- •190623 Техническая эксплуатация
- •Раздел 1. Электронные приборы.
- •Тема 1.1 Физические основы полупроводниковых приборов
- •Тема 1.2 Полупроводниковые диоды
- •Тема 1.3 Тиристоры.
- •Тема 1.4. Транзисторы.
- •Тема 1.5. Интегральные микросхемы
- •Тема 1.6. Полупроводниковые фотоприборы
- •Тема 2.1. Электронные усилители.
- •Тема 2.2. Электронные генераторы.
- •Раздел 2. Электронные усилители и генераторы.
- •Раздел 3. Источники вторичного питания
- •Тема 3.1. Неуправляемые выпрямители.
- •Тема 3.2. Управляемые выпрямители.
- •Тема 3.3. Сглаживающие фильтры.
- •Тема 3.4. Стабилизаторы напряжения и тока.
- •Раздел 4. Логические устройства.
- •Тема 4.1. Логические элементы цифровой техники.
- •Тема 4.2. Комбинационные цифровые устройства.
- •Тема 4.3. Последовательностные цифровые устройства.
- •Раздел 5. Микропроцессорные системы.
- •Тема 5.1. Полупроводниковая память.
- •Тема 5.2. Аналого-цифровые и цифро-аналоговые устройства.
- •Тема 5.3. Микропроцессоры.
- •3.2. Информационное обеспечение обучения
Раздел 1. Электронные приборы.
Тема 1.1 Физические основы полупроводниковых приборов
Студент должен:
Знать номенклатуру полупроводниковых приборов, их сходства и различия, достоинства и недостатки.
Уметь формулировать и объяснять свойства полупроводников, классификацию по видам проводимости, характеризовать каждый вид проводимости, изображать и объяснять сущность расположения электронов по энергетическим уровням у проводников, диэлектриков и полупроводников, использовать знания при изучении профилирующих предметов.
Содержание учебного материала
Собственная и примесная проводимость полупроводников. Физические основы образования и свойства p-n перехода. Емкость p-n-перехода, пробой p-n-перехода
Вопросы для самоконтроля
Основные и не основные носители тока в полупроводниках p-типа.
Основные и не основные носители тока в полупроводниках n-типа.
Влияние температуры на концентрацию основных и не основных носителей тока.
Объяснить влияние емкости p-n перехода на величину тока в схеме.
Перечислите виды пробоев p-n перехода.
Тема 1.2 Полупроводниковые диоды
Студент должен:
Знать назначение, устройство и работу полупроводниковых диодов.
Уметь Объяснять работу электронно- дырочного перехода при подключении внешнего источника и без него, вольт – амперную характеристику диода, явление пробоя р-п перехода, изобразить в принципиальном виде конструктивное исполнение диода, обосновывать технические требования к силовым диодам ПС.
Содержание учебного материала
Конструкция диодов.
Основные характеристики и параметры полупроводниковых диодов.
Классификация полупроводниковых диодов, условные обозначения.
Маркировка, применение.
Лабораторное занятие
Исследование работы диодов.
Вопросы для самоконтроля
Объяснить принцип действия фотодиода с источником напряжения и без источника.
Начертить схему включения стабилитрона и принцип действия данной схемы.
Причины появления лавинных диодов.
Маркировка силовых диодов.
Определите параметры и рассчитайте прямое и обратное сопротивление диода ВЛ-200-9-056.
Как при помощи омметра определить пригодность выпрямительного диода к эксплуатации.
Тема 1.3 Тиристоры.
Студент должен:
Знать устройство, работу и назначение тиристоров.
Уметь изображать графически и объяснять схемы включения тиристоров, расшифровывать их по маркировке, обосновывать технические требования, предъявляемые к ним.
Содержание учебного материала
Конструкция тиристоров. Принцип действия тиристоров, классификация, условные обозначения. Основные характеристики и параметры тиристоров, применение.
Лабораторное занятие
Исследование работы тиристоров.
Вопросы для самоконтроля
Для чего созданы тиристоры с двумя способами управления: по аноду, по катоду?
Сколько p-n переходов имеет тиристор?
Основной недостаток тиристоров.
Объясните процесс включения и выключения тиристора.
Как при помощи омметра определить пригодность к эксплуатации тиристора?
Указать параметры системы управления тиристорами.
