Исследование характеристик igbtтранзистора
Цель работы: изучение параметров IGBT транзистора.
Используемое оборудование:
- лабораторный модуль «IGBT транзистор»
- источник постоянного тока двухканальный.
Рисунок 16 – Схема исследования характеристик IGBT транзистора
Таблица 10 – Входная характеристика IGBT транзистора
Uзэ, В |
0,55 |
0,69 |
0,83 |
0,99 |
1,1 |
1,2 |
1,4 |
1,6 |
1,8 |
Iк, мА |
4 |
5 |
6 |
7 |
8 |
9 |
11 |
13 |
14 |
Таблица 11 – Выходная характеристика IGBT транзистора
Uзэ = 3В |
Uзэ = 6В
|
Uзэ = 9В
|
|||
Uкэ, В |
Iк, мА |
Uкэ, В |
Iк, мА |
Uкэ, В |
Iк, мА |
3 |
0,1 |
0,5 |
0,85 |
0,5 |
1,0 |
6 |
0,69 |
1 |
11,0 |
1 |
13 |
9 |
1,0 |
1,5 |
28,0 |
1,5 |
27 |
Рисунок 17– Входная ВАХ IGBT транзистора
Рисунок 18 – Выходные ВАХ IGBT транзистора
Вывод: В данной работе изучила параметры IGBT транзистора. Построила входную и выходные ВАХ IGBT транзистора. Входная характеристика практически не зависит от напряжения Uкэ. Выходные характеристики почти прямолинейны в широком диапазоне изменения напряжения.
Лабораторная работа № 7
Исследование схем включения igbt транзистора
Цель работы: изучение режимов работы и схем включения IGBT транзистора.
Используемое оборудование:
- лабораторный модуль «IGBT транзистор»
- источник постоянного тока двухканальный.
Рисунок 19 - Схемы включения IGBT транзистора: с общим эмиттером; с общим коллектором; с общим затвором
Таблица 12 – Исследование схем включения IGBT транзистора
Схема включения |
С общим эмиттером |
С общим коллектором |
С общим затвором |
Uвх, В |
2 |
1 |
1 |
Uвых ,В |
12 |
0 |
12 |
Iвх, мА |
0 |
1 |
0 |
Iвых , мА |
2 |
1 |
2 |
Рисунок 20 –Передаточная характеристика ( при R=100 Ом)IGBT транзистора
Вывод:В данной работе изучила схемы включения и режимы работы IGBT транзистора. IGBT-приборы являются компромиссным техническим решением, позволившим объединить положительные качества как биполярных (малое падение напряжения в открытом состоянии, высокие коммутируемые напряжения), так и MOSFET-транзисторов (малая мощность управления, высокие скорости коммутации). В то же время потери у них растут пропорционально току, а не квадрату тока, как у полевых транзисторов. Максимальное напряжение IGBT-транзисторов ограничено только технологическим пробоем и уже сегодня выпускаются приборы с рабочим напряжением до 4000 В. При этом остаточное напряжение на транзисторе во включенном состоянии не превышает 2…3 В.
Усилительные свойства IGBT-прибора характеризуются крутизной S, которая определяется усилительными свойствами МДП и биполярного транзисторов в структуре IGBT. Соответственно, значение крутизны для IGBT является более высоким в сравнении с биполярными и МДП транзисторами.
Лабораторная работа №8