Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
Бутенко_Полупроводниковые_приборы11.doc
Скачиваний:
5
Добавлен:
01.07.2025
Размер:
5 Мб
Скачать
☆

Приложение 4 Справочные данные полевых транзисторов

КП302АМ

Транзисторы кремниевые планарные полевые с затвором на основе p-n-перехода с каналом n-типа. Предназначены для применения в широкополосных усилителях и переключающих устройствах. Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.

Крутизна характеристики при Uси=7 В, Uзи=0 В - не менее 5 мА/В.

Начальный ток стока при Uзи=0 В - 3 – 24 мА.

Напряжение отсечки при Uси=7 В – не более 5 В.

Входная ёмкость при Uси=10 В, Iс=3 мА - не более 20 пФ.

Проходная ёмкость при Uси=10 В, Iс=3 мА - не более 8 пФ.

Предельное напряжение затвор-исток – 10 В.

Предельное напряжение сток-исток – 20 В.

Предельный постоянный ток стока – 24 мА.

Предельная постоянная рассеиваемая мощность – 300 мВт.

Приложение 5 Формы отчетов по лабораторным работам Форма отчета по Лабораторной работе № 1

Московский Ордена Ленина, Ордена Октябрьской Революции и Ордена Трудового Красного Знамени

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ им. Н.Э.БАУМАНА

Кафедра РЛ-1, Секция № 1

Дисциплина

« Указать название дисциплины »

Отчёт по лабораторной работе

« Исследование характеристик и параметров полупроводниковых диодов »

Студент Указать ф. и. о.

Группа Указать группу.

Преподаватель Указать ф. и. о.

МОСКВА 20__­_ г.

Цель работы - исследование характеристик германиевого и кремниевого диодов, изучение методики измерения характеристик и расчет параметров математической модели диода по характеристикам.

Снятие вах германиевого и кремниевого диодов

Исследуемые диоды (указать тип и основные параметры диодов, см. приложение 1)

VD1 –

VD2 –

Исследуемый стабилитрон

VD3 –

а) б)

Схема снятия прямой (а) и обратной (б) ветвей ВАХ диодов

Схема снятия ВАХ стабилитрона

На схемах указать тип используемых измерительных приборов

ВАХ германиевого и кремниевого диодов

ВАХ стабилитрона

Здесь и далее показан вид графиков-заготовок ВАХ. Размеры и масштабы при выполнении отчета выбирать самостоятельно в зависимости от конкретных результатов.

Определение по ВАХ параметров

германиевого и кремниевого диодов

VD1

Iпр= 5 мА

R0пр=

rдиф пр=

Uобр= -5 В

R0обр=

rдиф обр=

VD2

Iпр= 5 мА

R0пр=

rдиф пр=

Uобр= -5 В

R0обр=

rдиф обр=

Определение по ВАХ параметров стабилитрона

Iст= -2 мА

rдиф обр=

Iст= -7 мА

rдиф обр=

Расчеты представлять по форме: формула – подстановка значений – ответ. На ВАХ должны быть показаны все построения, с помощью которых были определены параметры диодов.

Выводы по результатам работы

Форма отчета по Лабораторной работе № 2

Московский Ордена Ленина, Ордена Октябрьской Революции и Ордена Трудового Красного Знамени

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ им. Н.Э.БАУМАНА

Кафедра РЛ-1, Секция № 1

Дисциплина

« Указать название дисциплины »

Отчёт по лабораторной работе

« Исследование биполярного транзистора. Модель Эберса-Молла »

Студент Указать ф. и. о.

Группа Указать группу.

Преподаватель Указать ф. и. о.

МОСКВА 20__­_ г.

Цель работы - исследование характеристик и параметров биполярного транзистора, изучение методики измерения вольтамперных характеристик, расчет параметров модели Эберса-Молла.