- •1. Эффект Холла.
- •1.1. Характер движения носителей заряда при наличии электрического и магнитного полей
- •1.2. Определение критерия слабого магнитного поля
- •1.3. Обьяснить возникновение эффекта Холла в полупроводнике со смешанной проводимостью
- •1.4. Чем определяется величина и знак холовской э.Д.С
- •1.5. Какую физическую информацию можно получить при исследовании эффекта Холла
- •2. Термо-э.Д.С
- •2.1. Объясните возникновение термо-э.Д.С. В полупроводнике смешанного типа проводимости
- •2.3. Чем определяется величина кооф.-та термо-э.Д.С в полупроводнике
- •2.4. Объясните ход температурной зависимости кооф.-та «а» для полупроводника n-типа
- •3. Эффект поля
- •3.1. В чем заключается эффект поля в п/п.
- •2.2. Какой физический смысл имеет кооф.-т «а»
- •3.2. Что такое «поверхностная проводимость», от чего она зависит
- •3.4. Экспериментальная и теоретическая зависимость поверхностной проводимости от индуцированного заряда. Причины различия
- •3.5. Структура и механизм работы мдп-транзистора
- •3.6. Что такое канал. Какие виды каналов бывают и их различия
- •4. Кооф. Поглощения света в п/п
- •4.1. Что такое собственное и фундаментальное поглощение. Каковы типы оптических переходов
- •4.2. Чем определяется плотность состояний электронов в разрешенной зоне.
- •4.3. Чем различаются спектры поглощения для разрешенных и запрещенных прямых межзонных переходов
- •4.4. Метод определения спектра поглощения полупроводника по спектру его пропускания
- •4.5. Методика определения ширины запрещенной зоны п/п по спектру поглощения
- •5. Фотопроводимость
- •5.1. Внутренний эффект
- •5.2. Что такое прямые и непрямые переходы электронов
- •5.3. Определение времени релаксации носителей заряда
- •5.4. Физический смысл понятия «квантовый выход»
- •5.5. Изменение неравновесной концентрации носителей при включении-выключении света при дельта t стремящемся к нулю
- •5.6. Понятие эффективного времени жизни
- •5.7. Дебаевская длина экранирования
- •6. Фотовольтаический эффект
- •6.1. Понятие фотовольтаического эффекта
- •6.2. Физические процессы, происходящие в фотодиоде при его освещении
- •6.3. Суть вентильного и фотодиодного режима работы фотодиода
- •6.4. Объясните отличие световых хар-к фотодиода в вентильном и фотодиодном режимах
- •Список использованных источников
1.5. Какую физическую информацию можно получить при исследовании эффекта Холла
Исследования эффекта Холла позволяют определить основные электрофизические свойства полупроводников, определить концентрацию и холовскую подвижность основных носителей заряда в полупроводниках.
, : n=-r/q*Rn, p=-r/q*Rp
Определив
величину кооф. Холла Rx,
для различных температур, можно построить
зависимость концентрации носителей
заряда в функции от температуры. Учитывая,
что температурная зависимость концентрации
носит экспоненциальный характер, её
строят в координатах
.
Это позволяет представить зависимость
концентрации свободных носителей заряда
от температуры в виде совокупности
прямых линий. Как видно из рисунка,
график разбит на три области.
Рис. Зависимость концентрации носителей заряда от температуры
Область I называется областью низких температур. Образование свободных носителей заряда происходит за счёт перехода электронов с донорного уровня в зону проводимости для полупроводника n–типа электропроводности, а для полупроводника p–типа электроны переходят из валентной зоны на акцепторный уровень. Энергия активации примесного уровня определяется из уравнения
,
где k – постоянная Больцмана,
.
