- •Введение
- •Описание лабораторной установки
- •Лабораторная работа № 1 исследование характеристик и параметров полупроводниковых диодов
- •Краткие сведения о полупроводниковых диодах и стабилитронах
- •Задание и порядок выполнения работы
- •Обработка экспериментальных данных
- •Выполнение отчета
- •3. Снять обратную ветвь вах диодов vd1 и vd2.
- •4. Снять обратную ветвь вах стабилитрона vd3.
- •5. Определить внутреннее сопротивление измерителя тока для всех использованных при снятии вах пределов измерения.
- •6. Определить внутреннее сопротивление вольтметра для всех использованных при снятии вах пределов измерения.
- •Вопросы для самоконтроля и подготовки к защите
- •Лабораторная работа № 2 исследование биполярного транзистора. Модель эберса-молла
- •Краткие сведения о биполярных транзисторах
- •Задание и порядок выполнения работы
- •Снять семейство выходных вах транзистора в нормальном включении для трёх значений тока базы.
- •Обработка экспериментальных данных
- •Выполнение отчета
- •Вопросы для самоконтроля и подготовки к защите
- •Лабораторная работа № 3 исследование полевого транзистора
- •Краткие сведения о полевых транзисторах
- •Задание и порядок выполнения работы
- •Снять семейство выходных характеристик полевого транзистора.
- •Обработка экспериментальных данных
- •Выполнение отчета
- •Вопросы для самоконтроля и подготовки к защите
- •Лабораторная работа № 4 исследование биполярного транзистора в режиме переключения
- •Краткие сведения о работе биполярного транзистора в ключевом режиме
- •Задание и порядок выполнения работы
- •Выполнение отчета
- •Вопросы для самоконтроля и подготовки к защите
- •Приложение 1 Справочные данные полупроводниковых диодов
- •Приложение 2 Справочные данные стабилитронов
- •Приложение 3 Справочные данные биполярных транзисторов
- •Приложение 4 Справочные данные полевых транзисторов
- •Приложение 5 Формы отчетов по лабораторным работам Форма отчета по Лабораторной работе № 1
- •Снятие вах германиевого и кремниевого диодов
- •Снятие вах биполярного транзистора
- •Определение h-параметров биполярного транзистора по вах
- •Выводы по результатам работы Форма отчета по Лабораторной работе № 3
- •Выводы по результатам работы Список рекомендованной литературы
Приложение 2 Справочные данные стабилитронов
Д814А, Д814Б
Стабилитроны общего назначения кремниевые сплавные. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Номинальное напряжение стабилизации при Iпр=5 мА:
Д814А – 8 В,
Д814Б – 9 В.
Разброс напряжения стабилизации при Iпр=5 мА:
Д814А – от 7,0 до 8,5 В,
Д814Б – от 8,0 до 9,5 В.
Температурный коэффициент напряжения стабилизации при температуре от 303 до 398 К не более:
Д814А – 0,07 %/К,
Д814Б – 0,08 %/К.
Дифференциальное сопротивление при Iпр=5 мА, не более:
Д814А – 6 Ом,
Д814Б – 10 Ом.
Постоянное прямое напряжение при Iпр=50 мА - не более 1 В.
Минимальный ток стабилизации – 3 мА.
Максимальный ток стабилизации:
Д814А – 40 мА,
Д814Б – 36 мА.
Предельный постоянный прямой ток – 100 мА.
КС133А, КС139А, КС147А, КС156А
Стабилитроны общего назначения кремниевые сплавные. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Номинальное напряжение стабилизации при Iпр=10 мА:
КС133А – 3,3 В,
КС139А – 3,9 В,
КС147А – 4,7 В,
КС156А – 5,6 В.
Разброс напряжения стабилизации при Iпр=10 мА:
КС133А – от 3,0 до 4,1 В,
КС139А – от 3,5 до 4,8 В,
КС147А – от 4,0 до 5,6 В,
КС156А – от 4,7 до 6,6 В.
Температурный коэффициент напряжения стабилизации при температуре от 303 до 398 К :
КС133А – не хуже -0,11 %/К,
КС139А – не хуже -0,10 %/К,
КС147А – от -009 до 001 %/К,
КС156А – +0,05 %/К.
Дифференциальное сопротивление при Iпр=3 мА, не более:
КС133А, КС139А – 180 Ом,
КС147А, КС156А – 160 Ом.
