- •Электротехника.
- •Часть II. Электроника
- •§ 1.1. Резисторы
- •Маркировка: с, сп
- •§ 1.2. Конденсаторы
- •1.3. Катушки индуктивности
- •2. Полупроводниковые электронные приборы
- •2.1.1. Теория p-n-переход в условиях равновесия
- •2.1.3. Вольт-амперная характеристика р - n-перехода
- •Полупроводниковые диоды
- •Биполярные транзисторы
- •2.1.4. Качественный анализ работы биполярного транзистора
- •2.1.5. Статические характеристики транзистора
- •2.1.6. Статические характеристики в схеме с оэ
- •2.1.7. Статические параметры транзисторов
- •2.1.8. Биполярный транзистор как четырехполюсник.
- •Полевые транзисторы
- •2.2.6. Полевые транзисторы с р—n- переходом
- •2.4. Полевые транзисторы на основе структур металл — диэлектрик –полупроводник
- •2.4.1. Устройство мдп транзистора
- •2.4.3. Уравнение для вольт-амперных характеристик мдп транзистора
- •2.4.4. Характеристики мдп транзистора
- •2.4.5. Параметры мдп транзистора Крутизна вольт-амперной характеристики
- •Сопротивление затвора
- •2.4.6. Частотные свойства мдп транзистора
- •Электронные усилители Характеристики усилителя
- •Искажения сигнала в усилителе.
- •Лекция Влияние отрицательной ос на ачх усилителя и коэффициент частотных искажений.
- •Влияние отрицательной ос на входное сопротивление усилителя.
- •Влияние оос на выходное сопротивление.
- •Лекция Влияние отрицательной обратной связи на нелинейные искажения и коэффициент гармоник.
- •Лекция Назначение каскадов предварительного усиления. Особенности их анализа и расчета.
- •Лекция Стабилизация режима работы транзисторов по постоянному току.
- •Компараторы напряжений.
- •Микропроцессоры
Маркировка: с, сп
1 –углеродистый; 2 – металлопленочный или металлоксидный; 3 – пленочный композиционный; 4 – объемный композиционный; 5 - проволочный
Ряды Е номиналов сопротивлений резисторов и емкостей конденсаторов
Индекс ряда |
Номинальное значение единицы сопротивления, емкости |
Допустимое отклонение |
|||||
Е6 |
1,0 |
1,5 |
2,1 |
3,3 |
4,7 |
6,8 |
20% |
|
|
|
|
|
|
|
|
Е12 |
1,0 |
1,5 |
2,1 |
3,3 |
4,7 |
6,8 |
10% |
|
1,2 |
1,8 |
2,7 |
3,9 |
5,6 |
8,2 |
10% |
|
|
|
|
|
|
|
|
Е24 |
1,0 |
1,5 |
2,1 |
3,3 |
4,7 |
6,8 |
5% |
|
1,1 |
1,6 |
2,4 |
3,6 |
5,1 |
7,5 |
5% |
|
1,2 |
1,8 |
2,7 |
3,9 |
5,6 |
8,2 |
5% |
|
1,3 |
2,0 |
3,0 |
4,3 |
6,2 |
9,1 |
5% |
Система условных обозначений предусматривает как полные, так и сокращенные условные обозначения. Полное обозначение обычно используется в технической документации, например Р1-ЗЗИ-0,25ВТ—100 кОм±2%А-0,467-027 ТУ. Оно состоит из сокращенного обозначения (Р1-ЗЗИ), обозначений и величин основных параметров и характеристик (0,25Вт—100 кОм±2%А), А— группа по уровню шумов, обозначений документа на поставку (0.467.027 ТУ).
Сокращенное условное обозначение состоит из трех элементов: первый—буква или сочетание букв, обозначающих подкласс резистора; Р—постоянные резисторы; РП—переменные резисторы; HP—наборы резисторов; второй—цифра 1 для непроволочных или 2 для проволочных резисторов; третий—цифра, обозначающая регистрационный номер каждого типа. Например, резисторы постоянные непроволочные с номером 26 имеют обозначение Р1-26.
На практике используются резисторы, обозначение которых выполнено в соответствии с ГОСТами и принципами, которые в новых разработках не применяются, например, С2-26, СП5-40, МЛТ, ПКВ, СПО и др.* Так как они выпускаются промышленностью, у них оставлены ранее действовавшие обозначения.
Маркировка резисторов содержит полное или кодированное обозначение номинальных сопротивлений и их допускаемых отклонений.
