3. Содержание отчета

3.1. Титульный лист.

3.2. Цель работы.

3.3. Схемы электрические принципиальные для исследования входной и выходной ВАХ транзистора.

3.4. Результаты измерений, сведенные в таблицы.

3.5. Результаты измерений в виде графиков зависимостей I _Б=f(U_БЭ) и I _К=f(U_КЭ).

3.6. Основные справочные параметры исследуемого транзистора.

3.7. Выводы о работе.

4. Контрольные вопросы и задания

4.1. Какой из p-n-переходов транзистора обычно имеет большую пло-щадь и почему?

4.2. Почему коэффициент передачи тока эмиттера меньше единицы?

4.3. Объясните принцип действия транзистора p-n-p-типа.

4.4. Что такое граничная частота f_гр ?

4.5. Существуют ли принципиальные отличия между транзисторами типов p-n-p и n-p-n?

4.6. Назовите основные схемы включения транзисторов.

4.7. Чем отличаются транзисторы КТ312А и 2Т312А?

4.8. Приведите входные и выходные характеристики кремниевого тра-нзистора при включении его по схеме с общим эмиттером.

Лабораторная работа № 7

Исследование вольт-амперных характеристик транзистора с об

Цель работы. Исследовать вольт-амперные характеристики (ВАХ) биполярного транзистора включенного по схеме с общей базой (ОБ).

Оборудование. Лабораторный стенд 87Л-01, сменная панель 5.

Объекты исследования. Транзистор МП40А или аналогичный.

1. Общие сведения

Схема ОБ ( рис. 1) менее распространена, чем схема ОЭ, так как не даёт усиления по току. Ток во входной цепи I_Э практически равен току в выходной цепи I_К. Поэтому усиление по току в данной схеме отсутствует. В ней происходит усиление по мощности, поскольку источник питания в цепи коллектора имеет большее напряжение, чем в цепи эмиттера.

В схеме ОБ входной цепью является цепь эмиттера, а выходной - цепь коллектора (см. рис. 1).

Наибольшее значение для применения транзисторов имеют два вида характеристик - входные и выходные.

Входные характеристики транзистора показывают зависимость тока эмиттера от напряжения Э-Б при постоянном напряжении К-Б: I_Э=f(U_ЭБ) при U_КБ=const.

Выходные характеристики транзистора I_К = f(U_КБ) при I_Э=const показывают зависимость тока коллектора от напряжения К-Б при постоянном токе эмиттера. Выходная характеристика при I_Э=0 имеет вид, соответствующий обратной ветви вольт-амперной характеристики диода, так как коллекторный переход включен в обратном направлении. При построении этих характеристик вправо принято откладывать обратное напряжение коллектора (отрицательное напряжение для p-n-p-транзисторов).

Термины, определения и обозначения параметров биполярных транзисторов приведены в ГОСТ 20003-74. Различают собственные параметры транзистора, h-параметры, предельные эксплуатационные и электрические параметры. Основные параметры биполярных транзисторов см. в лабораторной работе № 6. Отличительными параметрами транзистора для схемы ОБ являются:

1) статический коэффициент передачи тока эмиттера в режиме малого сигнала h_21б ();

2) обратный ток коллектора I_КБО - ток через коллекторный переход при разомкнутом выводе эмиттера.