Область II – область истощения примеси. Как видно из рисунка, концентрация свободных носителей заряда не зависит от температуры. Это соответствует тому, что все электроны с донорного уровня перешли в зону проводимости в полупроводнике n-типа электропроводности, а для полупроводников p-типа электропроводности заполнены все энергетические состояния на акцепторном уровне электронами, перешедшими из валентной зоны. В этой области концентрация свободных носителей заряда равна концентрации примесных атомов.
Область
III
является областью высоких температур.
Здесь энергия теплового хаотического
движения электронов kT
соизмерима с величиной запрещённой
зоны
.
Поэтому электроны переходят из валентной
зоны в зону проводимости, при этом
образуются парные носители заряда:
электрон и дырка. Ширина запрещённой
зоны
может быть определена из графика (см.
рис.) посредством следующего выражения:
.
Величина
определяется из предыдущего уравнения
применительно к области III.
Исследования
эффекта Холла позволяют измерить не
только концентрацию свободных носителей
заряда, но и их подвижность. Подвижность
носителей заряда - это скорость дрейфа
носителей заряда в электрическом поле
единичной напряженности. Она
определяется по формуле:
,
2. Термо-э.Д.С
2.1. Объясните возникновение термо-э.Д.С. В полупроводнике смешанного типа проводимости
Термо-ЭДС в полупроводниках, как и в металлах, возникает под действием разности температуры. Эффект Зеебека, или термоэлектрический эффект заключается в том, что в замкнутой цепи, состоящей из двух различных полупроводников 1 и 2, места соединений которых находятся при различных температурах, возникает электрический ток, носящий название термоэлектрического. А явлением термоэлектродвижущей силы (ТЭДС или термо-эдс) называется возникновение разности потенциалов на концах однородного или неоднородного (спаянного или сварного) материала при создании на его концах разности температур.
где dϕi - изменение разности потенциалов при изменении разности темпера-
тур на концах материала; α – кооф. термо-эдс [В/К ].
При легировании полупроводника донорной и акцепторной примесями одинаковой концентрации возникает смешанный тип проводимости. К холодному контакту диффундируют и электроны и дырки, и их заряды взаимно компенсируются. Если концентрации и подвижности электронов и дырок равны, то термо-э.д.с равна нулю.
Другими словами – в случае полупроводника со смешанной проводимостью к холодному концу одновременно диффундируют и электроны и дырки, а их заряды компенсируют друг друга. И если концентрации и подвижности электронов и дырок равны, то электрич. Поле при этом не образуется и термо-э.д.с. равна нулю. Если же концентрации и подвижности свободных электронов и дырок отличаются, то термо-э.д.с. возникает, как разностный эффект (термо э.д.с., создаваемые разными носителями взаимно противоположны по знаку и вычитаются одна из другой), и величина ее относительно мала.
На рисунке изображены две проволоки 1 и2, изготовленные из различных металлов и спаянные в точках 3 и 4. Если температура в местах спаев одинакова, то тока в таком замкнутом контуре возникать не будет, Потому что в этих местах создаются равные и противоположные э.д. с. Но если один из спаев нагреть так, чтобы температура его стала выше температуры второго спая, то равенство э.д. с. нарушится и в цепи появится электрический ток.
Пара проводников из различных металлов называется термопарой, а возникающая в ней э. д. с— термоэлектродвижущей силой.
Величина термо-э.д. с. и, следовательно, тока, протекающего в термопаре, зависит от выбранных металлов для проводников 1 и 2 и от разности температур в местах спаев.
Термо-э.д. с. возникает также в том случае, если два различных вещества только соприкасаются и место соприкосновения подвергается нагреву.
Возникновение термо-э. д. с. возможно и тогда, когда какое-либо вещество подвергается неравномерному нагреву.
В случае смешанной проводимости, когда электрический ток переносится электронами и дырками, термо-э. д. с, как правило, значительно ниже. В этих условиях уровень химического потенциала обычно находится приблизительно посредине запрещенной зоны и почти не смещается с изменением температуры (за исключением того сравнительно редкого случая, когда эффективные массы электронов и дырок сильно различаются);