Полное обозначение состоит из значения номинального сопротивления и обозначения единицы измерения (Ом—ом, кОм—килоом, МОм—мегаом; ГОм—гигаом; ТОм—тераом). Например, 365 Ом, 100 кОм; 4,7 МОм; 3,3 ГОм; 1 ТОм.
Кодированное обозначение состоит из трех или четырех знаков, включающих две или три цифры и букву. Буква обозначает множитель, на который умножается цифровое обозначение. Буквы R, К, М, G, Т, соответствуют множителям 1, 103, 106, 109, 1012. Например, 10 om-10r(10e)**; 100 om- iooe, или К10; 100 к0м— 100К или М10; 1 МОм—1 МО; 33,2 МОм—ЗЗМ2; 100 МОм— 100 М или G10; 590 МОм—590 М или G59 (Г59); 1 ГОм—1 GO (1ГО)**; 100 ГОм—100 G (100Г) или Т10; 1 ТОм— 1 ТО.
Полное обозначение допускаемого отклонения состоит из цифр, а кодированное—из букв (СТ СЭВ 1810—79), приведенных в табл. 1.1.
Кодированное обозначение резистора с номинальным сопротивлением 4750м с допускаемым отклонением ±2%— K475G.
* В соответствии с ГОСТ 13453—68, действовавшим до 1980 г., первыми элементами в обозначении были буквы: С—для резисторов постоянных;
СП—для резисторов переменных; СТ—для терморезисторов; ФР—для фоторезисторов; СН—для нелинейных резисторов; БП—для болометров. Вторым элементом были цифры, характеризующие материал резистора (так, у постоянных резисторов: 7—углеродистые и бороуглеродистые тонкослойные; 2— металлодиэлектрические и металлооксидные тонкослойные; 3—композиционные пленочные; 4—композиционные объемные; 5—проволочные; о—тонкослойные металлизированные). Третий элемент—порядковый номер разработки.
** Вместо R до недавнего времени применялась буква Е, а вместо G—Г, что показано обозначением в скобках.
Основные параметры резисторов
1. Номинальные сопротивления—по ГОСТ 2825-67.
2. Допускаемые отклонения сопротивлений от номинальных величин.
3. Номинальные мощности рассеивания (максимальная мощность, которую резистор может рассеивать без изменения своих параметров свыше значений, указанных в технической документации, при непрерывной электрической нагрузке и определенной температуре окружающей среды).
4. Предельное рабочее напряжение (напряжение, которое может быть приложено к резистору без нарушения его работоспособности).
5. Температурный коэффициент сопротивления (характеризует изменение сопротивления резистора при изменении температуры на 1 °С)
ТКС= (1/R)(dR/dT)100%,
где R—сопротивление резистора при нормальной (20 C) температуре;
6. Уровень собственных шумов D (мкВ/В).
7. Максимальная температура окружающей среды для номинальной мощности рассеивания.
Промышленность выпускает резисторы общего назначения (МЛТ, ОМЛТ, С2-6, С2-8, С2-11, С2-22 и др.), прецизионные (ОМЛТ, МГП, С2-1, С2-13, С2-14, С2-31 и т. д.), высокомега-омные (КВМ, КЛМ, СЗ-10, СЗ-14 и т. п.), высоковольтные (КЭВ, СЗ-9, СЗ-14 и пр.), высокочастотные (С2-10, С2-34, СЗ-8 и др.).
Номенклатура подстроечных и регулировочных резисторов также достаточно велика (СП5-1, СП5-6, РП-25, РП-80; СП5-21, СП-5-30, СП5-54, СПО, СПЗ-10 и пр.).
В практике кроме линейных иногда используются термозависимые (терморезисторы) и нелинейные (варисторы) резисторы.
Терморезисторы выполняют или из металла, сопротивление которого линейно меняется при изменениях температуры (медь, платина), или на основе полупроводников. Для этой группы основной характеристикой является температурная.
Нелинейные резисторы, сопротивление которых зависит от напряженности электрического поля, называют варисторами. Как правило, их изготовляют из карбида кремния. Нелинейность появляется из-за явлений, наблюдаемых на поверхностях зерен кристалла, из которого спрессован варистор (автоэлектронная эмиссия из острых углов и граней кристалла увеличение электропроводимости за счет пробоев оксидных пленок, покрывающих зерна, в сильных электрических полях напряженностью свыше 103—104 В/см; микронагрев точек контакта между зернами; наличие р-n-переходов, обусловленных различной электропроводностью отдельных зон, и пр.).
Рис. 3. Обозначения резисторов:
а—постоянный; б—подстроечный; в—переменный; г—терморезистор; д—варистор
