосфере (Н2 или Ar) [3].
1. Реакция получения нитрида титана (реакция (1.22):
TiCI4 + 2Н2 + 1/2N2 = TiN + 4НСI (1.22)
Температура процесса 900…1000 ºС.
2. Реакция получения среднетемпературного карбонитрида титана (реакция (1.23)):
ТiCl4 + СН3CN + Н2 MT-ТiСN + НСI + Н2 (1.23)
Температура процесса 850…900 ºС.
3. Получение высокотемпературного карбонитрида титана (реакция (1.24)):
TiCI4 + у/2N2 + 2Н2 + хСН4 Тi(CхNу) + 4НСI , (1.24)
где х + у = 1.
Температура процесса 1000 ºС.
4. Получение k-Al2O3 и α-Al2O3 (реакции (1.25),(1.26)):
Предварительно в Al-генератор подаётся НСl для получения AlCl3 по реакции (1.25):
H2 + 3HCl + Al = AlCl3 + 2,5H2 (1.25)
Температура процесса 300 ºС.
Осаждение Al2O3 проходит в результате реакции (1.26):
2AlCl3 + 3СО2 + 3H2 = k-Al2O3 + 3СО + 6НСI (1.26)
Температура процесса 1000…1020 ºС
В ходе реакции (1.26) подаётся катализатор H2S, который способствует переносу Al2O3 на поверхность СМП.
Формирование структуры Al2O3 (α и κ модификаций) обусловлено особенностями процесса осаждения переходного слоя и его составом.
5. Получение карбида титана реакция (1.27):
ТiCl4 + СН4 + Н2 = ТiС + 4НСI + Н2 (1.27)
Температура процесса 960…1070 ºС
Водород необходим для предотвращения пиролиза метана (реакция (1.28)):
СН4 =С + 2Н2 (1.28)
При возникновении аварийных ситуаций в ходе проведения процесса реактор заполняется аргоном для предотвращения окислительных реакций на поверхности заготовок.
