- •Пояснити утворення p-n переходу в напівпровіднику.
- •2, Розкажіть про переваги схеми включення біполярного транзистора зі спільним емітером.
- •Що називається терморезисторами ? Наведіть їх умовне графічне позначення.
- •Обгрунтуйте залежність електропровідності напівпровідників від вмісту і кількості домішок.
- •Що називається варисторами? Наведіть їх умовне графічне позначення.
- •Що таке динамічний режим біполярного транзистора. Обгрунтуйте
- •Приведіть схему включення і поясніть принципи дію стабілітрона.
- •Малюнок 1.7- Вольт-амперна характеристика р-п переходу
- •Малюнок 1.- Вольт-амперна характеристика р-п переходу
- •Як називаються області кристалу біполярного транзистора? Яке їх призначення
- •Як називаються області кристалу біполярного транзистора? Яке їх призначення
- •Малюнок 1.- Вольт-амперна характеристика р-п переходу
- •Що називається варисторами? Наведіть їх умовне графічне позначення.
- •Охарактеризуйте структуру кристалу біполярних транзисторів.
- •2.Що називається варисторами? Наведіть їх умовне графічне позначення.
Що називається варисторами? Наведіть їх умовне графічне позначення.
Умовні
позначення лінійного резистора (а),
варистора (б), терморезистора
(в), фоторезистора (г)
Н
елінійні
резистори (варистори) - це такі НП
резистори, у яких питомий опір залежить
від прикладеної напруги, їх умовне
позначення наведене на мал. 2.1, 6. Варистор
має нелінійну симетричну ΒΑΧ, яку
показано на мал. 2.2.
Один з основних параметрів варистора – коефіцієнт нелінійності λ, який визначається відношенням його статичного опору Rcm до динамічного опору
Біполярний транзистор, увімкнений за схемою зі спільною базою, має Кі = 0,99. Обчислити коефіцієнт підсилення за струмом цього ж транзистора, якщо його увімкнути за схемою зі спільним емітером
Кі,= α= 0,99
Для схеми БТ з СЕ Кі,= β
β = ΔІк/(ΔІе — ΔІк) = (ΔІк/ΔІе)/(1 — ΔІк/ΔІе) = α/(1 — а).
β =0, 99/1-0,99=
№ 18
Пояснити які струми протікають в p-n переході при прямому підключені до зовнішнього джерела струму.
При прямому включенні
р-п
переходу (мал.1.) область п-типу
приєднують до негативного полюсу джерела
струму, а область р-типу
- до позитивного.
Тобто електричне поле, яке створює зовнішня напруга в р-п переході, буде направлено назустріч власному полю р-п переходу
(1.1)
Це викличе зниження потенціального бар'єру, а отже збільшення дифузійного струму головних носіїв заряду через р-п перехід
Іпр=Ідиф-Ідр, де (1.2)
Ідиф. - дифузійний струм головних носіїв заряду;
І др.- дрейфовий струм неголовних носіїв заряду.
Що таке динамічний режим біполярного транзистора. Обгрунтуйте
Д инамічний режим роботи –це робота транзистора з навантаженням і надходження вхідного сигналу.
( 1 )
де RБ, Rк- базове та колекторне навантаження, UКЕ - напруга між колектором та емітером, Ек - напруга джерела живлення.
Рівняння 1 характеризує зв'язок вихідної напруги з вхідним струмом і називається динамічною вихідною характеристикою транзистора або лінією навантаження.
Біполярний транзистор, увімкнений за схемою зі спільною базою, має Кі = 0,97. Обчислити коефіцієнт підсилення за струмом цього ж транзистора, якщо його увімкнути за схемою зі спільним емітером.
Кі,= α= 0,97
Для схеми БТ з СЕ Кі,= β
β = ΔІк/(ΔІе — ΔІк) = (ΔІк/ΔІе)/(1 — ΔІк/ΔІе) = α/(1 — а).
β =0, 97/1-0,97=
№ 16
Що називається фотодіодом? Приведіть його умовне графічне зображення.
Фотодіоди - фотоелектричні прилади з внутрішнім фотоефектом, який полягає у тому, що під дією світлової енергії відбувається іонізація атомів основної речовини та домішки. Як наслідок - струм при зворотному вмиканні зростає. Умовні позначення фотодідіода, світлодіода та варикапа наведені на мал. 2.8.
Поясніть схему зворотного включення p-n переходу до зовнішнього джерела живлення.
При зворотному включенні переходу область п-типу приєднується до позитивного полюсу джерела струму, а область р-типу до негативного.
Отже, при зворотному вмиканні р-п переходу напрямок електричного поля
джерела струму співпадає з напрямком електричного поле р-п переходу.
П
отенціальний
бар'єр при цьому зростає, струм головних
носіїв заряду Ідиф. через р-п
перехід зменшиться. Під дією електричного
поля джерела струму головні носії
зарядів будуть відходити від границі
шарів. В результаті
ширина р - п
переходу збільшується.При
зворотному включенні через р-п
перехід проходить незначний дрейфовий
струм неголовних носіїв
заряду
- Зворотне включення р-п переходу
Біполярний транзистор, який увімкнений за схемою зі спільним емітером має Кі= 49. Яке значення матиме коефіцієнт підсилення за струмом цього ж транзистора, якщо його увімкнути за схемою зі спільною базою?
Кі,= α= 0,49
Для схеми БТ з СЕ Кі,= β
β = ΔІк/(ΔІе — ΔІк) = (ΔІк/ΔІе)/(1 — ΔІк/ΔІе) = α/(1 — а).
β =0, 49/1-0,49 =
№ 14
Які струми можуть протікати в напівпровіднику? Поясніть.
Через р-п перехід проходить незначна кількість головних носіїв заряду, які мають енергію достатню для подолання потенціального бар'єру.Ці заряди створюють електронну (Інд) і діркову (Ірд) складові дифузійного струму.
Крім того через р-п перехід без перешкод проходять неголовні носії заряду – дірки з n-області і електрони із р-області. Для них електричне поле р-п переходу являється прискорюючим.Ці неголовні заряди створюють відповідно електронну (Іпе) і діркову (Іре) складові дрейфового струму. Дифузійні і дрейфові заряди направлені протилежно, тому струмі через р-п перехід
Іпд - Іпе+ Ірд - Іре = 0 – струм через р-п перехід в непідключеному стані.
