Исследованиесхем включения биполярного транзистора
Цель работы: изучение схем включения и режимов работы биполярного транзистора.
Используемое оборудование:
- лабораторный модуль «Биполярный транзистор»
- источник постоянного тока двухканальный.
Рисунок 6 - Схемы включения биполярного транзистора типаn-p-n: с общим эмиттером; с общим коллектором; с общей базой
Таблица 4 – Исследование схем включения биполярного транзистора типа n-p-n
Схема включения |
с ОЭ |
с ОК |
с ОБ |
Uвх, В |
7,3 |
10,2 |
0,84 |
Uвых, В |
8,4 |
3,8 |
2,3 |
Iвх, мА |
36 |
38 |
0,8 |
Iвых, мА |
18 |
26 |
46,5 |
h11 |
0,25 |
0.256 |
5.125 |
h12 |
0,926 |
3.03 |
0.39 |
h21 |
0,5 |
0.059 |
287.5 |
h22 |
2 |
2 |
56.09 |
Рисунок7 - Схемы включения биполярного транзистора типаp-n-p: с общим эмиттером; с общим коллектором; с общей базой
Таблица 5– Исследование схем включения биполярного транзистора типа n-p-n
Схема включения |
с ОЭ |
с ОК |
с ОБ |
Uвх, В |
0.65 |
0.94 |
0.96 |
Uвых, В |
11 |
0.3 |
11 |
Iвх, мА |
0.11 |
0.18 |
0.18 |
Iвых, мА |
2 |
0.99 |
1 |
h11 |
5.909 |
5.22 |
5.33 |
h12 |
0.059 |
3.133 |
0.087 |
h21 |
18.18 |
5.5 |
5.5 |
h22 |
3.077 |
1.053 |
1.042 |
Рисунок 8 – Передаточная характеристика (при R=100 Ом) биполярного транзистора
Вывод: В данной работе изучила схемы включения и режимы работы биполярного транзистора. Существуют три схемы включениябиполярного транзистора в усилительных каскадах: 1) схема с общим эмиттером; 2) схема с общим коллектором; 3) схема с общей базой.
Для указанных схем включения определила следующие коэффициенты:
- входное сопротивление h11=Uвх/ Iвх;
- коэффициент передачи по напряжениюh12=Uвх/ Uвых;
- коэффициент передачи по току h21=Iвых/ Iвх;
- выходная проводимость h22=Iвых/ Uвх.
А также построила передаточную характеристику (приR=100 Ом) биполярного транзистора.
В схемес фиксированным напряжением база-эмиттер режим работы транзистора задается путем подачи постоянного смещающего напряжения на базу. Напряжение смещения формируется делителем напряжения источника питания на резисторах.
Лабораторная работа № 4
Исследование характеристик полевого транзистора
Цель работы: изучение параметров, характеристик полевого транзистора.
Используемое оборудование:
- лабораторный модуль «Полевой транзистор»
- источник постоянного тока двухканальный.
Рисунок 9 - Схема исследования характеристик полевого транзистора с n-каналом
Рисунок 10 - Схема исследования характеристик полевого транзистора с индуцированным каналом
а) Снимаем входную характеристику полевого транзистора Iз=f(Uзи). Изменяя величину входного напряжения, записываю показания PV1 и PA2 и результаты заношу в таблицу 6.
Таблица 6 – Входная характеристика полевого транзистора
Uзи, В |
0 |
1 |
2 |
3 |
4 |
5 |
6 |
7 |
8 |
Ic, мА |
0 |
0,22 |
0,43 |
0,61 |
0,82 |
21,3 |
26,5 |
30,4 |
35 |
По результатам измерений построила входную ВАХ полевого транзистора.
Рисунок 11 - Входная ВАХ полевого транзистора
б) Снимаю выходные характеристики полевого транзистора Iс=f(Uси) при Uзи=const. Изменяя величину входного напряжения Uси, записываю показания приборов PV2 и PA2, для 3-х фиксированных значений напряжения (Uзи=0, Uзи=0,5Uзиmax, Uзи=Uзиmax). Контроль за величиной напряжения Uзи осуществляется с помощью вольтметра PV1. Результаты измерений заношу в таблицу 7.
Таблица 7 – Выходные характеристики полевого транзистора
Uзи=0, В |
Uзи=5, В |
Uзи=10, В |
||||
Uси, В |
Iс, мА |
Uси, В |
Iс, мА |
Uси, В |
Iс, мА |
|
VT1 2 |
0,02 |
2 |
0,03 |
2 |
0,01 |
|
4 |
0,06 |
4 |
0,06 |
4 |
0,05 |
|
6 |
0,08 |
6 |
0,09 |
6 |
0,09 |
|
8 |
0,13 |
8 |
0,12 |
8 |
0,14 |
|
VT2 2 |
0,02 |
2 |
0,03 |
2 |
0,01 |
|
4 |
0,06 |
4 |
0,06 |
4 |
0,05 |
|
6 |
0,08 |
6 |
0,09 |
6 |
0,09 |
|
8 |
0,13 |
8 |
0,12 |
8 |
0,14 |
|
По результатам измерений построила выходные ВАХ полевого транзистора.
Рисунок 12 - Выходные ВАХ полевого транзистора
Вывод: В данной работе я изучила параметры и характеристики полевого транзистора. Рассмотрела принцип действия транзистора с индуцированным и n-каналом. А также построила входную и выходные ВАХ полевого транзистора.
Лабораторная работа № 5