- •Требования по технике безопасности
- •Исследование вольт-амперной характеристики полупроводникового диода
- •1. Общие сведения
- •2. Методика выполнения работы
- •3. Содержание отчета
- •4. Контрольные вопросы и задания
- •Исследование вольт-амперной характеристики стабилитрона
- •1. Общие сведения
- •2. Методика выполнения работы
- •3. Содержание отчета
- •4. Контрольные вопросы и задания
- •Исследование вольт-амперной характеристики туннельного диода
- •1. Общие сведения
- •2. Методика выполнения работы
- •3. Содержание отчета
- •4. Контрольные вопросы и задания
- •Исследование вольт-амперной характеристики светоизлучающего диода
- •1. Общие сведения
- •2. Методика выполнения работы
- •3. Содержание отчета
- •4. Контрольные вопросы и задания
- •Исследование основных характеристик диодной оптопары
- •1. Общие сведения
- •2. Методика выполнения работы
- •3. Содержание отчета
- •4. Контрольные вопросы и задания
- •Исследование вольт-амперных характеристик транзистора с оэ
- •1. Общие сведения
- •2. Методика выполнения работы
- •3. Содержание отчета
- •4. Контрольные вопросы и задания
- •Исследование вольт-амперных характеристик транзистора с об
- •1. Общие сведения
- •2. Методика выполнения работы
- •3. Содержание отчета
- •4. Контрольные вопросы и задания
- •Исследование основных характеристик полевого транзистора с управляющим p-n-переходом
- •1. Общие сведения
- •2. Методика выполнения работы
- •3. Содержание отчета
- •4. Контрольные вопросы и задания
- •Исследование вольт-амперной характеристики триодного тиристора
- •1. Общие сведения
- •2. Методика выполнения работы
- •3. Содержание отчета
- •4. Контрольные вопросы и задания
- •Оглавление
2. Методика выполнения работы
2.1. Исследование входных ВАХ транзистора по схеме ОЭ.
2.1.1. Из элементов, приготовленных к работе, собрать схему для исследования основных характеристик транзистора (рис. 3), подключить генератор тока ГТ, генератор напряжения ГН2 и измерительные приборы с помощью соединительных проводов и съёмных элементов. Проверить правильность установки транзистора в съёмном элементе.
Измерение тока базы IБ осуществляется амперметром АВМ1 с пределом измерения 10 мА. Для измерения напряжения UБЭ используется вольтметр АВМ2 с пределами измерения 0,5 и 1 В. Напряжение UКЭ задаётся от ГН2, а контролируется измерителем выхода ИВ (положение переключателя “ГН2”) с пределом измерения 25 В.
Гнёзда амперметра PA2 на сменной панели замкнуть между собой коротким соединительным проводом.
Собранную схему показать преподавателю.
Включить тумблер “Сеть”.
Таблица 1
|
UКЭ = 0 В |
||||||
IБ, мА |
|
|
|
|
|
|
|
UБЭ, В |
|
|
|
|
|
|
|
|
UКЭ = 5 В |
||||||
IБ, мА |
|
|
|
|
|
|
|
UБЭ, В |
|
|
|
|
|
|
|
|
UКЭ = 10 В |
||||||
IБ, мА |
|
|
|
|
|
|
|
UБЭ, В |
|
|
|
|
|
|
|
2.1.3. Установить напряжение UКЭ=5 В. Для этого подключить отрицательный соединительный провод между ГН2 и сменной панелью. Ручками “ГРУБО” и “ТОЧНО” выставить на выходе ГН2 напряжение 5 В. Повторить измерения тока базы и напряжения UБЭ. Результаты занести в табл. 1. Повторить измерения ещё раз при UКЭ=10 В.
По результатам измерений построить график входных ВАХ транзистора.
2.2. Исследование выходных ВАХ транзистора по схеме ОЭ.
2.2.1. Собрать схему выходной цепи транзистора, не разбирая при этом входную цепь.
Измерение выходного тока коллектора осуществляется амперметром АВМ1 с пределами измерения 0, 5, 1 и 5 мА (при токе IБ =0 использовать микроамперметр АВО). Ток базы измеряется амперметром АВМ2. Напряжение UБЭ не измеряется. Выходное напряжение UКЭ определяется по прибору ИВ. Собранную схему показать преподавателю.
Включить тумблер “Сеть”.
2.2.2. Установить значение IБ =0. Для этого разомкнуть отрицательный соединительный провод между ГТ и панелью. Ручками “ГРУБО” и “ТОЧНО” увеличивать на ГН2 напряжение приблизительно через 2...3 В. Регистрировать значения коллекторного тока IК и напряжения UКЭ в табл. 2. Получить не менее 6...8 отсчетов. Экспериментальные точки дол-
Таблица 2
|
IБ=0 мА |
||||||
UКЭ, В |
|
|
|
|
|
|
|
IК, мА |
|
|
|
|
|
|
|
|
IБ=0,1 мА |
||||||
UКЭ, В |
|
|
|
|
|
|
|
IК, мА |
|
|
|
|
|
|
|
|
IБ=0,2 мА |
||||||
IБ, мА |
|
|
|
|
|
|
|
UБЭ, В |
|
|
|
|
|
|
|
|
IБ=0,4 мА |
||||||
IБ, мА |
|
|
|
|
|
|
|
UБЭ, В |
|
|
|
|
|
|
|
жны быть расположены приблизительно равномерно по всему диапазону изменения напряжения.
2.2.3. Установить значение IБ =0,1 мА. Для этого замкнуть отрицательный соединительный провод между ГТ и панелью. Установить на выходе ГТ требуемый ток. Повторить измерения, описанные в п.2.2.2. Результаты занести в табл. 2.
Повторить измерения для значений IБ =0,2 и 0,4 мА. При необходимости изменить пределы измерения тока.
По результатам измерений построить график выходных ВАХ транзистора.