Дифференциальное сопротивление при Iпр=10 мА, не более:
КС133А – 65 Ом,
КС139А – 60 Ом,
КС147А – 56 Ом,
КС156А – 46 Ом.
Постоянное прямое напряжение при Iпр=50 мА - не более 1 В.
Минимальный ток стабилизации – 3 мА.
Максимальный ток стабилизации:
КС133А – 81 мА,
КС139А – 70 мА,
КС147А – 58 мА,
КС156А – 55 мА.
Примечание. Номинальные напряжения стабилизации и их разброс, дифференциальные сопротивления даны для температуры 298 К.
Приложение 3 Справочные данные биполярных транзисторов
МП26, МП26А
Транзисторы германиевые сплавные p-n-p универсальные низкочастотные маломощные. Предназначены для усиления и переключения сигналов низкой частоты. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Коэффициент передачи тока в режиме малого сигнала:
МП26 – 10 – 25,
МП26А – 20 – 50.
Обратный ток коллектора – не более 75 мкА.
Предельная частота коэффициента передачи тока при Uкб=35 В – не менее 250 кГц.
Емкость коллекторного перехода при Uкб=35 В – не более 50 пФ.
Предельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер – 70 В.
Предельное постоянное напряжение эмиттер-база – 70 В.
Предельный постоянный ток коллектора – 70 мА.
Предельная постоянная рассеиваемая мощность – 200 мВт.
МП40, МП40А, МП41, МП41А
Транзисторы германиевые сплавные p-n-p усилительные низкочастотные маломощные. Предназначены для усиления сигналов низкой частоты. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Коэффициент передачи тока в режиме малого сигнала:
МП40, МП40А – 20 – 40,
МП41 – 30 -60,
МП41А – 50 – 100.
Обратный ток коллектора при Uкб=5 В – не более 15 мкА.
Предельная частота коэффициента передачи тока при Uкб=5 В – не менее 1 МГц.
Емкость коллекторного перехода при Uкб=5 В – не более 60 пФ.
Предельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер:
МП40, МП41, МП41А – 15 В,
МП40А - 30 В.
Предельное постоянное напряжение эмиттер-база – 10 В.
Предельный постоянный ток коллектора – 30 мА.
Предельная постоянная рассеиваемая мощность – 150 мВт.
МП42, МП42А, МП42Б
Транзисторы германиевые сплавные p-n-p переключательные низкочастотные маломощные. Предназначены для применения в схемах переключения. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ:
МП42 – 20 – 35,
МП42А – 30 -50,
МП42Б – 45 – 100.
Обратный ток коллектора при Uкэ=15 В – не более 25 мкА.
Предельная частота коэффициента передачи тока при Uкб=5 В – не менее 1 МГц.
Емкость коллекторного перехода при Uкб=5 В – не более 60 пФ.
Предельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер – 15 В.
Предельное постоянное напряжение эмиттер-база – 10 В.
Предельный импульсный ток коллектора – 200 мА.
Предельная постоянная рассеиваемая мощность – 200 мВт.
КТ203Б, КТ 203БМ
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные p-n-p усилительные маломощные. Предназначены для применения в усилителях и импульсных устройствах. Выпускаются в металлостеклянном (КТ203Б) и пластмассовом (КТ203БМ) корпусе с гибкими выводами.
Коэффициент передачи тока в режиме малого сигнала – 30 – 150.
Обратный ток коллектора при Uкб=5 В – не более 1 мкА.
Предельная частота коэффициента передачи тока в схеме ОБ при Uкб=5 В – не менее 5 МГц.
Емкость коллекторного перехода при Uкб=5 В – не более 10 пФ.
Предельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер – 30 В.
Предельное постоянное напряжение эмиттер-база – 15 В.
Предельный постоянный ток коллектора – 10 мА.
Предельная постоянная рассеиваемая мощность – 150 мВт.
КТ501М
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные p-n-p усилительные низкочастотные маломощные. Предназначены для применения в усилителях и импульсных устройствах. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ – 40 – 120.
Обратный ток коллектора при Uкб=5 В – не более 1 мкА.
Предельная частота коэффициента передачи тока в схеме ОБ при Uкб=5 В – не менее 5 МГц.
Емкость коллекторного перехода при Uкб=5 В – не более 50 пФ.
Предельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер – 60 В.
Предельное постоянное напряжение эмиттер-база – 20 В.
Предельный постоянный ток коллектора – 300 мА.
Предельная постоянная рассеиваемая мощность – 350 мВт.
Примечание. Указанные параметры даны для температуры 298 К.
