3.3. Задание на лабораторную работу
Изучить свойства схемы при включении биполярного транзистора в схеме с общей базой. Ознакомиться с методиками измерения статических ВАХ транзистора и методом определения по этим характеристикам параметров транзистора.
3.4. Описание лабораторного макета
Макет содержит три регулируемых источника
питания: источник коллекторного
напряжения
(Г2), источник эмиттерного тока
(ГЗ). Указанные напряжения и ток могут
изменяться соответствующими
потенциометрами. Полярности источников
указаны относительно корпуса (Г1).
Исследуемый транзистор КТ209 типа р-n-р
также расположен в макете и его выводы
обозначены Э (Г6), Б (Г8), К (Г7). Измерительные
приборы установлены в отдельном блоке.
3.5. Программа исследований
3.5.1. Используя перемычки, соберите схему, показанную на рис. 3.6.
Рис. 3.6 — Схема макета для измерения входной ВАХ транзистора
в схеме с общей базой
На рис. 3.6 и 3.7 приняты следующие обозначения:
V1 — вольтметр с пределом измерения 1 В;
V2 — вольтметр с пределом измерения 10 В;
мA — миллиамперметр с пределом измерения 10 мА;
— регулируемый источник
тока эмиттера;
— регулируемый источник коллекторного
напряжения.
3.5.2. Установите ручки всех потенциометров в крайнее левое положение. Перед включением макета проверьте правильность подключения источников питания и измерительных приборов. Собранную схему покажите преподавателю и получите разрешение на ее включение.
3.5.3. Включите макет и установите напряжение на вольтметре базового блока 18…20 В.
3.5.4. Снимите входную ВАХ транзистора
при трех значениях напряжения
:
0 В; –5 В; –8 В. Плавно изменяя ток источника
,
снимите три зависимости
и результаты измерений занесите в
таблицу 3.1. При снятии характеристик не
допускайте перегрузки приборов. Для
наглядного представления результатов
в графической форме необходимо снять
не менее 8…10 точек. Так как при изменении
напряжения
,
ток
изменяется по экспоненциальному закону,
целесообразно задавать значение тока
в пределах от 1 до 10 мA с шагом 1 мA, а
снимать и записывать в таблицу значения
.
Таблица 3.1 — Входная ВАХ транзистора, включенного по схеме с общей базой
, мA |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
, В |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
3.5.5. По окончании измерений выключите макет.
3.5.6. Используя перемычки, соберите схему, показанную на рис. 3.7, и выполните действия по п. п. 3.5.2, 3.5.3.
Рис. 3.7 — Схема макета для измерения выходной и проходной
ВАХ транзистора в схеме с общей базой
3.5.4. Снимите выходную ВАХ транзистора
при трех значениях напряжения
:
0,55 В; 0,6 В; 0,65 В. Плавно изменяя напряжение
,
снять три зависимости
и результаты измерений занести в таблицу
3.2.
Таблица 3.2 — Выходная ВАХ транзистора, включенного по схеме с общей базой
, В |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
,
мA
3.5.3. Не изменяя схему (рис. 3.7) макета
снимите проходную ВАХ транзистора при
трех значения напряжения
:
0 В; –5 В; –8 В. Плавно изменяя ток источника
,
снимите три зависимость
и результаты измерений занесите в
таблицу 3.3. При снятии характеристик не
допускайте перегрузки приборов. Для
наглядного представления результатов
в графической форме необходимо снять
не менее 8…10 точек. Так как при изменении
напряжения
,
ток
изменяется по экспоненциальному закону,
целесообразно задавать значение тока
в пределах от 1 до 10 мA с шагом 1 мA, а
снимать и записывать в таблицу значения
.
Таблица 3.3 — Проходная ВАХ транзистора, включенного по схеме с общей базой
, мA |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
, В |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
