- •1 Раздел. Физические основы механики Кинематика
- •Ускорение точки
- •Динамика поступательного движения
- •Динамика вращательного движения
- •Основы молекулярно- кинетической теории (мкт)
- •Основное уравнение молекулярно- кинетической теории газов
- •Термодинамика
- •1Закон термодинамики:
- •Раздел III. Электростатика. Постоянный ток Электростатика
- •Постоянный ток
- •Раздел IV. Магнитное поле в вакууме
- •Раздел V. Оптика
- •Квантовая оптика
- •Масса и импульс фотона
- •Раздел VI. Строение атома и ядра
- •Радиоактивность
Основы молекулярно- кинетической теории (мкт)
Количество одного вещества
где N –количество молекул вещества NA – постоянная Авагадро; m- масса вещества; М- молярная масса вещества
Количество вещества смеси
Молярная масса смеси газов
Концентрация вещества
где V- объем вещества;
-
плотность вещества.
Закон Дальтона, определяющий давление смеси газов р=р1 + р2 + … +рn,
где pi- парциальное давление компонентов смеси.
Основное уравнение молекулярно- кинетической теории газов
где р- давление газа, n –
концентрация частиц (количество молекул
в единице объема), m0
– масса одной молекулы,
- средняя квадратичная скорость молекул,
-
средняя кинетическая энергия
поступательного движения молекулы,
i-
степень свободы газа, Т- термодинамическая
температура.
Средняя скорость молекул газа:
Квадратичная
Арифметическая
наиболее вероятная
где R – универсальная газовая постоянная
Средняя длина свободного пробега
где <z> среднее количество соударений молекулы газа за единицу времени; d- эффективный диаметр молекулы .
Уравнения переноса:
а) диффузии
где D- коэффициент диффузии
-
площадь поперечного сечения расчетного
диффузионного потока;
продолжительность
диффузии;
-градиент концентрации молекул; m
– диффундирующая масса вещества;
градиент плотности вещества в направлении
потока массы.
б) теплопроводности
где
-коэффициент
теплопроводности
Q-теплота, проходящая
через площадку S,
перпендикулярно направлению
теплопроводности (ось х) за время t;
-градиент
температуры;
в) вязкого трения
где
-коэффициент
вязкости
,
Уравнение Менделеева – Клапейрона
Законы изопроцессов:
PV=const
(закон Бойля - Мариотта);
(закон
Гей - Люссака);
(закон Шарля);
p
=const
,
(уравнения Пуассона).
где
Термодинамика
1Закон термодинамики:
где Q – количество теплоты,
переданное системе (газу);
- изменение внутренней энергии; А-
работа, совершаемая газом против внешних
сил.
Внутренняя энергия идеального газа
,
где i- число степеней свободы.
Теплоемкость
удельная
молярная
молярная при постоянном объеме
молярная при постоянном давлении
молярная смеси
С=Мс
Работа идеального газа
при изобарном процессе:
при изотермическом процессе:
при адиабатном процессе:
где
-
показатель адиабаты
Изменение энтропии в обратимом процессе
где 1 и 2 – начальное и конечное состояние системы.
КПД тепловой машины
где Q1 количество теплоты, полученное рабочим телом (газом) от нагревателя;
Q2 количество теплоты, полученное рабочим телом охладителю.
КПД идеальной машины
где Т1-температура нагревателя; Т2-температура охладителя.
Раздел III. Электростатика. Постоянный ток Электростатика
Закон Кулона
,
где F - сила взаимодействия двух точечных зарядов q1 и q2; R - расстояние между зарядами; 0 - электрическая постоянная; -диэлектрическая проницаемость среды.
Напряженность электрического поля
,
где F - сила, действующая на заряд q0, находящийся в данной точке поля.
Напряженность поля
а) точечного заряда
где R - расстояние от заряда q до точки, в которой определяются напряженность и потенциал.
б) диполя
где p=ql (момент диполя); ( - угол между расстоянием от центра диполя до точки наблюдения R и длиной 1 диполя;
в) сферы: вне
где R - расстояние от центра сферы;
внутри Е=0;
г) бесконечно длинной нити:
где
линейная плотность заряда;
1 - длина нити;
- расстояние от нити до точки,
напряженность поля в которой вычисляется.
-12-
д) бесконечной плоскости: Е
=
где
,
где S - площадь поверхности, по которой распределен заряд;
е) двух бесконечных плоскостей:
Евнутри =
,
Евне = 0.
Электрическая индукция D=
E.
Теорема Гаусса:
где Dn - проекция вектора D на направление нормали к элементу поверхности, площадь которой равна dS; qсвоб заряды, охватываемые поверхностью.
Электроемкость
-
изменение потенциала, вызванное зарядом
q.
Электроемкость
а) плоского конденсатора
где S - площадь пластин конденсатора; d расстояние между ними; - диэлектрическая проницаемость диэлектрика, запопняющего пространство между пластинами.
6) параллельно соединенных
конденсаторов
в) последовательно соединенных
конденсаторов
,
Энергия
Объемная плотность, энергии
