2. Приведіть схему включення і поясніть принципи дію стабілітрона.

НП діод, на якому напруга в зоні електричного пробою майже не залежить від струму, називається стабілітроном. Як постає з ΒΑΧ, наведеної на мал. 1, в зоні пробою напруга на стабілітроні майже не залежить від струму через нього І_ст .

С табілітрони використовують для стабілізації напруги.

Малюнок 1- Умовне позначення та ΒΑΧ стабілітрона

Щоб запобігти тепловому пробою, їх конструкція повинна забезпечити ефективне відведення тепла(масивний корпус,значна площа р-п переходу).

сновними параметрами стабілітрона є:

- напруга стабілізації U , що становить від 1 до 1000 В;

динамічний опір на ділянці стабілізації (характеризує зміну величи­ни напруги на приладі зі змінами струму крізь нього) що складає від одиниць до десятків Ом

; (2.3)

-мінімальний струм стабілізації І_стmin - мінімальний струм, при якому прилад гарантовано знаходиться в режимі стабілізації – складає одиниці міліампер;

- максимальний струм стабілізації І_ст - максимально допустимий струм через прилад, досягає (0,02 ·*· 1,5) А.

Н айпростіша схема стабілізації наведена на мал. 2.

Малюнок 2. - Схема о стабілізатора напруги

3. По вихідним характеристикам транзистора ГТ320А, включеного по схемі з загальним емітером, визначити коефіцієнт підсилення по струму β для точки А, яка зарактеризується напругою колектор-еміттер Uke = 5 В, і струм бази Іб = 1 мА.

1. Перемалюємо вихідну характеристику транзистора ГТ320А, з СЕ.

2. Визначаємо місцеположення робочої точки А на ВАХ ГТ320А- Uke = 5 В, і струм бази Іб = 1 мА.

3. β = ΔІ_к/ΔІ_б ΔІ_к= ΔІ_{к макс.-} ΔІ_кмін.; ΔІ_б= ΔІ_бмакс- ΔІ_бмін.

№ 17

1. В чому полягає різниця в конструкції діода і транзистора Пояснити.

Різниця полягає в структурі кристалу і кількості зовнішніх виводів.

У транзистора кремнієву пластина складається з трьох ділянок. Дві крайні ділянки завжди мають однаковий тип провідності, а середня — протилежний, у діода – 2 області – анод, катод. і 1 р-п перехід.

2. Поясніть принципи дії світлодіода, наведіть його умовне графічне зображення

Світлодіоди - перетворюють енергію електричного поля в нетеплове оптичне випромінювання. При протіканні струму через діод з ар­сеніду галію рекомбінація носіїв заряду супроводжується не тільки ви­діленням тепла, як, наприклад, у кремнієвого діода, а ще й квантів світла.

3. Вхідний сигнал біполярного транзистора змінюється в межах 10 мВ, а вихідний - 1,2 В. Обчислити коефіцієнт підсилення за на­пругою.

Кu= U вих.. / U вх.= 10*0.001/1,2

Варіант № 2

1. Накресліть вольт-амперну характеристику p-n переходу і поясніть його вентильні властивості.

Вольт-амперна характеристика показує залежність струму струм через р-п перехід від величини і полярності прикладеної напруги. Цю залежність виражають формулою

При зростанні від нуля зворотної напруги U_зв, швидкість руху головних носіїв через перехід зростає. При U_зв=U_п швидкість рухомих носіїв така, що їх енергії вистачає для виникнення в матеріалі ударної іонізації - вибивання додаткових носіїв заряду.