1.Биполюсті транзисторлар

 Транзистор дегеніміз электрлік қуатты күшейтуге қабілетті, үш және одан да көп шықпалары, бір немесе одан көп p-n өткелдері бар шала өткізгішті аспап. Олар электр тербелістерін күшейтуге, генерациялауға және түрлендіруге арналған. Тасушылардың бір немесе екі типінің де ток түзуге қатысуына байланысты, бір полюсті және екі полюсті транзисторлар болып бөлінеді.

Транзисторлардың топталуы:

 

  

5.1Сурет 

а) құрылымы және жұмыс істеу принципі бойынша (5.1- сурет);

б) коллектордан таралатын ең үлкен қауіпсіз қуат бойынша:

– аз қуатты – 0,3 Вт-тан аз;

– орташа қуатты – 0,3…3 Вт;

– үлкен қуатты – 3 Вт-тан жоғары;

е) өткізгіштік облыстарының өзара орналасуы бойынша– транзисторлар

n-p-n және p-n-p болып бөлінеді.   

Биполюсті транзистор – күшейту қасиеттері заряд тасушылардың инжекциясы және экстракциясы құбылыстарымен туындайтын, өзара әрекеттесуші екі p-n өткелдері бар шала өткізгішті триод. Заряд тасушылардың екі типі де: электрондар да кемтіктер де қатысатындықтан о лар биполюсті деп аталады.

Олар үш электрод және екі p-n өткелден тұратын үш қабаттан құралады (5.2-сурет). n₁-p арасындағы аудан p-n₂ арасындағыға қарағанда әлдеқайда аз. Транзистордың құрылымы бейсимметриялы. Ауданы кіші асқын қоспаланған тасушыларды базаға инжекциялауға арналған қабаты эмиттер деп аталады (Э). Ауданы үлкен, тасушыларды базадан экстракциялауға арналған және осы тасушыларды жинайтын қабат, коллектор деп аталады (К). Тасушылардың эмиттерден коллекторға қарай қозғалысын басқаратын ортаңғы қабат, база деп аталады (Б).

Өткелдердің ығысу кернеуіне қарай үш түрлі – активті, ток тоқтату және қанығу қосылу режимдерін ажыратады:.

2.Светочувствительные устройства

­Фоторезистор ­ это старейшее из оптоэлектронных устройств. Ero внутреннее сопротивление изменяется при изменении интенсивности света. Изменение сопротивления не пропорционально интенсивности света. Фотосопротивления изrотовляют из светочувствительных материалов, таких как сульфид кадмия (CdS) или селенид кадмия (CdSe).

Фотосопротивления используются для измерения интенсивности света в фотоrрафическом оборудовании, в охранных датчиках, в устройствах автоматическоrо открывания дверей, в различном тестирующем оборудовании для измерения интенсивности света.

Фотоrальванический элемент (солнечный элемент) преобразует световую энерrию непосредственно в электрическую. Батареи солнечных элементов применяются rлавным образом для преобразования солнечной энерrии в электрическую энерrию.

­Фотодиод также использует р-n-переход и ero устройство подобно устройству солнечноrо элемента. Он используется так же,

как и фотосопротивление в качестве резистора, сопротивление KOToporo меняется при освещении. Фотодиоды ­ это полупроводниковые устройства. которые изrотовляются rлавным образом из кремния.

­Фототранзистор устроен подобно друrим транзисторам с двумя р-n-переходами. Он похож на стандартный n-p-n транзистор. Используется так же, как и фотодиод, и имеет корпус как у фотодиода, за исключением Toro, что у Hero три вывода (эмиттер, база и коллектор).