- •Введение
- •Лабораторная работа № 1 Исследование полупроводникового диода
- •1.1. Цель работы
- •1.2. Краткие теоретические сведения
- •1.3. Задание на лабораторную работу
- •1.4. Приборы и оборудование
- •1.5. Программа исследований
- •2. Лабораторная работа № 2 Исследование полупроводникового стабилитрона
- •2.1. Цель работы
- •2.2. Краткие теоретические сведения
- •1.6. Содержание отчета
- •1.7. Контрольные вопросы
- •2.3. Задание на лабораторную работу
- •2.4. Приборы и оборудование
- •2.5. Программа исследования
- •2.6. Содержание отчета
- •2.7. Контрольные вопросы
- •3. Лабораторная работа № 3 Исследование вольтамперных характеристик биполярного транзистора в схеме с общей базой
- •3.1. Цель работы
- •3.2. Краткие теоретические сведения
- •3.3. Задание на лабораторную работу
- •3.4. Описание лабораторного макета
- •3.5. Программа исследований
- •3.6. Содержание отчета
- •3.7. Контрольные вопросы
- •4. Лабораторная работа № 4 Исследование вольтамперных характеристик биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером
- •4.1. Цель работы
- •4.2. Краткие теоретические сведения
- •4.3. Задание на лабораторную работу
- •4.4. Описание лабораторного макета
- •4.5. Программа исследований
- •4.6. Содержание отчета
- •4.7. Контрольные вопросы
- •5. Лабораторная работа № 5 Исследование статических характеристик полевого транзистора
- •5.1. Цель работы
- •5.2. Краткие теоретические сведения
- •5.3. Описание лабораторного макета
- •5.4. Задание на лабораторную работу
- •5.5. Программа исследований
- •5.6. Содержание отчета
- •5.7. Контрольные вопросы
- •6. Лабораторная работа № 6 Исследование электронного ключа на биполярном транзисторе
- •6.1. Цель работы
- •6.2. Краткие теоретические сведения
- •6.3. Задание на лабораторную работу
- •6.4. Приборы и оборудование
- •6.5. Программа исследований
- •6.6. Содержание отчета
- •6.7. Контрольные вопросы
- •Библиографический список
- •Приложение а Образец титульного листа
4.3. Задание на лабораторную работу
Изучить свойства схемы при включении биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером. Ознакомиться с методиками измерения статических ВАХ транзистора, измерить эти ВАХ и определить по ним параметры транзистора.
4.4. Описание лабораторного макета
Макет содержит три регулируемых источника
питания: источник коллекторного
напряжения
(Г2), источник эмиттерного тока
(ГЗ), источник базового напряжения
(Г4). Эти напряжения и ток могут изменяться
соответствующими потенциометрами.
Полярности источников указаны относительно
корпуса (Г1). Исследуемый транзистор
КТ209 типа р-n-р также расположен
в макете и его выводы обозначены Э (Г6),
Б (Г8), К (Г7). Измерительные приборы
установлены в отдельном блоке.
4.5. Программа исследований
4.5.1. Используя перемычки, соберите схему, показанную на рис. 4.2.
Рис. 4.2 — Схема макета для измерения входной ВАХ
транзистора в схеме с общим эмиттером
На рис. 4.2 приняты следующие обозначения:
V1 — вольтметр с пределом измерения 1 В;
V2 — вольтметр с пределом измерения 10 В;
мкA — микроамперметр с пределом измерения 100 мкА;
— регулируемый источник базового
напряжения;— регулируемый источник коллекторного напряжения.
4.5.2. Установите ручки всех потенциометров в крайнее левое положение. Перед включением макета проверьте правильность подключения источников питания и измерительных приборов. Собранную схему покажите преподавателю и получите разрешение на ее включение.
4.5.3. Включите макет и установите напряжение на вольтметре базового блока 18…20 В.
4.5.4. Снимите входную ВАХ транзистора
при трех значениях напряжения
:
0 В, –5 В и –8 В и результаты измерений
занести в таблицу 4.1. При снятии
характеристик не допускать перегрузки
приборов. Для наглядного представления
результатов в графической форме
необходимо снять не менее 8…10 точек.
Так как при изменении напряжения
,
ток
изменяется по экспоненциальному закону,
целесообразно задавать значения тока
в пределах от 10 до 100 мкA с шагом 10 мкA,
а снимать и записывать в таблицу значения
.
Таблица 4.1 — Входная ВАХ транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером
, мкA |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
, В |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
4.5.6. По окончании измерений выключите макет.
4.5.7. Используя перемычки, соберите схему, показанную на рис. 4.3, и выполните действия по п. п. 4.5.2, 4.5.3.
Рис. 4.3 — Схема включения макета для снятия выходных ВАХ
транзистора в схеме с общим эмиттером
На рис. 4.3 приняты следующие обозначения:
V2 — вольтметр с пределом измерения 10 В;
мA — миллиамперметр с пределом измерения 10 мА;
мкA — микроамперметр с пределом измерения 100 мкА;
— регулируемый источник базового напряжения;
— регулируемый источник коллекторного напряжения.
4.5.8. Снимите выходную ВАХ транзистора
при трех значениях тока базы
:
100 мкА; 80 мкА; 60 мкА. Плавно изменяя
напряжение
,
снимите три зависимости
и результаты измерений занесте в таблицу
4.2. При снятии характеристик не допускать
перегрузки приборов. Для наглядного
представления результатов в графической
форме необходимо снять не менее 8…10
точек.
Таблица 4.2 — Выходная ВАХ транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером
, В |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
, мA |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
4.5.9. По окончании измерений выключите макет.
4.5.10. Используя перемычки, соберите схему, показанную на рис. 4.4 и выполните действия по п. п. 4.5.2, 4.5.3.
Рис. 4.4 — Схема включения макета для снятия проходных ВАХ
транзистора в схеме с общим эмиттером
На рис. 4.4 приняты следующие обозначения:
V1 — вольтметр с пределом измерения 1 В;
V2 — вольтметр с пределом измерения 10 В;
мA — миллиамперметр с пределом измерения 10 мА;
— регулируемый источник базового напряжения;
— регулируемый источник коллекторного напряжения.
4.5.11. Снимите проходную ВАХ транзистора
при трех значениях напряжения
:
–2 В, –5 В, –8 В. Плавно изменяя
напряжение
,
снять три зависимости
и результаты измерений занести в таблицу
4.3. При снятии характеристик не допускать
перегрузки приборов. Для наглядного
представления результатов в графической
форме необходимо снять не менее 8…10
точек. Так как при изменении напряжения
,
ток
изменяется по экспоненциальному закону,
целесообразно задавать значения тока
в пределах от 1 до 10 мA с шагом 1 мA, а
снимать и записывать в таблицу значения
.
Таблица 4.3. — Проходная ВАХ транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером
, мA |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
, В |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
4.5.12. По окончании измерений выключите макет.
