- •Введение
- •Описание лабораторной установки
- •Лабораторная работа № 1 исследование характеристик и параметров полупроводниковых диодов
- •Краткие сведения о полупроводниковых диодах и стабилитронах
- •Задание и порядок выполнения работы
- •Обработка экспериментальных данных
- •Выполнение отчета
- •3. Снять обратную ветвь вах диодов vd1 и vd2.
- •4. Снять обратную ветвь вах стабилитрона vd3.
- •5. Определить внутреннее сопротивление измерителя тока для всех использованных при снятии вах пределов измерения.
- •6. Определить внутреннее сопротивление вольтметра для всех использованных при снятии вах пределов измерения.
- •Вопросы для самоконтроля и подготовки к защите
- •Лабораторная работа № 2 исследование биполярного транзистора. Модель эберса-молла
- •Краткие сведения о биполярных транзисторах
- •Задание и порядок выполнения работы
- •Снять семейство выходных вах транзистора в нормальном включении для трёх значений тока базы.
- •Обработка экспериментальных данных
- •Выполнение отчета
- •Вопросы для самоконтроля и подготовки к защите
- •Лабораторная работа № 3 исследование полевого транзистора
- •Краткие сведения о полевых транзисторах
- •Задание и порядок выполнения работы
- •Снять семейство выходных характеристик полевого транзистора.
- •Обработка экспериментальных данных
- •Выполнение отчета
- •Вопросы для самоконтроля и подготовки к защите
- •Лабораторная работа № 4 исследование биполярного транзистора в режиме переключения
- •Краткие сведения о работе биполярного транзистора в ключевом режиме
- •Задание и порядок выполнения работы
- •Выполнение отчета
- •Вопросы для самоконтроля и подготовки к защите
- •Приложение 1 Справочные данные полупроводниковых диодов
- •Приложение 2 Справочные данные стабилитронов
- •Приложение 3 Справочные данные биполярных транзисторов
- •Приложение 4 Справочные данные полевых транзисторов
- •Приложение 5 Формы отчетов по лабораторным работам Форма отчета по Лабораторной работе № 1
- •Снятие вах германиевого и кремниевого диодов
- •Снятие вах биполярного транзистора
- •Определение h-параметров биполярного транзистора по вах
- •Выводы по результатам работы Форма отчета по Лабораторной работе № 3
- •Выводы по результатам работы Список рекомендованной литературы
Приложение 4 Справочные данные полевых транзисторов
КП302АМ
Транзисторы кремниевые планарные полевые с затвором на основе p-n-перехода с каналом n-типа. Предназначены для применения в широкополосных усилителях и переключающих устройствах. Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Крутизна характеристики при Uси=7 В, Uзи=0 В - не менее 5 мА/В.
Начальный ток стока при Uзи=0 В - 3 – 24 мА.
Напряжение отсечки при Uси=7 В – не более 5 В.
Входная ёмкость при Uси=10 В, Iс=3 мА - не более 20 пФ.
Проходная ёмкость при Uси=10 В, Iс=3 мА - не более 8 пФ.
Предельное напряжение затвор-исток – 10 В.
Предельное напряжение сток-исток – 20 В.
Предельный постоянный ток стока – 24 мА.
Предельная постоянная рассеиваемая мощность – 300 мВт.
Приложение 5 Формы отчетов по лабораторным работам Форма отчета по Лабораторной работе № 1
Московский Ордена Ленина, Ордена Октябрьской Революции и Ордена Трудового Красного Знамени
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ им. Н.Э.БАУМАНА
Кафедра РЛ-1, Секция № 1
Дисциплина
« Указать название дисциплины »
Отчёт по лабораторной работе
« Исследование характеристик и параметров полупроводниковых диодов »
Студент Указать ф. и. о.
Группа Указать группу.
Преподаватель Указать ф. и. о.
МОСКВА 20___ г.
Цель работы - исследование характеристик германиевого и кремниевого диодов, изучение методики измерения характеристик и расчет параметров математической модели диода по характеристикам.
Снятие вах германиевого и кремниевого диодов
Исследуемые диоды (указать тип и основные параметры диодов, см. приложение 1)
VD1 –
VD2 –
Исследуемый стабилитрон
VD3 –
а) б)
Схема снятия прямой (а) и обратной (б) ветвей ВАХ диодов
Схема снятия ВАХ стабилитрона
На схемах указать тип используемых измерительных приборов
ВАХ германиевого и кремниевого диодов
ВАХ стабилитрона
Здесь и далее показан вид графиков-заготовок ВАХ. Размеры и масштабы при выполнении отчета выбирать самостоятельно в зависимости от конкретных результатов.
Определение по ВАХ параметров
германиевого и кремниевого диодов
VD1 Iпр= 5 мА R0пр= rдиф пр= Uобр= -5 В R0обр= rдиф обр= |
VD2 Iпр= 5 мА R0пр= rдиф пр= Uобр= -5 В R0обр= rдиф обр= |
Определение по ВАХ параметров стабилитрона
Iст= -2 мА
rдиф обр=
Iст= -7 мА
rдиф обр=
Расчеты представлять по форме: формула – подстановка значений – ответ. На ВАХ должны быть показаны все построения, с помощью которых были определены параметры диодов.
Выводы по результатам работы
Форма отчета по Лабораторной работе № 2
Московский Ордена Ленина, Ордена Октябрьской Революции и Ордена Трудового Красного Знамени
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ им. Н.Э.БАУМАНА
Кафедра РЛ-1, Секция № 1
Дисциплина
« Указать название дисциплины »
Отчёт по лабораторной работе
« Исследование биполярного транзистора. Модель Эберса-Молла »
Студент Указать ф. и. о.
Группа Указать группу.
Преподаватель Указать ф. и. о.
МОСКВА 20___ г.
Цель работы - исследование характеристик и параметров биполярного транзистора, изучение методики измерения вольтамперных характеристик, расчет параметров модели Эберса-Молла.
